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産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について

2023年7月13日

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

これは、産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売についての画像です。

当社は、産業用機器向けに最新^[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。

新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造^[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス^[注3]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。

[注1] 2023年7月現在、当社最新。
[注2] JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。
[注3] 2023年7月現在、当社調べ。

応用機器

スイッチング電源
EV充電スタンド
太陽光発電用インバーター

新製品の主な特長

業界トップクラス^[注3]の低い順方向電圧：V_F＝1.2V (Typ.) (I_F=I_F(DC))
低い逆電流：
TRS6E65Hの場合 I_R＝1.1μA (Typ.) (V_R=650V)
低い総電荷量：
TRS6E65Hの場合 Q_C＝17nC (Typ.) (V_R=400V、f=1MHz)

新製品の主な仕様

（特に指定のない限り、T_a=25°C）

品番	パッケージ	絶対最大定格					電気的特性
		繰り返しピーク逆電圧 V_RRM (V)	直流順電流 I_F(DC) (A)		非繰り返しピーク順電流 I_FSM (A)		順電圧 (パルス測定) V_F (V)	逆電流 (パルス測定) I_R (μA)	端子間容量 C_t (pF)	総電荷量 Q_C (nC)
				温度条件 T_c (°C)	f=50Hz (正弦半波、t=10ms) 、 T_c=25°C	矩形波、 t=10μs、 T_c=25°C	I_F=I_F(DC)	V_R=650V	V_R=400V、f=1MHz
				温度条件 T_c (°C)	f=50Hz (正弦半波、t=10ms) 、 T_c=25°C	矩形波、 t=10μs、 T_c=25°C	Typ.	Typ.	Typ.	Typ.
TRS2E65H	TO-220-2L	650	2	164	19	120	1.2	0.2	10	6.5
TRS3E65H			3	161	28	170		0.4	14	9
TRS4E65H			4	158	36	230		0.6	17	12
TRS6E65H			6	153	41	310		1.1	24	17
TRS8E65H			8	149	56	410		1.5	31	22
TRS10E65H			10	148	62	510		2.0	38	27
TRS12E65H			12	148	74	640		2.4	46	33
TRS4V65H	DFN8×8		4	155	28	230		0.6	17	12
TRS6V65H			6	151	41	310		1.1	24	17
TRS8V65H			8	148	45	410		1.5	31	22
TRS10V65H			10	145	54	510		2.0	38	27
TRS12V65H			12	142	60	640		2.4	46	33