電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について
2020年10月19日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、本日から出荷を開始します。
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
新製品は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第２世代チップデザイン[注１]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。
1200V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター(IGBT) の当社従来製品「GT40QR21」と比べて[注２]、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間(下降時間)を約70%低減するとともに、20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を有しています。
また、ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。
産業機器向け大容量AC-DCコンバーター、太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなど電力機器の高効率化(電力損失低減)と小型化に貢献します。
[注１] 当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)
[注２] 周囲温度25℃
応用機器
- 大容量AC-DCコンバーター
- 太陽光インバーター
- 大容量双方向DC-DCコンバーター
新製品の主な特長
- 第2世代 チップデザイン(SiC SBD内蔵)
- 高耐圧、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低オン抵抗、低順方向電圧(ダイオード)、高ゲートしきい値電圧:
VDSS=1200V、Ciss=1680pF(typ.)、Qg=67nC(typ.)、RDS(ON)=70mΩ(typ.)、
VDSF=-1.35V(typ.)、Vth=4.2～5.8V - 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25℃)
品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
在庫検索 |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ドレイン･ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID @Tc=25℃ (A) |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) typ. @VGS=20V (mΩ) |
ゲート しきい値電圧 Vth @VDS=10V、 ID=20mA (V) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
順方向 電圧 (ダイオード) VDSF typ. @IDR=10A、 VGS=-5V (V) |
|||
TO-3P(N) |
1200 |
36.0 |
70 |
4.2～5.8 |
67 |
1680 |
-1.35 |
|
|
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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TW070J120B
当社、SiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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