SiC MOSFET

新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。

ラインアップ

 (特に指定のない限り、@Ta=25°C)

世代 品番 パッケージ 絶対最大定格 電気的特性 在庫検索&Web少量購入
VDSS
(V)
VGSS
(V)
ID
(A)
RDS(ON)
(mΩ)
Vth
(V)
Qg
(nC)
Ciss
(pF)
Tc=25°C VGS=18V VDS=10V
typ. typ. typ.
3 TW015N120C TO-247 1200 -10~25 100 15 3.0~5.0 158 6000 Stock Checking
TW030N120C 60 30 82 2925 Stock Checking
TW045N120C 40 45 57 1969 Stock Checking
TW060N120C 36 60 46 1530 Stock Checking
TW140N120C 20 140 24 691 Stock Checking
TW015N65C 650 100 15 128 4850 Stock Checking
TW027N65C 58 27 65 2288 Stock Checking
TW048N65C 40 48 41 1362 Stock Checking
TW083N65C 30 83 28 873 Stock Checking
TW107N65C 20 107 21 600 Stock Checking
TW015Z120C TO-247-4L(X) 1200 100 15 158 6000 Stock Checking
TW030Z120C 60 30 82 2925 Stock Checking
TW045Z120C 40 45 57 1969 Stock Checking
TW060Z120C 36 60 46 1530 Stock Checking
TW140Z120C 20 140 24 691 Stock Checking
TW015Z65C 650 100 15 128 4850 Stock Checking
TW027Z65C 58 27 65 2288 Stock Checking
TW048Z65C 40 48 41 1362 Stock Checking
TW083Z65C 30 83 28 873 Stock Checking
TW107Z65C 20 107 21 600 Stock Checking
第3世代SiC MOSFET
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイッチング特性を示す性能指数Ron*Qgdを大幅に改善しました。また、スイッチングノイズによる誤動作がしにくく、対ノイズ性が高く、使いやすい製品になっています。
第3世代SiC MOSFETは以下のような特長を有し、スイッチング電源(データーセンターなどのサーバー向け電源、通信機器用電源など)、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータ、EV充電スタンドなどのアプリケーション向けに使用され、機器の低消費電力化、高出力化に貢献します。
第3世代ディスクリートSiC MOSFET
第3世代SiC MOSFET TO-247-4L
SiC(シリコンカーバイド)を使用したパワーMOSFETは、現在、主流であるSi(シリコン)製のIGBTやMOSFETと比べ、低導通損失や高温環境下での動作に優れているだけでなく、高速スイッチングによる機器の低損失化に貢献します。
当社第3世代 SiC MOSFETの新パッケージであるTO-247-4L(X) は、4端子タイプで、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによる影響を低減することで、高速スイッチング性能をより引き出すことができます。これにより、サーバー、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータなどのアプリケーションの低損失化に貢献します。
これは、第3世代SiC MOSFET TO-247-4Lの画像です。
第2世代SiC MOSFET/IGBT スイッチング損失比較
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
第2世代SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン(Si)の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができます。
SiC MOSFETを使用する最大のメリットとは?
当社のシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、Si IGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しています。
電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
SiC MOSFETが電源の小型化、低損失化に貢献
製品
3相AC400 V入力対応PFC電源リファレンスデザイン
第2世代SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターリファレンスデザイン
第2世代SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上

ドキュメント

名称 日付

技術トピックス

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
エアコン
エアーコンディショナーの設計では、モーター駆動の高効率化、低消費電力化、小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、動作制御部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
LED照明
LED照明の設計では、高効率化、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部や各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
無停電電源装置
無停電電源装置 (UPS) の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、インバーター/コンバーター部、制御部、各種信号伝送部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

リファレンスデザイン

基板写真(例)
1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
SiC MOSFET応用3相インバーター
1200 V系SiC MOSFETを搭載しAC 440 Vモーターを駆動する3相インバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
これは、5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターの外観写真です。
5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーター
Dual Active Bridge(DAB)変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
DC-DCコンバーター
これは、3相AC 400V入力対応PFC電源の外観写真です。
3相AC 400V入力対応PFC電源
1200 V系SiC MOSFETによる3相トーテムポール構成4k W PFC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

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