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SiC MOSFET
新材料のSiC（シリコンカーバイド）を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi（シリコン）製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。
新製品情報/主な製品
1200V耐圧 SiC MOSFET TW070J120B
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SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第２世代チップデザイン[注１]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。
[注１] 当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)
(特に指定のない限り、@Ta=25℃)
品番 |
パッケージ |
絶対最大定格 |
電気的特性 |
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VDSS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) typ. (mΩ) |
Vth |
Qg typ. (nC) |
Ciss |
VDSF typ. (V) |
||
TO-3P(N) |
1200 |
36.0 |
70 |
4.2～5.8 |
67 |
1680 |
-1.35 |
|
[注]
VDSS：ドレイン･ソース間電圧、ID：ドレイン電流(DC) @Tc=25℃、RDS(ON)：ドレイン・ソース間オン抵抗 @VGS=20V、
Vth：ゲートしきい値電圧 @VDS=10V、ID=20mA、Qg：ゲート入力電荷量、
Ciss：入力容量、VDSF：順方向電圧(ダイオード) @IDR=10A、VGS=-5V
産業機器の電力損失低減に貢献するSiC MOSFET
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
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