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SiC MOSFET

新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。

1200V耐圧 SiC MOSFET TW070J120B

TO-3P(N)

SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザイン[注1]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。

[注1] 当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)

 (特に指定のない限り、@Ta=25℃)

品番

パッケージ

絶対最大定格

電気的特性

VDSS

(V)

ID

(A)

RDS(ON)

typ.

(mΩ)

Vth
(V)

Qg

typ.

(nC)

Ciss
typ. (pF)

VDSF

typ.

(V)

TW070J120B

TO-3P(N)

1200

36.0

70

4.2~5.8

67

1680

-1.35

[注]
VDSS:ドレイン・ソース間電圧、ID:ドレイン電流(DC) @Tc=25℃、RDS(ON):ドレイン・ソース間オン抵抗 @VGS=20V、
Vth:ゲートしきい値電圧 @VDS=10V、ID=20mA、Qg:ゲート入力電荷量、
Ciss:入力容量、VDSF:順方向電圧(ダイオード) @IDR=10A、VGS=-5V

電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
環境とエネルギーに関する問題は世界的な重要課題であり、省エネルギーが注目されているなか電力需要は増加していることから、高効率で小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっています。
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しているため、電力損失の大幅低減と機器の小型化に貢献します。
SiC MOSFETが電源の小型化、低損失化に貢献
3相AC400 V入力対応PFC電源リファレンスデザイン
SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターリファレンスデザイン
SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
産業機器の電力損失低減に貢献するSiC MOSFET
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン(Si)の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができます。
SiC MOSFETを使用する最大のメリットとは?
当社のシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、Si IGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しています。

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