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SiC MOSFET
新材料のSiC（シリコンカーバイド）を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi（シリコン）製パワー半導体と比べて、高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適なデバイスを提供します。
ラインアップ
(特に指定のない限り、@Ta=25°C)
| 世代 | 品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | 電気的特性 | 在庫検索＆Web少量購入 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) |
VGSS (V) |
ID (A) |
RDS(ON) typ. (mΩ) |
Vth (V) |
Qg typ. (nC) |
Ciss typ. (pF) |
||||
| @Tc=25°C | @VGS=18V | @VDS=10V | ||||||||
| 3 | TW015N120C | TO-247 | 1200 | -10～25 | 100 | 15 | 3.0～5.0 | 158 | 6000 |  |
| TW030N120C | 60 | 30 | 82 | 2925 | |
|||||
| TW045N120C | 40 | 45 | 57 | 1969 | |
|||||
| TW060N120C | 36 | 60 | 46 | 1530 | |
|||||
| TW140N120C | 20 | 140 | 24 | 691 | |
|||||
| TW015N65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 4850 | |
||||
| TW027N65C | 58 | 27 | 65 | 2288 | |
|||||
| TW048N65C | 40 | 48 | 41 | 1362 | |
|||||
| TW083N65C | 30 | 83 | 28 | 873 | |
|||||
| TW107N65C | 20 | 107 | 21 | 600 | |
|||||
| 2 | TW070J120B | TO-3P(N) | 1200 | 36 | 70 | 4.2～5.8 | 67 | 1680 | |
|
| @VGS=20V | ||||||||||
新製品情報/主な製品
第3世代SiC MOSFET
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイッチング特性を示す性能指数Ron*Qgdを大幅に改善しました。また、スイッチングノイズによる誤動作がしにくく、対ノイズ性が高く、使いやすい製品になっています。
第3世代SiC MOSFETは以下のような特長を有し、スイッチング電源(データーセンターなどのサーバー向け電源、通信機器用電源など)、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータ、EV充電スタンドなどのアプリケーション向けに使用され、機器の低消費電力化、高出力化に貢献します。
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイッチング特性を示す性能指数Ron*Qgdを大幅に改善しました。また、スイッチングノイズによる誤動作がしにくく、対ノイズ性が高く、使いやすい製品になっています。
第3世代SiC MOSFETは以下のような特長を有し、スイッチング電源(データーセンターなどのサーバー向け電源、通信機器用電源など)、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータ、EV充電スタンドなどのアプリケーション向けに使用され、機器の低消費電力化、高出力化に貢献します。
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第2世代SiC MOSFET/IGBT スイッチング損失比較
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
第2世代SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン（Si）の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができます。
SiC MOSFETを使用する最大のメリットとは？
当社のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、Si IGBT（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しています。
電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
SiC MOSFETが電源の小型化、低損失化に貢献
3相AC400 V入力対応PFC電源リファレンスデザイン
第2世代SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターリファレンスデザイン
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