USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーター

USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーターの各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真(例)
  XPN3R804NC XPN3R804NC XPN3R804NC TPD7104AF TPD7104AF XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC SSM6K804R XPN3R804NC XPN3R804NC

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特長

  • 変換効率(Option 1)：最大 96.4 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 変換効率(Option 2)：最大 95.5 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 外形サイズ：90 mm x 40 mm
  • 各種MOSFETで提案

概要

入力電圧 DC 5 to 18 V, 12.6 V (標準)
出力電圧 DC 3.3 to 21 V
出力電力 60 W
回路構成 Hブリッジ型昇降圧回路
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) Hブリッジスイッチ (option1)・4
 N-ch MOSFET, 40 V, 20 A, 0.0071 Ω@10V, TSON Advance(WF)
小型・低オン抵抗MOSFET Hブリッジスイッチ (option2)・4
 N-ch, MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) スイッチ・3
 N-ch MOSFET, 40 V, 40 A, 0.0038 Ω@10V, TSON Advance(WF)
ツェナーダイオード ゲート信号保護・2
 16 V Zener Diode, SOD-323(USC)
インテリジェントパワーデバイス (ハイサイドパワーMOSFETドライバ チャージポンプ内蔵) ゲートドライバー・1
 Automotive Gate driver for High-side switch, PS-8

アプリケーション

IVI（車載インフォテインメント）
IVIの設計では、情報連携や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、表示/オーディオ出力部、映像/音声入力部、無線通信部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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USB給電
USB給電の設計では、電源・信号ノイズの低減や低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、シガーソケットやアクセサリー回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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DC-DCコンバーター回路
DC-DCコンバーターの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、降圧や昇圧のDC-DCコンバーター部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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