USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーター

USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーターの各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真(例)
  XPN3R804NC XPN3R804NC XPN3R804NC TPD7104AF TPD7104AF XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC XPN7R104NC SSM6K804R XPN3R804NC XPN3R804NC

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特長

  • 変換効率(Option 1)：最大 96.4 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 変換効率(Option 2)：最大 95.5 % (Vin = 10.5 V、 Vout = 15 V、 Power = 45 W)
  • 外形サイズ：90 mm x 40 mm
  • 各種MOSFETで提案

概要

入力電圧 DC 5 to 18 V, 12.6 V (標準)
出力電圧 DC 3.3 to 21 V
出力電力 60 W
回路構成 Hブリッジ型昇降圧回路
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザインデータ

デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
小型・低オン抵抗MOSFET Hブリッジスイッチ (option2)・4
 N-ch, MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F
インテリジェントパワーデバイス (ハイサイドパワーMOSFETドライバ チャージポンプ内蔵) ゲートドライバー・1
 Automotive Gate driver for High-side switch, PS-8
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) スイッチ・3
 N-ch MOSFET, 40 V, 40 A, 0.0038 Ω@10V, TSON Advance(WF)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) Hブリッジスイッチ (option1)・4
 N-ch MOSFET, 40 V, 20 A, 0.0071 Ω@10V, TSON Advance(WF)

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