MOSFET的数据表:体二极管

电气特性

  • 连续漏极反向电流(IDR
    直流漏极-源极二极管的正向电流
  • 脉冲漏极反向电流(IDRP
    脉冲漏极-源极二极管的正向电流
  • 正向电压(二极管)(VDSF
    正向电流漏极-源极二极管的电压降
  • 反向恢复时间(trr
    指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复时间
  • 反向恢复电荷(Qrr
    指定条件下漏极-源极二极管的反向恢复电荷
MOSFET数据表:体二极管

第Ⅲ章:晶体管

晶体管的类型
双极晶体管(BJT)
内置偏置电阻型晶体管(BRT)
结型场效应晶体管(JFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
BJT和MOSFET的差异
MOSFET的结构和工作原理
MOSFET性能改进:RDS(ON)的决定因素
MOSFET性能改进:低RDS(ON)的解决方案
MOSFET性能改进:超级结MOSFET(SJ-MOS)
按结构分类的MOSFET特性摘要
MOSFET的性能:漏极电流和功耗
MOSFET的性能:雪崩能力
MOSFET的性能:电容的特性
MOSFET的性能:安全工作区域(或安全操作区域)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作原理
IGBT的性能改进:垂直设计的发展
什么是RC-IGBT和IEGT?
IGBT的应用
IGBT和MOSFET的正向特性比较
晶体管的结构比较
MOSFET的数据表:最大额定值
MOSFET的数据表:电气特性
MOSFET的数据表:电容和开关特性

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