MOSFET：ボディーダイオード

「第3章　トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) 

≪電気的特性≫

  • ドレイン逆電流(連続) (IDR)
    ドレイン･ソース間ダイオードの順方向電流値
  • ドレイン逆電流(パルス) (IDRP)
    ドレイン･ソース間ダイオードの順方向電流値
  • 順方向電圧(ダイオード) (VDSF)
    ドレイン･ソース間ダイオードに順方向電流を流したときの電圧降下
  • 逆回復時間 (trr)
    ドレイン･ソース間ダイオードの指定条件による逆回復時間
  • 逆回復電荷量 (Qrr)
    ドレイン･ソース間ダイオードの指定条件による逆回復電荷量
MOSFETのデータシート：ボディーダイオード

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
詳細
バイポーラートランジスター
詳細
抵抗内蔵型トランジスター
詳細
JFET
詳細
MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
詳細
MOSFETの構造と動作
詳細
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
詳細
MOSFET：低RDS(ON)化
詳細
Super Junction MOSFET
詳細
MOSFETの構造別特長
詳細
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
詳細
MOSFET：アバランシェ耐量
詳細
MOSFET：容量特性
詳細
MOSFET：安全動作領域(SOA)
詳細
IGBT
詳細
IGBTの動作
詳細
IGBT：縦方向デザインの進化
詳細
RC-IGBT/IEGTとは
詳細
IGBTの応用機器
詳細
IGBTとMOSFETの比較
詳細
各トランジスターの比較まとめ
詳細
MOSFET：最大定格
詳細
MOSFET：電気的特性
詳細
MOSFET：容量・スイッチング特性
詳細

関連情報

ディスクリート半導体の基礎へ戻る

別ウインドウにて開きます