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MOSFET:ボディーダイオード

≪電気的特性≫

  • ドレイン逆電流(連続) (IDR)
    ドレイン・ソース間ダイオードの順方向電流値
  • ドレイン逆電流(パルス) (IDRP)
    ドレイン・ソース間ダイオードの順方向電流値
  • 順方向電圧(ダイオード) (VDSF)
    ドレイン・ソース間ダイオードに順方向電流を流したときの電圧降下
  • 逆回復時間 (trr)
    ドレイン・ソース間ダイオードの指定条件による逆回復時間
  • 逆回復電荷量 (Qrr)
    ドレイン・ソース間ダイオードの指定条件による逆回復電荷量
MOSFETのデータシート:ボディーダイオード

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
JFET
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性

関連情報

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