使用SiC MOSFET的3相逆变器

该参考设计提供了使用1200V SiC MOSFET的3相逆变器的设计指南、数据和其他内容。此设计驱动交流440V电机。
请注意：自2026年4月起，TAR5S50U / TA75W01FU 已被指定为“不推荐用于新设计（NRND）”产品。

PCB照片（逆变器电路板）
PCB照片（逆变器电路板）
TLP7820 TLP7820 TLP7820 TLP7820 TLP5774H TLP5774H TLP5774H TLP5774H TLP5774H TLP5774H TLP5774H TC75W59FU TC75W59FU TLP7820 TLP7820 TLP7820 TLP7820 TW045Z120C TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C TW045Z120C / TW045N120C

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特点

  • 使用1200V SiC MOSFET驱动AC 440V电机
  • 外形尺寸：250mm×145mm（逆变器电路板）
  • 使用适合的SiC MOSFET、光电耦合器、运算放大器等。

说明

电源输入（AC-DC电路板） 3相AC 340V至440V，16A（最大值）
电源输出（ AC-DC电路板） DC 530V至600V
电源输入（逆变器电路板） DC 530V至670V
电源输出（逆变器电路板） 3相AC 340V至440V，15A
错误检测 过流（U相／V相／W相）、总线过压、总线过流、过温（2通道）
效率曲线
效率曲线

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.045Ω（典型值）@18V，TO-247-4L(X)，第3代
功率SiC MOSFET 逆变器开关·6 N沟道SiC MOSFET，1200V，0.045Ω（典型值）@18V，TO-247，第3代
光耦（光电IC输出） 栅极驱动IC·6 光耦（光电IC输出），IGBT驱动IC，IOP＝+/-4.0A，5000Vrms，SO6L
光耦（隔离放大器） 隔离传感器·5 光耦（隔离放大器），模拟输出，5000Vrms，SO8L(LF4)
比较器（CMOS） 用于错误检测的比较器·3 双比较器（CMOS），7V，+/-3.5V，SOT-505(SM8)
运算放大器（双极） 传感放大器·2 双运算放大器（双极），12V，+/-6V，SOT-505(SM8)
运算放大器（CMOS） 传感放大器·3 双运算放大器（CMOS），7V，+/-3.5V，SOT-505(SM8)
运算放大器（CMOS） 传感放大器2 单运算放大器（CMOS），5.5V，+/-2.75V，SOT-25(SMV)
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效） 栅极逻辑控制·3 单门逻辑（L-MOS），2输入／与门，SOT-505(SM8)
点调节器（单路输出） 内部电源·4 200mA固定输出LDO稳压器，5V，SOT-353F(UFV)
小信号MOSFET 光耦驱动IC等·7 N沟道MOSFET，30V，0.1A，3.6Ω@4V，SOT-323(USM)
小型低导通电阻MOSFET 隔离电源开关·2 N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, TSOP6F

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