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«JFETの動作»
JFET:Junction Field Effect Transistor
(1) Nチャネルの接合型電界効果トランジスター(図3-3(a))は、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると電子がソースからドレインに流れます。
(2) ゲート・ソース間に逆バイアスを印加すると空乏層が拡がり、(1)の電子の流れを抑制します。
(電子の流れる路が狭くなる)
(3) ゲート・ソース間逆バイアスの電圧を更に増加させると、空乏層によりチェネルがふさがり電子の流れが止まります。
上記のように、ゲート・ソース間に印加する電圧でドレイン・ソース間の制御を行いますので、JFETは電圧駆動型となります。
注:電流の流れは、電子の流れの逆となります。また、空乏層の拡がりはダイオードと同じです。