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3-4. JFET
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
«JFETの動作»
JFET: Junction Field Effect Transistor
(1) Nチャネルの接合型電界効果トランジスター (図3-3 (a) ) は、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると電子がソースからドレインに流れます。
(2) ゲート・ソース間に逆バイアスを印加すると空乏層が拡がり、(1) の電子の流れを抑制します。
(電子の流れる路が狭くなる)
(3) ゲート・ソース間の逆バイアスの電圧を更に増加させると、空乏層によりチャネルがふさがり、電子の流れが止まります。
上記のように、ゲート・ソース間に印加する電圧でドレイン・ソース間の制御を行うため、JFETは電圧駆動型となります。
注: 電流の流れは、電子の流れの逆となります。また、空乏層の拡がりはダイオードと同じです。
第3章 トランジスター
関連情報
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