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JFET
«JFETの動作»
JFET：Junction Field Effect Transistor
(1) Nチャネルの接合型電界効果トランジスター(図3-3(a))は、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると電子がソースからドレインに流れます。
(2) ゲート・ソース間に逆バイアスを印加すると空乏層が拡がり、(1)の電子の流れを抑制します。
(電子の流れる路が狭くなる)
(3) ゲート・ソース間逆バイアスの電圧を更に増加させると、空乏層によりチェネルがふさがり電子の流れが止まります。
上記のように、ゲート・ソース間に印加する電圧でドレイン・ソース間の制御を行いますので、JFETは電圧駆動型となります。
注：電流の流れは、電子の流れの逆となります。また、空乏層の拡がりはダイオードと同じです。
第3章 トランジスター
トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET：RDS(ON)の決定要因
MOSFET：低RDS(ON)化
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET：ドレイン電流と許容損失
MOSFET：アバランシェ耐量
MOSFET：容量特性
MOSFET：安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT：縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET：最大定格
MOSFET：電気的特性
MOSFET：容量・スイッチング特性
MOSFET：ボディーダイオード
関連情報
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