品番検索

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索で表示される情報について

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

«JFETの動作»
JFET:Junction Field Effect Transistor
(1) Nチャネルの接合型電界効果トランジスター(図3-3(a))は、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると電子がソースからドレインに流れます。
(2) ゲート・ソース間に逆バイアスを印加すると空乏層が拡がり、(1)の電子の流れを抑制します。
(電子の流れる路が狭くなる)
(3) ゲート・ソース間逆バイアスの電圧を更に増加させると、空乏層によりチェネルがふさがり電子の流れが止まります。
上記のように、ゲート・ソース間に印加する電圧でドレイン・ソース間の制御を行いますので、JFETは電圧駆動型となります。

Nチャネル型JFETの記号と動作
図3-3(a) Nチャネル型JFETの記号と動作
Pチャネル型JFETの記号と動作
図3-3(b) Pチャネル型JFETの記号と動作

注:電流の流れは、電子の流れの逆となります。また、空乏層の拡がりはダイオードと同じです。

第3章 トランジスター

トランジスターの種類
バイポーラートランジスター
抵抗内蔵型トランジスター
MOSFET
BJTとMOSFETの動作
MOSFETの構造と動作
MOSFET:RDS(ON)の決定要因
MOSFET:低RDS(ON)
Super Junction MOSFET
MOSFETの構造別特長
MOSFET:ドレイン電流と許容損失
MOSFET:アバランシェ耐量
MOSFET:容量特性
MOSFET:安全動作領域(SOA)
IGBT
IGBTの動作
IGBT:縦方向デザインの進化
RC-IGBT/IEGTとは
IGBTの応用機器
IGBTとMOSFETの比較
各トランジスターの比較まとめ
MOSFET:最大定格
MOSFET:電気的特性
MOSFET:容量・スイッチング特性
MOSFET:ボディーダイオード

関連情報

別ウインドウにて開きます