JFET

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«JFETの動作»
JFET：Junction Field Effect Transistor
(1) Nチャネルの接合型電界効果トランジスター(図3-3(a))は、ドレイン・ソース間に電圧を印加すると電子がソースからドレインに流れます。
(2) ゲート・ソース間に逆バイアスを印加すると空乏層が拡がり、(1)の電子の流れを抑制します。
(電子の流れる路が狭くなる)
(3) ゲート・ソース間逆バイアスの電圧を更に増加させると、空乏層によりチェネルがふさがり電子の流れが止まります。
上記のように、ゲート・ソース間に印加する電圧でドレイン・ソース間の制御を行いますので、JFETは電圧駆動型となります。

Nチャネル型JFETの記号と動作
図3-3(a) Nチャネル型JFETの記号と動作
Pチャネル型JFETの記号と動作
図3-3(b) Pチャネル型JFETの記号と動作

注：電流の流れは、電子の流れの逆となります。また、空乏層の拡がりはダイオードと同じです。

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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