品番検索

クロスリファレンス検索

About information presented in this cross reference

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

学会発表&表彰

原則、発表時点で当社グループもしくは当社グループ従業員が、筆頭の学会発表、論文、表彰を紹介します。

学会発表

2019年

・Process Control Technique to Dramatically Reduce Voids in Phosphorus-Doped Poly-Silicon for Trench Field-Plate MOSFETs 
Saya Shimomura, et al.
2019 Joint International Symposium on e-Manufacturing & Design Collaboration(eMDC) & Semiconductor Manufacturing (ISSM), 6 Sept. 2019 

・Novel Manufacturing Process for Si Superjunction Power MOSFETs with Air-Gap and Insulating Cap Layer
Yuhki Fujino, et al.
2019 Joint International Symposium on e-Manufacturing & Design Collaboration(eMDC) & Semiconductor Manufacturing (ISSM), 6 Sept. 2019 

・Investigation of TCAD Calibration for Saturation and Tail Current of 6.5kV IGBTs
Takeshi Suwa, et al.
2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 4 Sept. 2019 

・Analysis of Oscillatory Phenomena in Cathode Designs for 1200 V Diodes Using an LCR Circuit Model in Reverse Recovery
Kaori Fuse, et al.
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 4 Sept. 2019 

・3D Fan-Out Package Technology with Photosensitive Through Mold Interconnects
Kentaro Mori, et al.
2019 IEEE 69th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 31 May 2019 

・Cu Double Side Plating Technology for High Performance and Reliable Si Power Devices
Hitoshi Kobayashi, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 23 May 2019 

・Design Method and Mechanism Study of LDMOS to Conquer Stress Induced Degradation of Leakage Current and HTRB Reliability
Kanako Komatsu, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 22 May 2019 

・High Accurate IGBT/IEGT Compact Modeling for Prediction of Power Efficiency and EMI Noise
Takeshi Mizoguchi, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 22 May 2019 

・Breakthrough in Channel Mobility Limit of Nitrided Gate Insulator for SiC DMOSFET with Novel High-temperature N2 Annealing
Shunsuke Asaba, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 21 May 2019 

・100-V Class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Achieve Optimum RESURF Effect and Ultralow On-resistance
Kenya Kobayashi, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 21 May 2019 

・Alpha-Particle Shielding Effect of Thick Copper Plating Film on Power MOSFETs
Tatsuya Nishiwaki, et al.
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 21 May 2019 

・Inter-Frame Smart-Accumulation Technique for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR
Ken Tanabe, et al.
2019 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), 19 April 2019 

・A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications
Yutaka Yamada, et al.
2019 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), 19 Feb. 2019

2018年

・The electrical effect on Schottky barrier diodes of emitted hydrogen from dielectric films
Tatsuya Shiraishi,
2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), 11 Dec. 2018

・Predictive process control for change in chemical dry etching equipment condition
Miyuki Maruta, et al.
2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), 11 Dec. 2018

・Process Control Technique to Reduce Wafer Warpage for Trench Field Plate Power MOSFET
Hiroaki Kato, et al.
2018 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), 11 Dec. 2018

・An 113DB-Link-Budget Bluetooth-5 SoC with an 8dBm 22%-Efficiency TX
T. Wang, et al.
2018 IEEE Symposium on VLSI Circuits, 19 June 2018

・Hot-carrier induced off-state leakage current increase of LDMOS and approach to overcome the phenomenon
Keita Takahashi, et al.
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 16 May 2018

・Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure
Hiroaki Yamashita, et al.
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 14 May 2018

・Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET
Wataru Saito,
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 14 May 2018

・Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR
Ken Tanabe, et al.
2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), 20 April 2018

・Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs
Toru Sugiyama, et al.
2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 13 March 2018

2017年

・New Characterization Technique for Detection of Atomic-sized Crystalline Defects and Strain Using Moiré Method
Masako Kodera, et al.
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 22 Sep. 2017

・Hot-carrier Induced Drastic Off-state Leakage Current Degradation in STI-based N-channel LDMOS
Keita Takahashi, et al.
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 21 Sep. 2017

・Modeling of time dependent breakdown voltage degradation in Trench Field Plate Power MOSFET
Tatsuya Nishiwaki, et al.
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 1 June 2017

・HBM robustness optimization of fully isolated Nch-LDMOS for negative input voltage using unique index parameter
Fumio Takeuchi, et al.
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 1 June 2017

・Process design of superjunction MOSFETs for high drain current capability and low on-resistance
Wataru Saito,
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 1 June 2017

・High aspect ratio deep trench termination (HARDT2) technique surrounding die edge as dielectric wall to improve high voltage device area efficiency
Takuya Yamaguchi, et al.
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 1 June 2017

・Direct photo emission monitoring for analysis of IGBT destruction mechanism using streak camera
Tomoko Matsudai, et al.
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 30 May 2017

・Relation between UIS Withstanding Capability and Gate Leakage Currents for High Voltage GaN-HEMTs
Toshiyuki Naka, et al.
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD), 30 May 2017

表彰受賞

2019年

・The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) Reliability Society Japan Joint Chapter
信頼性技術功績賞
「LSI信頼性認定ガイドラインの国際標準化に関する功績」
東芝デバイス&ストレージ(株) 瀬戸屋 孝

・MIPI® Alliance
2018 MIPI Membership Award

MIPI Lifetime Achievement Award
Toshiba Electronics Europe GmbH Ariel LASRY
詳しくはこちら

・公益財団法人 市村清新技術開発財団
第51回市村産業賞 貢献賞

「液体ヘリウムを使用しない冷凍機冷却超電導磁石の開発と実用化」
東芝マテリアル(株) 八木 典章
東芝エネルギーシステムズ(株)と共同受賞
詳しくはこちら

・環境省
環境 人づくり企業大賞2018 大賞(環境大臣賞)

(株)ジャパンセミコンダクター
詳しくはこちら

・環境省
環境 人づくり企業大賞2018 奨励賞

東芝デバイス&ストレージ(株) 姫路半導体工場
詳しくはこちら

・国連生物多様性の10年日本委員会(UNDB-J)
生物多様性アクション大賞2019

「全国の半導体製造拠点で行う地域密着型活動」
東芝デバイス&ストレージ(株)

・国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構
優良事業表彰

「省エネルギー素子用大口径Si基板上高品質GaN成膜技術の開発」
東芝デバイス&ストレージ(株) 須黒 恭一,宮下 直人

・一般社団法人 日本科学技術連盟
第49回 信頼性・保全性シンポジウム 優秀報文賞

「TRE(時間分解エミッション)を用いたIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)アバランシェ降伏時における電流集中現象の観測」
東芝デバイス&ストレージ(株) 遠藤 幸一,瀬戸屋 孝,長峰 真嗣
大阪大学と共同受賞

・公益社団法人 発明協会
令和元年度関東地方発明表彰 発明協会東京優秀賞

「画像パターン認識用特徴量計算装置(特許第5095790号)」
東芝デバイス&ストレージ(株) 西山 学
(株)東芝、キオクシア(株)と共同受賞
詳しくはこちら

2018年

・環境省
環境 人づくり企業大賞2017優秀賞

(株)ジャパンセミコンダクター
詳しくはこちら

・環境省
環境 人づくり企業大賞2017 奨励賞

東芝デバイス&ストレージ(株) 姫路半導体工場
詳しくはこちら

・公益財団法人 電気科学技術奨励会
第 66 回電気科学技術奨励賞

「産業,交通向けを主とした新規パワーデバイスの創出」
東芝デバイス & ストレージ(株) 山口 正一
詳しくはこちら

・公益社団法人 発明協会
平成 30 年度関東地方発明表彰 発明奨励賞

「低損失高信頼性 SiC パワー整流素子( 特許第 5175872 号 )」
東芝デバイス&ストレージ(株) 水上 誠
(株)東芝と共同受賞

・(株)日本経済新聞社
第 45 回日経産業新聞広告賞大賞

事業広告 “The Power of Device & Storage.”
東芝デバイス&ストレージ(株)

詳しくはこちら

2017年

・MIPI® Alliance
2017 MIPI Membership Awards
MIPI Corporate Award
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
詳しくはこちら

・環境省
環境 人づくり企業大賞2016 奨励賞

(株)ジャパンセミコンダクター

研究・技術開発コンテンツ

技術部門トップメッセージ
統括技師長からご挨拶です。
デバイス&ストレージ研究開発センター
半導体とHDDに関する研究開発体制について紹介します。
研究・技術開発分野
当社が取り組む半導体・ストレージに関連する技術について説明します。
技術活動トピックス
当社の技術活動トピックスを紹介します。
テクニカルレビュー
先端技術への取り組みや研究開発成果を紹介します。

※MIPI®は、MIPI Alliance, Inc.の登録商標です。

※社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

別ウインドウにて開きます