テクニカルレビュー

ストレージ製品に求められる情報セキュリティ技術とは？当社がニアラインHDD向けに提供する自己暗号化ドライブ(SED)について紹介します。
*東芝グループサイバーセキュリティ報告書2024から転載

自動車のモビリティーサービスの変革と機能のソフトウェア化が進む中、車載E/Eシステムのサイバーセキュリティ対策の強化は重要となっています。
当社は、パワートレイン、セーフティー、ボディー系等の車載E/Eシステム向け半導体に対して、製品ライフサイクル全体に対するCSMSS(Cyber Security Management System)、SUMS(Software Update Management System)準拠性を担保しています。
*東芝グループサイバーセキュリティ報告書2024から転載

当社は、HDDの大容量、高性能、及び高信頼性のニーズに対応し、新たな面密度改善技術、高速位置決め技術、及びデータ保護技術の適用で、CMR（従来型磁気記録）方式で記憶容量22 Tバイトのニアライン3.5型HDD MG10Fシリーズを製品化しました。
*東芝レビュー 78巻6号（2023年11月）から転載

当社は、エネルギーの効率的な利用など二酸化炭素（CO₂）排出量削減に寄与するデバイス・材料製品を幅広く展開し、それらの性能を継続的に向上させることで2050年までのカーボンニュートラル実現に貢献します。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

当社は、パワーMOSFETの損失低減に取り組んでおり、従来のオン抵抗やゲート電荷量の特性向上だけでなく、ライフタイム制御プロセスの導入による最適化で逆回復特性の大幅な改善を図った150V耐圧及び650V耐圧のパワーMOSFETを開発しました。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

IGBTは、高耐圧かつ低損失を実現可能なデバイスとして、小型の家電機器から大型の電力変換設備まで、様々な用途に適用されています。当社は、IGBTの更なる低損失化へ向け、導通時の損失を低い状態に保ったままスイッチング時の損失を大幅に低減することが可能になるマルチゲート制御技術の開発を進めています。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

SiCは、Siに比べ高耐圧で低損失化が可能なパワー半導体の材料ですが、信頼性上の課題があり、当社は、SiC MOSFETにSBD（ショットキーバリアダイオード）を内蔵することで、SiCの信頼性上の課題を解決しています。第3世代SiC MOSFETでは、デバイス構造を見直し、SBD内蔵による信頼性の向上を図りつつ、MOSFETの性能の向上しました。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

SiCパワー半導体の開発では、TCADシミュレーションモデルが、Siパワー半導体の場合と比べて十分に整備されていない状況にあります。当社は、広い温度範囲にわたって格子間炭素（Ci）とVCの挙動を表すことができる、普遍的なシミュレーションモデルの開発に取り組んでいます。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

当社は、小型で低損失のスイッチングを実現するNチャネルMOSFETゲートドライバー IC TCK42xGシリーズを開発しました。消費電力を抑えながらMOSFETを効率的に動作させる制御機構の採用で、100 Wクラスの電力供給に対しても低損失でのスイッチングを可能にしました。また、超小型パッケージの採用で、電子機器の小型化にも貢献します。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

当社は、マイコン内蔵統合モーターコントロールドライバー（MCD） SmartMCD™シリーズを開発しており、モーターの効率的な制御に必要な様々な機能を1チップ上に集積したことで、ECU基板の小型・軽量化に貢献しています。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載
*SmartMCD™は東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。

デジタルアイソレーターはハイブリッド車（HEV）や電気自動車（EV）のインバーターやバッテリー制御部などで、高電圧部と低電圧部の間の絶縁を確保しつつ、信号を伝送するために用いられる電子部品です。
当社は、インバーターやバッテリー制御部などにおける安定動作に重要な高いコモンモード過渡耐性（CMTI：Common Mode Transient Immunity）、及び高い絶縁信頼性を確保したデジタルアイソレーターの開発に取り組んでいます。

*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

当社は、SDGs（持続可能な開発目標）に配慮した記憶容量20 Tバイトのニアライン3.5型HDD MG10シリーズを開発しました。MG10シリーズには、機構設計、シーク制御設計、及び電気設計を最適化して消費電力を抑える技術を適用しました。
*東芝レビュー 78巻1号（2023年1月）から転載

H. Majima et al., “A 17MHz Wide-band Isolated Current Sensor for D-mode GaN Half-bridge”, Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2021, pp716-717
© Japan Society of Applied Physics

K. Mori et al., "3D integration technology with photosensitive mold for fan-out package", Japanese Journal of Applied Physics,  Volume 60, Number SB, SBBC03, Doi: 10.35848/1347-4065/abeabe
© 2021 The Japan Society of Applied Physics

X. Wang et al., “An Approach to Create Trench Depth Prediction Model”, AEC/APC Symposium Asia 2021, Virtual symposium, 2021

T. Suwa, “2D-TCAD Simulation Study of Capture Layer and Repellent Layer of Current Filament in Trench-Gate IGBTs”, 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Dallas, TX, USA, 2021, pp. 32-35. Doi:10.1109/SISPAD54002.2021.9592570
© 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore(https://ieeexplore.ieee.org/document/9592570)

K. Agawa et al., “Novel Connector Mechanism Using Anisotropic Conductive Rubber for Trillion-Node Engine as an IoT Edge Platform”, 2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego, CA, USA, 2021, pp. 514-519. Doi:10.1109/ECTC32696.2021.00092
© 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore(https://ieeexplore.ieee.org/document/9501793)

SiC MOSFETは優れた特性から次世代のパワーデバイスとして注目されており、SBD内蔵MOSFETも主流になりつつあります。東芝グループは、SBD内蔵SiC MOSFETの新たな等価回路モデルを導出し、電流密度の更なる向上が可能なデバイス構造を設計するための手法を開発しました。
*東芝レビュー 77巻1号（2022年1月）から転載

Y. Iwakaji et al., "Analysis of dependence of dV_CE/dt on turn-off characteristics with a 1200 V double-gate insulated gate bipolar transistor", Japanese Journal of Applied Physics,  Volume 60, Number SB, SBBD02, Doi: 10.35848/1347-4065/abd29f
© 2020 The Japan Society of Applied Physics

GaNを用いたパワー素子は、パワーエレクトロニクス機器の小型化や低損失化を可能にするものとして期待され、特にMOS型GaN素子は、単体でノーマリーオフ動作と高速スイッチングが可能であることから有望視されています。東芝グループは、ゲート部を掘り込んだリセスゲート構造のMOS型GaN素子に対し、チャネル移動度に影響するAlN層の結晶性を選択的に制御するプロセス技術を開発しました。

*東芝レビュー 7５巻6号（2020年11月）から転載

HDDに搭載されるプリント基板には、大容量化に対応する高密度実装技術が求められます。特に、FPC（フレキシブルプリント基板）は外形の制約が厳しい一方で、プリアンプICの多ピン・大型化によって実装の難易度が高くなっています。FPCの商品化に向けた最新技術を、事例とともに紹介します。
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

デジタルデータの爆発的な増大に備えて、更なる高記録密度化が求められるHDD。その次世代技術と位置付けたMAS-MAMR（Microwave Assisted Swiching-MAMR）の実用化に向けた、新たなスピントルク発振素子とは？
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

監視カメラ市場の拡大に伴って、大容量かつ高性能な監視カメラ用HDDの需要が増大しています。市場で求められる性能を、SMR方式で実現するための課題と、これを克服した技術を紹介します。
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

HDDの大容量化をけん引する瓦記録（SMR：Shingled Magnetic Recording）方式。ヘッドの位置決め予測精度を向上させたサーボ技術と、SMR方式の特長を生かした記録済みデータの品質改善技術とは？
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

データの高記録密度化を可能にするエネルギーアシスト記録方式。その実用化の第1段階である、当社独自の磁束制御型マイクロ波アシスト記録（FC-MAMR：Flux Control Microwave-Assisted Magnetic Recording）とは？
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

本格的なデータ社会の到来によって、世界中で生成・収集されるデータ量は指数関数的に増加するとともに、蓄積されたデータの価値もこれまで以上に高くなっています。データ社会の推進に大きく貢献する、大容量HDDの様々な革新的技術をご紹介します。
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

日々生成されるデータは爆発的に増加しています。データ社会支える様々なメモリーデバイス。特にHDDはデータセンターにおける主力のストレージデバイスとなっています。
*東芝レビュー 76巻6号（2021年11月）から転載

自動車業界では、MBD手法を用いたシミュレーションで、システム全体の機能・性能を検証する技術が導入されていますが、高度化及び複雑化する車載システムに対応するため、シミュレーションの高精度化に伴う計算時間の短縮が課題でした。そこで、スイッチング動作によるシステムの熱特性とEMIノイズに用途を定め、高精度かつ高速なシミュレーションを可能にする技術を開発し、MOSFETの選定やスイッチング速度を決定する際に有効であることを確認しました。

*東芝レビュー 76巻5号（2021年9月）から転載

データセンター向けのニアラインHDDの需要が高まる中、サイバー・フィジカル両空間におけるデータストレージソリューションへの要求が多様化し、HDDにおいてはより高記録密度達成のため、データの再生のみならず、記録面でも革新的な新技術が必要になりました。情報爆発に対応するため、記録密度の限界を克服する高信頼性技術が注目されています。

As demand for nearline HDDs for data centers is growing, the requirements for data storage solutions for both cyber and physical spaces are diversifying, making it necessary to develop new innovative technologies for not only reading but also writing data. High-reliability technologies are attracting plenty of attention as a means to overcome the limit to the HDD recording density and thereby solve the information explosion problem.

T. Nishiwaki et al., “Gate drive techniques of Gate-connected Trench Field Plate Power MOSFETs to reduce both switching and conduction losses”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 155-158. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452278 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452278)

T. Ohguro et al., “Stacked chip of Si power device with double side Cu plating for low on-resistance”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 187- 190. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452216 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452216)

K. Kobayashi et al., “Drift Layer Design utilizing Intermediate Boron Ion-implantation for 100-V-class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Improve Switching Loss”, 2021 33^rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 191-194. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452300 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452300)

H. Kono et al., “Improving the specific on-resistance and short-circuit ruggedness tradeoff of 1.2-kV-class SBD-embedded SiC MOSFETs through cell pitch reduction and internal resistance optimization”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 227-230. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452314 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452314)

K. Komatsu et al., “Study of Unique ESD Tolerance Dependence on Backgate Ratio for RESURF LDMOS with Rated Voltage Variation”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 315-318. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452267 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452267)

T. Ohguro et al., “High Performance and Reliable Si Power Devices with double side Cu plate”, 5^th International Electric Vehicle Technology Conference (EVTeC 2021), Online conference, 2021 © Society of Automotive Engineers of Japan, Inc.

H. Kono, T. Iguchi, T. Hirakawa, H. Irifune, T. Kawano, M. Furukawa, K. Sano, M. Yamaguchi,H. Suzuki, and G. Tchouangue, “3.3 kV all SiC MOSFET module with Schottky barrier diode embedded SiC MOSFET”, PCIM Europe Conference 2021, Online, 2021, pp. 914-919.

K. Tomita et al., “Process Optimization of Trench Field Plate Power MOSFETs with Sequential Phosphorus-Doped Silicon”, 2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Tokyo, Japan, 2020, doi: 10.1109/ISSM51728.2020.9377528 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

 (https://ieeexplore.ieee.org/document/9377528)

H. Kato et al., “Quality Control of Trench Field Plate Power MOSFETs by Correlation of Trench Angle and Wafer Warpage”, 2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Tokyo, Japan, 2020, doi: 10.1109/ISSM51728.2020.9377512 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore 

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9377512)

K. Mori et al., “3D Packaging and Integration Technology using Photosensitive Mold”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),Virtual conference, 2020, pp131-132 © Japan Society of Applied Physics

K. Fuse et al., “Analysis of Recovery Oscillation Inhibition for Cathode Design of a 1200 V Silicon Diode Using an LCR Circuit Model”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2020, pp261-262 © Japan Society of Applied Physics

Y. Iwakaji et al., “Analysis of Dependence of dV_CE/dt on Turn-off Characteristics with a 1200 V Double-gate IGBT”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2020, pp257-258 © Japan Society of Applied Physics

T. Suwa, “Investigation of the relationship between current filament movement and local heat generation in IGBTs by using modified avalanche model of TCAD”, 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Kobe, Japan, 2020, pp. 141-144. Doi: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241680 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9241680)

M. Furukawa, H. Kono, K. Sano, M. Yamaguchi, H. Suzuki, T. Misao and G. Tchouangue, “Improved reliability of 1.2kV SiC MOSFET by preventing the intrinsic body diode operation”, PCIM Europe Conference 2020, Germany, 2020

近年、パワーエレクトロニクス分野などのシステム設計では、作成したモデルをベースにシミュレーションを活用するモデルベース開発の手法が注目されています。当社は、従来の素子モデルでは正確な電力効率の予測とEMIノイズの予測を両立させることが難しかったIGBTについて、スイッチング時の動的なキャリアー動作を考慮した新たな素子モデルを開発しました。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

近年、様々なシステムの高度化や高効率化に合わせて、リレーの小型化、高速化、長寿命化、及び低消費電力化を目的として、従来のメカニカルリレーを半導体のフォトリレーで置き換える動きが進んでいます。当社は、チップ積層技術の導入とパッケージ放熱性能の向上により、小型化と定格電流の向上を同時に実現したフォトリレーを製品化しました。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

2020年12月に施行された情報通信・AV機器向けの新安全規格IEC 62368-1は人体への傷害を防ぐための規格であり、その遵守のためには電源ラインの堅牢な保護が重要です。当社は、電源ラインの保護のために従来のヒューズなどに比べて保護性能に優れた電子ヒューズ(eFuse IC)を開発・製品化しました。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

モバイル機器の普及で人と電子機器との接触機会が増加しており、ESD対策の重要性が高まっています。当社は、電子機器をESDから保護して信頼性向上に寄与するTVSダイオードを開発し、高速信号ラインで使用できる低静電容量化と、ESD耐性が脆弱な電子部品の保護性能向上を通じて高速データ通信を支えていきます。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

SiCを材料とするMOSFETは、その優れた性能から将来有望なパワーデバイスとして注目を集めていますが、信頼性の向上が課題でした。当社は、耐圧1.2kvのSiC MOSFETにSBDをpnダイオードと並列に配置し、pnダイオードへの通電を抑制するデバイス構造を開発することにより、信頼性の向上を図ることに成功しました。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

IGBTは家電製品から電力分野の機器まで様々な用途に幅広く使用されており、省エネのキーデバイスとして更なる低損失化が求められています。当社は、家電製品用として数十kHzの周波数で動作する電圧共振用IGBTや、高耐圧で、導通損失低減が可能なIEGTなど、用途に合わせて構造を最適化した製品を開発し、更なる損失低減を実現しました。

*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

5Gサービスの開始による通信量の増大に伴い、基地局の消費電力も飛躍的に増えていきます。当社は、基地局電源の高効率化のため、オン抵抗、ゲート電荷量、及び逆回復電荷量特性を飛躍的に向上させたU-MOSⅩ-H 80 Vプロセス新プロセスを採用したパワーMOSFETを開発しました。また、同構造をベースに150 Vプロセスの製品化も進めています。
*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

当社は、小電力から大電力まで電気エネルギーの変換や応用機器の保護に用いられるディスクリート半導体製品を幅広く展開するとともに、技術開発や製品化に取り組んでいます。先端のディスクリート半導体技術を活用した、電気エネルギーを高効率かつ安定的で安全に取り扱うソリューションの提供を通して、省エネ社会の実現に貢献します。
*東芝レビュー 75巻6号（2020年11月）特集から転載

H. Kasai et al., “Investigation of the Breakdown Voltage Degradation under Carrier Injection in STI-based PchLDMOS Transistors,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 427-430, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020. 9170073 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170073)

M. Oshiro, et al., “Sub-GHZ Phased-Based Ranging System: Implementation and Evaluation,” 2020 IEEE 91st Vehicular Technology Conference (VTC2020-Spring), Antwerp, Belgium, 2020, pp.1-7, doi: 10.1109/VTC2020-Spring48590.2020.9128575 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9128575)

T. Mizoguchi et al., “High Accurate Representation of Turn-on Switching Characteristics by New IGBT and FWD Compact Models for High Power Applications,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 478-481, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9180189 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9170189)

K. Komatsu et al., “Investigating the Highly Tolerant LDMOS Cell Array Design against the Negative Carrier Injection and the ESD Events,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 404-407, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170188 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170188)

D. Yoshikawa et al., “Improvement of Cosmic Ray Robustness in IGBT with Deep-N layer,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 486-489, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170029 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170029)

T. Sugiyama et al., “Stable cascode GaN HEMT operation by direct gate drive,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 22-25, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170130 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170130)

パワーMOSFET を用いたスイッチング電源回路は、意図しないサージ電圧やサージ電流が発生することがあるため、適切なパワーMOSFET の選択には設計ノウハウが必要となる。設計ノウハウの少ないユーザーでも簡単に使用できるユーザーインターフェースを持つ新たなツールとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/46505) 2019年5月7日掲載 同タイトル記事の転載

電気回路の保護に欠かせないヒューズや保護回路は惰性で選定・設計しがちなものだが、近年では考慮すべき条件が複雑になっており変革が必要だ。そうした中で、これからの時代にふさわしい新たな保護デバイスとして期待が高まっている電子ヒューズとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/49520) 2020年9月17日掲載 同タイトル記事の転載

自動車業界の大きな変革が進む中、これまで以上に多くの装備でモーターが使われるようになり、中でもステッピングモーターは細かな角度制御などに適しています。部品点数削減に寄与する車載ステッピングモーター用のドライバーICとは？
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/43837) 2020年1月7日掲載 同タイトル記事の転載

自動車業界の大きな変革が進む中、これまで以上に多くの装備でモーターが使われるようになり、中でもステッピングモーターは細かな角度制御などに適しています。部品点数削減に寄与する車載ステッピングモーター用のドライバーICとは？
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/40497) 2019年9月25日掲載 同タイトル記事の転載

IoT機器用のMCU(マイクロコントローラー)には、ネットワーク接続時のセキュアな通信及び完全性と可用性を両立させるFW(ファームウェア)更新機能が求められています。IoT機器を安全かつ容易にネットワーク接続・管理することができるMCUや、FWの安全な更新を可能にするセキュアFWローテーション技術とは？

*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

東芝グループは、HDD高記録密度化のブレークスルー技術として、記録ヘッドにスピントルク発振素子（STO）を設けて記録媒体への記録能力を向上させる、マイクロ波アシスト磁気記録（MAMR）方式の開発を進めています。
*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

モーターを効率的に駆動させ、その動作を司るモータードライバーは、多くの電気製品に欠かせないデバイスの1つです。近年、40年近い歴史を持つ定番品の1つが生産終了となり、後継品として先進技術を盛り込んだデバイスが新たに登場しました。
*本記事はITメディア社のTechFatoryに掲載されたものです

電子回路に組み込んで使われるマイクロコントローラーやディスクリートなどさまざまな部品を応用した電子機器を設計する技術者にとって、ときに専門でない領域の技術を使いこなさなければならない場面もあるかもしれません。当社が設計者向けに提供するリファレンスデザインについて、その概要を紹介します。
*本記事はITメディア社のTechFatoryに掲載されたものです

近年、膨大な電子情報を保管するデータセンター向け大容量HDDは、情報インフラの発展には欠かせない製品として、需要がますます高まっています。屋根瓦をふくようにデータを記録トラックに重ね書きすることでHDDの大容量化を図る瓦記録(SMR)技術とは？
*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

クラウドサービスの普及により、データセンターなどで大容量HDDの需要が高まり、HDDの高記録密度化と大容量化が加速しています。記憶容量16Ｔバイトという大容量ＨＤＤをCMR(従来型磁気記録)方式で実現した技術とは？
*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

東芝グループは、膨大で貴重なデータを保持するHDDや、それらのデータを処理したり、処理結果を基に機器を制御したりする半導体製品などの開発を通じて、CPSの発展に貢献する様々なソリューションを提供しています
*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

クラウドサービスなどの普及拡大に加え、監視カメラシステムやAIの導入、５G通信を活用したエッジコンピューティングに伴い、生成されるデータ量は加速度的に増加しています。当社は、TDMR技術を適用してCMR方式でHDDの大容量化を実現しました。

IoTやビッグデータ、クラウドサービスなどの普及拡大に伴い、生成されるデータ量は加速度的に増加しています。当社は、ヘリウム充填と高密度実装設計で9枚のディスクを搭載したHDDを開発しました。

データセンターでは、省エネのためにファンモーターの駆動効率の向上が求められています。冷却ファンの高効率駆動とモーター回転制御基板の省スペース化を実現するモータードライバーICとは？
*東芝レビュー 74巻6号（2019年11月）特集１から転載

先進運転支援システム(ADAS)では、深層畳み込みニューラルネットワーク(DCNN)処理を適用した認識・識別技術が注目されています。DCNN処理を効率的に実行する車載向けハードウェアアクセラレーター(HWA)とは？
*東芝レビュー 74巻5号（2019年9月）特集から転載

T. Suwa et al., “Investigation of TCAD Calibration for Saturation and Tail Current of 6.5kV IGBTs”, 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Udine, Italy, 2019, pp. 101-104. Doi: 10.1109/SISPAD.2019.8870514 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/8870514)

車載機器の高機能化が進む中で求められる高い品質レベル。ゼロディフェクトを実現するための技術、取り組みとは？
*東芝レビュー 73巻6号（2018年11月）特集１から転載

電子制御ユニット(ECU)の信頼性を高め、開発の手戻りを防ぐための、アナログICやパワーMOSFETの電磁両立性(EMC)・熱設計フロントローディング技術とは？
*東芝レビュー 73巻6号（2018年11月）特集１から転載

ADASや自動運転の推進に伴って進歩していく電動式パワーステアリングシステム（EPS）を支えるパワーMOSFETとは？
*東芝レビュー73巻6号（2018年11月）特集１から転載

自動車への環境規制強化によりエコカーの開発が加速していることから、電池監視システム（BMS）の性能向上に寄与するフォトカプラーやフォトリレー、MOSFETなどの製品化を推進しています。
*東芝レビュー73巻6号（2018年11月）特集１から転載

モーター制御マイコンTMPM4Kシリーズは、処理速度の向上による高性能化と部品点数削減による低コスト化に貢献します。

*東芝レビュー74巻1号（2019年1月）から転載

K. Kobayashi et al., "100-V Class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Achieve Optimum RESURF Effect and Ultralow On-resistance," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 99-102. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757615 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757615)

T. Nishiwaki et al., "Alpha-Particle Shielding Effect of Thick Copper Plating Film on Power MOSFETs," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 91-94. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757695 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757695)

H. Kobayashi et al., "Cu Double Side Plating Technology for High Performance and Reliable Si Power Devices," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 515-518. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757691 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757691)

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Inter-Frame Smart-Accumulation Technique for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR," 2019 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, Japan, 2019, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2019.8721340 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8721340)

K. Komatsu et al., "Design Method and Mechanism Study of LDMOS to Conquer Stress Induced Degradation of Leakage Current and HTRB Reliability," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 363-366.　doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757670 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757670)

T. Mizoguchi, Y. Sakiyama, N. Tsukamoto and W. Saito, "High Accurate IGBT/IEGT Compact Modeling for Prediction of Power Efficiency and EMI Noise," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 307-310　doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757656 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757656)

半導体リレー化の市場ニーズに対応し、パワーMOSFETとパワーMOSFETのゲートのオン／オフ状態を制御するための制御ICを製品化するとともに、次世代製品の開発を進めています。
*東芝レビュー73巻6号（2018年11月）から転載

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）委託事業である「トリリオンノード・エンジンの研究開発」を受けて、様々な機能をもったリーフを開発、実用性や信頼性について検証を進めています

エコカーの普及により車載用半導体にも低消費電力化が求められています。当社のBluetooth LE対応IC、リニアーパワーアンプは車載システムの小型化に貢献しています。
*東芝レビュー 73巻６号（2018年11月）特集１から転載

回路部品の混載技術と部品の放熱対策が重要な車載向けパッケージにおいて、パッケージ設計の最適化を図るとともに、電流・温度検出技術の採用によりパワー素子とコントローラーを1チップ化したモノリシックICやSiPなどの製品を開発しています
*東芝レビュー 73巻６号（2018年11月）特集１から転載

自動車の安全運転を支援するセンシング技術において技術革新が進んでいます。当社は、画像認識プロセッサーVisconti™において、人工知能技術DNN-IPの開発にも取り組んでいます。
*東芝レビュー 73巻６号（2018年11月）特集１から転載
※Visconti™ は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。

IoT向けセンサノードのカスタマイズ性を容易に確保するプラットフォームとして、モジュール基盤を複数組み合わせるシステムと、モジュール基板の接続に小型ゴムコネクタの使用を検討しています
＊本論文は第28回マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES2018)で発表したものであり、著作権はエレクトロニクス実装学会に帰属しています

Y. Yamada et al., "7.2 A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications," 2019 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, USA, 2019, pp. 132-134. doi: 10.1109/ISSCC.2019.8662459Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8662459)

東芝グループはスマート社会の安心・安全を支えるためのセキュリティ製品において数多くの実績を上げています。セキュリティ技術への取り組み、試作を通じた性能評価などについて紹介します

自動車の次世代トレンドCASE（Connected, Automonous, Shared, Electric)に適した、車載用半導体の技術開発を推進しています
*東芝レビュー 73巻６号（2018年11月）特集１から転載

T. Sugiyama et al., "Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs," 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingame, CA, 2018, pp. 3B.4-1-3B.4-5. doi: 10.1109/IRPS.2018.8353559Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8353559)

H. Yamashita et al., "Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 32-35. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393595Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8393595)

W. Saito, "Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 36-39. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393596Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8393596)

高性能化、高集積化、小型化が進むIoT・車載機器等の製品において、ECE R10の法制化を背景にEMC試験の重要性が高まっています。

製品の小型化、高速化、低電圧化の流れから半導体レベルでのEMC性能が要求されるようになりました。IEC 62433-2、IEC 62433-4で規定されたモデル構造とその抽出方法を提案します

K. Yoshioka et al., "A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique," 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, 2018, pp. 92-94. doi: 10.1109/ISSCC.2018.8310199Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8310199)

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR," 2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, 2018, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2018.8373079 Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8373079)

MOT制御技術とCCMS制御技術を搭載したIoT 機器向けSIMO型DC-DCコンバーターにおいて、広い負荷電力範囲における高い変換効率を達成しました
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

当社のパワーマネジメントモーターコントロールドライバーIC（PMMCD)は、周辺部品サイズの縮小や個数削減につながる機能を組み込んでいます
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

cSSD向けパワーマネジメントICは、小型のWCSP（Wafer-Level Chip Scale Package）を採用することで、パッケージ面積や消費電力を大幅に削減することが可能になりました
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

エネルギー効率の飛躍的な改善が見込めるSiC、GaN等のワイドバンドギャップ半導体において、疑似ノーマリーオフタイプとMOSタイプの素子開発を推進しています
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

世界中で実用化が進む高圧直流送電（HVDC）に適した　IEGT素子を用いた圧接型IEGTを製品化しました
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

モバイル機器の高性能化に貢献するLDOレギュレーターで、低消費電力だけでなく、優れたノイズ除去性能及び負荷過渡応答特性を実現しました
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載

電力需要の増加に対応しつつ省エネ化を図るため、モバイル･車載･産業用から電力変換用まで、多岐にわたる分野のIC及びパワーデバイスの開発を推進しています
*東芝レビュー 72巻5号（2017年11月）特集１から転載