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テクニカルレビュー

東芝デバイス&ストレージ株式会社は、受け継がれてきた技術力をもとに、社会的課題を解決し、豊かな未来を創造する半導体・ストレージ技術の研究・開発に取り組んでいます

全ファイルリスト(89件)

A 17MHz Wide-band Isolated Current Sensor for D-mode GaN Half-bridge
学会論文

H. Majima et al., “A 17MHz Wide-band Isolated Current Sensor for D-mode GaN Half-bridge”, Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2021, pp716-717
© Japan Society of Applied Physics

2022年09月
ストレージ製品へのセキュリティ機能の実装
報告書

ストレージ製品に求められる情報セキュリティ技術とは?当社がニアラインHDD向けに提供する自己暗号化ドライブ(SED)について紹介します。
*東芝グループサイバーセキュリティ報告書2022から転載

2022年09月
An Approach to Create Trench Depth Prediction Model
学会論文

X. Wang et al., “An Approach to Create Trench Depth Prediction Model”, AEC/APC Symposium Asia 2021, Virtual symposium, 2021

2022年03月
2D-TCAD Simulation Study of Capture Layer and Repellent Layer of Current Filament in Trench-Gate IGBTs
学会論文

T. Suwa, “2D-TCAD Simulation Study of Capture Layer and Repellent Layer of Current Filament in Trench-Gate IGBTs”, 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Dallas, TX, USA, 2021, pp. 32-35. Doi:10.1109/SISPAD54002.2021.9592570
© 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore(https://ieeexplore.ieee.org/document/9592570)

2022年03月
Novel Connector Mechanism Using Anisotropic Conductive Rubber for Trillion-Node Engine as an IoT Edge Platform
学会論文

K. Agawa et al., “Novel Connector Mechanism Using Anisotropic Conductive Rubber for Trillion-Node Engine as an IoT Edge Platform”, 2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC), San Diego, CA, USA, 2021, pp. 514-519. Doi:10.1109/ECTC32696.2021.00092
© 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore(https://ieeexplore.ieee.org/document/9501793)

2022年03月
高チャネル移動度と高信頼性を両立させたMOS型GaN素子を実現するプロセス技術
東芝レビュー

GaNを用いたパワー素子は、パワーエレクトロニクス機器の小型化や低損失化を可能にするものとして期待され、特にMOS型GaN素子は、単体でノーマリーオフ動作と高速スイッチングが可能であることから有望視されています。東芝グループは、ゲート部を掘り込んだリセスゲート構造のMOS型GaN素子に対し、チャネル移動度に影響するAlN層の結晶性を選択的に制御するプロセス技術を開発しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)から転載

2021年11月
車載用パワー半導体の高速・高精度な熱・ノイズシミュレーション技術
東芝レビュー

自動車業界では、MBD手法を用いたシミュレーションで、システム全体の機能・性能を検証する技術が導入されていますが、高度化及び複雑化する車載システムに対応するため、シミュレーションの高精度化に伴う計算時間の短縮が課題でした。そこで、スイッチング動作によるシステムの熱特性とEMIノイズに用途を定め、高精度かつ高速なシミュレーションを可能にする技術を開発し、MOSFETの選定やスイッチング速度を決定する際に有効であることを確認しました。

*東芝レビュー 76巻5号(2021年9月)から転載

2021年10月
信頼性の高いFC-MAMRを採用 18TB大容量を実現したニアラインHDD登場
ホワイトペーパー

データセンター向けのニアラインHDDの需要が高まる中、サイバー・フィジカル両空間におけるデータストレージソリューションへの要求が多様化し、HDDにおいてはより高記録密度達成のため、データの再生のみならず、記録面でも革新的な新技術が必要になりました。情報爆発に対応するため、記録密度の限界を克服する高信頼性技術が注目されています。

2021年10月
High-Speed, High-Accuracy Simulation Technique to Evaluate Thermal Performance and EMI Noise of Automotive Power Semiconductors
Toshiba Review

With the increasing use of electronic components, the introduction of simulation technologies using MBD methods to verify the functions and performance of overall systems has been rapidly expanding in order to efficiently develop in-vehicle systems. We have developed the technique focusing on the evaluation of thermal performance and EMI noise in switching operations and confirmed the effectiveness of this approach using the technique when selecting an optimal MOSFET device and switching speed.

* Toshiba Review (Vol.76, No.5, September 2021)

2021年10月
High-Reliability FC-MAMR Nearline HDD with a Capacity of 18 TB
White Papers

As demand for nearline HDDs for data centers is growing, the requirements for data storage solutions for both cyber and physical spaces are diversifying, making it necessary to develop new innovative technologies for not only reading but also writing data. High-reliability technologies are attracting plenty of attention as a means to overcome the limit to the HDD recording density and thereby solve the information explosion problem.

2021年10月
Gate drive techniques of Gate-connected Trench Field Plate Power MOSFETs to reduce both switching and conduction losses
学会論文

T. Nishiwaki et al., “Gate drive techniques of Gate-connected Trench Field Plate Power MOSFETs to reduce both switching and conduction losses”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 155-158. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452278 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452278)

2021年09月
Stacked chip of Si power device with double side Cu plating for low on-resistance
学会論文

T. Ohguro et al., “Stacked chip of Si power device with double side Cu plating for low on-resistance”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 187- 190. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452216 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452216)

2021年09月
Drift Layer Design utilizing Intermediate Boron Ion-implantation for 100-V-class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Improve Switching Loss
学会論文

K. Kobayashi et al., “Drift Layer Design utilizing Intermediate Boron Ion-implantation for 100-V-class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Improve Switching Loss”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 191-194. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452300 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452300)

2021年09月
Improving the specific on-resistance and short-circuit ruggedness tradeoff of 1.2-kV-class SBD-embedded SiC MOSFETs through cell pitch reduction and internal resistance optimization
学会論文

H. Kono et al., “Improving the specific on-resistance and short-circuit ruggedness tradeoff of 1.2-kV-class SBD-embedded SiC MOSFETs through cell pitch reduction and internal resistance optimization”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 227-230. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452314 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452314)

2021年09月
Study of Unique ESD Tolerance Dependence on Backgate Ratio for RESURF LDMOS with Rated Voltage Variation
学会論文

K. Komatsu et al., “Study of Unique ESD Tolerance Dependence on Backgate Ratio for RESURF LDMOS with Rated Voltage Variation”, 2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Nagoya, Japan, 2021, pp. 315-318. Doi: 10.23919/ISPSD50666.2021.9452267 © 2021 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9452267)

2021年09月
High Performance and Reliable Si Power Devices with double side Cu plate
学会論文

T. Ohguro et al., “High Performance and Reliable Si Power Devices with double side Cu plate”, 5th International Electric Vehicle Technology Conference (EVTeC 2021), Online conference, 2021 © Society of Automotive Engineers of Japan, Inc.

2021年09月
3.3 kV all SiC MOSFET module with Schottky barrier diode embedded SiC MOSFET
学会論文

H. Kono, T. Iguchi, T. Hirakawa, H. Irifune, T. Kawano, M. Furukawa, K. Sano, M. Yamaguchi,H. Suzuki, and G. Tchouangue, “3.3 kV all SiC MOSFET module with Schottky barrier diode embedded SiC MOSFET”, PCIM Europe Conference 2021, Online, 2021, pp. 914-919.

2021年09月
Process Optimization of Trench Field Plate Power MOSFETs with Sequential Phosphorus-Doped Silicon
学会論文

K. Tomita et al., “Process Optimization of Trench Field Plate Power MOSFETs with Sequential Phosphorus-Doped Silicon”, 2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Tokyo, Japan, 2020, doi: 10.1109/ISSM51728.2020.9377528 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

 (https://ieeexplore.ieee.org/document/9377528)

2021年07月
Quality Control of Trench Field Plate Power MOSFETs by Correlation of Trench Angle and Wafer Warpage
学会論文

H. Kato et al., “Quality Control of Trench Field Plate Power MOSFETs by Correlation of Trench Angle and Wafer Warpage”, 2020 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Tokyo, Japan, 2020, doi: 10.1109/ISSM51728.2020.9377512 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore 

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9377512)

2021年07月
3D Packaging and Integration Technology using Photosensitive Mold
学会論文

K. Mori et al., “3D Packaging and Integration Technology using Photosensitive Mold”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),Virtual conference, 2020, pp131-132 © Japan Society of Applied Physics

2021年06月
Analysis of Recovery Oscillation Inhibition for Cathode Design of a 1200 V Silicon Diode Using an LCR Circuit Model
学会論文

K. Fuse et al., “Analysis of Recovery Oscillation Inhibition for Cathode Design of a 1200 V Silicon Diode Using an LCR Circuit Model”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2020, pp261-262 © Japan Society of Applied Physics

2021年06月
Analysis of Dependence of dVCE/dt on Turn-off Characteristics with a 1200 V Double-gate IGBT
学会論文

Y. Iwakaji et al., “Analysis of Dependence of dVCE/dt on Turn-off Characteristics with a 1200 V Double-gate IGBT”, Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Virtual conference, 2020, pp257-258 © Japan Society of Applied Physics

2021年06月
Investigation of the relationship between current filament movement and local heat generation in IGBTs by using modified avalanche model of TCAD
学会論文

T. Suwa, “Investigation of the relationship between current filament movement and local heat generation in IGBTs by using modified avalanche model of TCAD”, 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Kobe, Japan, 2020, pp. 141-144. Doi: 10.23919/SISPAD49475.2020.9241680 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9241680)

2021年05月
Improved reliability of 1.2kV SiC MOSFET by preventing the intrinsic body diode operation
学会論文

M. Furukawa, H. Kono, K. Sano, M. Yamaguchi, H. Suzuki, T. Misao and G. Tchouangue, “Improved reliability of 1.2kV SiC MOSFET by preventing the intrinsic body diode operation”, PCIM Europe Conference 2020, Germany, 2020

2021年05月
高精度なモデルベース開発を実現するIGBT素子モデル
東芝レビュー

近年、パワーエレクトロニクス分野などのシステム設計では、作成したモデルをベースにシミュレーションを活用するモデルベース開発の手法が注目されています。当社は、従来の素子モデルでは正確な電力効率の予測とEMIノイズの予測を両立させることが難しかったIGBTについて、スイッチング時の動的なキャリアー動作を考慮した新たな素子モデルを開発しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
チップ積層によるフォトリレー小型化技術
東芝レビュー

近年、様々なシステムの高度化や高効率化に合わせて、リレーの小型化、高速化、長寿命化、及び低消費電力化を目的として、従来のメカニカルリレーを半導体のフォトリレーで置き換える動きが進んでいます。当社は、チップ積層技術の導入とパッケージ放熱性能の向上により、小型化と定格電流の向上を同時に実現したフォトリレーを製品化しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
IEC 62368-1に対応し電源ラインの堅牢な保護が可能なeFuse IC
東芝レビュー

2020年12月に施行された情報通信・AV機器向けの新安全規格IEC 62368-1は人体への傷害を防ぐための規格であり、その遵守のためには電源ラインの堅牢な保護が重要です。当社は、電源ラインの保護のために従来のヒューズなどに比べて保護性能に優れた電子ヒューズ(eFuse IC)を開発・製品化しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
高速データ通信を支える低静電容量TVSダイオード
東芝レビュー

モバイル機器の普及で人と電子機器との接触機会が増加しており、ESD対策の重要性が高まっています。当社は、電子機器をESDから保護して信頼性向上に寄与するTVSダイオードを開発し、高速信号ラインで使用できる低静電容量化と、ESD耐性が脆弱な電子部品の保護性能向上を通じて高速データ通信を支えていきます。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
SBD内蔵で信頼性を向上させた1.2 kV SiC MOSFET
東芝レビュー

SiCを材料とするMOSFETは、その優れた性能から将来有望なパワーデバイスとして注目を集めていますが、信頼性の向上が課題でした。当社は、耐圧1.2kvのSiC MOSFETにSBDをpnダイオードと並列に配置し、pnダイオードへの通電を抑制するデバイス構造を開発することにより、信頼性の向上を図ることに成功しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
家電製品から送配電機器まで省エネに貢献するIGBT
東芝レビュー

IGBTは家電製品から電力分野の機器まで様々な用途に幅広く使用されており、省エネのキーデバイスとして更なる低損失化が求められています。当社は、家電製品用として数十kHzの周波数で動作する電圧共振用IGBTや、高耐圧で、導通損失低減が可能なIEGTなど、用途に合わせて構造を最適化した製品を開発し、更なる損失低減を実現しました。

*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
次世代大容量通信用電源向け 低耐圧パワーMOSFET技術
東芝レビュー

5Gサービスの開始による通信量の増大に伴い、基地局の消費電力も飛躍的に増えていきます。当社は、基地局電源の高効率化のため、オン抵抗、ゲート電荷量、及び逆回復電荷量特性を飛躍的に向上させたU-MOSⅩ-H 80 Vプロセス新プロセスを採用したパワーMOSFETを開発しました。また、同構造をベースに150 Vプロセスの製品化も進めています。
*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
ディスクリート半導体技術の最新動向と展望
東芝レビュー

当社は、小電力から大電力まで電気エネルギーの変換や応用機器の保護に用いられるディスクリート半導体製品を幅広く展開するとともに、技術開発や製品化に取り組んでいます。先端のディスクリート半導体技術を活用した、電気エネルギーを高効率かつ安定的で安全に取り扱うソリューションの提供を通して、省エネ社会の実現に貢献します。
*東芝レビュー 75巻6号(2020年11月)特集から転載

2021年02月
Investigation of the Breakdown Voltage Degradation under Hot-Carrier Injection in STI-based PchLDMOS Transistors
学会論文

H. Kasai et al., “Investigation of the Breakdown Voltage Degradation under Carrier Injection in STI-based PchLDMOS Transistors,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 427-430, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020. 9170073 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170073)

2021年01月
Sub-GHz Phase-Based Ranging System: Implementation and Evaluation
学会論文

M. Oshiro, et al., “Sub-GHZ Phased-Based Ranging System: Implementation and Evaluation,” 2020 IEEE 91st Vehicular Technology Conference (VTC2020-Spring), Antwerp, Belgium, 2020, pp.1-7, doi: 10.1109/VTC2020-Spring48590.2020.9128575 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9128575)

2021年01月
High Accurate Representation of Turn-on Switching Characteristics by New IGBT and FWD Compact Models for High Power Applications
学会論文

T. Mizoguchi et al., “High Accurate Representation of Turn-on Switching Characteristics by New IGBT and FWD Compact Models for High Power Applications,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 478-481, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9180189 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/9170189)

2020年12月
Investigating the Highly Tolerant LDMOS Cell Array Design against the Negative Carrier Injection and the ESD Events
学会論文

K. Komatsu et al., “Investigating the Highly Tolerant LDMOS Cell Array Design against the Negative Carrier Injection and the ESD Events,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 404-407, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170188 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170188)

2020年12月
Improvement of Cosmic Ray Robustness in IGBT with Deep-N layer
学会論文

D. Yoshikawa et al., “Improvement of Cosmic Ray Robustness in IGBT with Deep-N layer,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 486-489, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170029 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170029)

2020年12月
Stable cascode GaN HEMT operation by direct gate drive
学会論文

T. Sugiyama et al., “Stable cascode GaN HEMT operation by direct gate drive,” 2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Vienna, Austria, 2020, pp. 22-25, doi: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170130 © 2020 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/9170130)

2020年12月
効率的な設計を支援する電源回路ライブラリー登場
特集記事

パワーMOSFET を用いたスイッチング電源回路は、意図しないサージ電圧やサージ電流が発生することがあるため、適切なパワーMOSFET の選択には設計ノウハウが必要となる。設計ノウハウの少ないユーザーでも簡単に使用できるユーザーインターフェースを持つ新たなツールとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/46505) 2019年5月7日掲載 同タイトル記事の転載

2020年11月
電気回路を高速・高精度で保護 繰り返し使用可能な電子ヒューズ
特集記事

電気回路の保護に欠かせないヒューズや保護回路は惰性で選定・設計しがちなものだが、近年では考慮すべき条件が複雑になっており変革が必要だ。そうした中で、これからの時代にふさわしい新たな保護デバイスとして期待が高まっている電子ヒューズとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/49520) 2020年9月17日掲載 同タイトル記事の転載

2020年11月
自動車開発における効率化と部品削減を実現する最新ステッピングモータードライバーIC
特集記事

自動車業界の大きな変革が進む中、これまで以上に多くの装備でモーターが使われるようになり、中でもステッピングモーターは細かな角度制御などに適しています。部品点数削減に寄与する車載ステッピングモーター用のドライバーICとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/43837) 2020年1月7日掲載 同タイトル記事の転載

2020年08月
IoTデバイスの小型化、省電力に寄与 低コスト、低ノイズオペアンプ
特集記事

自動車業界の大きな変革が進む中、これまで以上に多くの装備でモーターが使われるようになり、中でもステッピングモーターは細かな角度制御などに適しています。部品点数削減に寄与する車載ステッピングモーター用のドライバーICとは?
*本記事はアイティメディア株式会社のTech Factory (https://wp.techfactory.itmedia.co.jp/contents/40497) 2019年9月25日掲載 同タイトル記事の転載

2020年08月
CPSのセキュリティーを確保するセキュアMCUプラットフォーム技術
東芝レビュー

IoT機器用のMCU(マイクロコントローラー)には、ネットワーク接続時のセキュアな通信及び完全性と可用性を両立させるFW(ファームウェア)更新機能が求められています。IoT機器を安全かつ容易にネットワーク接続・管理することができるMCUや、FWの安全な更新を可能にするセキュアFWローテーション技術とは?

*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年08月
HDDの高記録密度化を可能にするマイクロ波アシスト磁気記録技術
東芝レビュー

東芝グループは、HDD高記録密度化のブレークスルー技術として、記録ヘッドにスピントルク発振素子(STO)を設けて記録媒体への記録能力を向上させる、マイクロ波アシスト磁気記録(MAMR)方式の開発を進めています。
*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年07月
数十年の定番モータードライバーICをリニューアル 低電圧・省エネ性能を強化し表面実装にも対応
特集記事

モーターを効率的に駆動させ、その動作を司るモータードライバーは、多くの電気製品に欠かせないデバイスの1つです。近年、40年近い歴史を持つ定番品の1つが生産終了となり、後継品として先進技術を盛り込んだデバイスが新たに登場しました。
*本記事はITメディア社のTechFatoryに掲載されたものです

2020年05月
メーカーが提供する充実のリファレンスデザインが技術者の設計業務を支援する
特集記事

電子回路に組み込んで使われるマイクロコントローラーやディスクリートなどさまざまな部品を応用した電子機器を設計する技術者にとって、ときに専門でない領域の技術を使いこなさなければならない場面もあるかもしれません。当社が設計者向けに提供するリファレンスデザインについて、その概要を紹介します。
*本記事はITメディア社のTechFatoryに掲載されたものです

2020年05月
瓦記録技術を適用したデータセンター向け大容量HDD
東芝レビュー

近年、膨大な電子情報を保管するデータセンター向け大容量HDDは、情報インフラの発展には欠かせない製品として、需要がますます高まっています。屋根瓦をふくようにデータを記録トラックに重ね書きすることでHDDの大容量化を図る瓦記録(SMR)技術とは?
*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年04月
TDMR技術を適用してCMR方式で業界最大の記憶容量16 Tバイトを実現したニアライン向け3.5型HDD
東芝レビュー

クラウドサービスの普及により、データセンターなどで大容量HDDの需要が高まり、HDDの高記録密度化と大容量化が加速しています。記憶容量16Tバイトという大容量HDDをCMR(従来型磁気記録)方式で実現した技術とは?
*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年04月
CPSを支えるストレージ・半導体技術における東芝グループの最新動向
東芝レビュー

東芝グループは、膨大で貴重なデータを保持するHDDや、それらのデータを処理したり、処理結果を基に機器を制御したりする半導体製品などの開発を通じて、CPSの発展に貢献する様々なソリューションを提供しています
*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年04月
大容量16TBニアラインHDDを市場に投入TDMR導入によりCMR方式で大容量化を実現
ホワイトペーパー

クラウドサービスなどの普及拡大に加え、監視カメラシステムやAIの導入、5G通信を活用したエッジコンピューティングに伴い、生成されるデータ量は加速度的に増加しています。当社は、TDMR技術を適用してCMR方式でHDDの大容量化を実現しました。

2020年03月
世界最大クラスの14TBニアラインHDDを 他社に先駆けて市場に投入
ホワイトペーパー

IoTやビッグデータ、クラウドサービスなどの普及拡大に伴い、生成されるデータ量は加速度的に増加しています。当社は、ヘリウム充填と高密度実装設計で9枚のディスクを搭載したHDDを開発しました。

2020年03月
冷却ファンの高効率駆動を実現するブラシレスDCモーター制御技術
東芝レビュー

データセンターでは、省エネのためにファンモーターの駆動効率の向上が求められています。冷却ファンの高効率駆動とモーター回転制御基板の省スペース化を実現するモータードライバーICとは?
*東芝レビュー 74巻6号(2019年11月)特集1から転載

2020年03月
高精度かつ高度なADASの構築に貢献する車載向け低消費電力DCNNハードウェアアクセラレーター
東芝レビュー

先進運転支援システム(ADAS)では、深層畳み込みニューラルネットワーク(DCNN)処理を適用した認識・識別技術が注目されています。DCNN処理を効率的に実行する車載向けハードウェアアクセラレーター(HWA)とは?
*東芝レビュー 74巻5号(2019年9月)特集から転載

2020年03月
ストレージ製品へのセキュリティ機能の実装
報告書

ストレージ製品に求められる情報セキュリティ技術とは?当社が提供する自己暗号化ドライブ(SED)について紹介します。
*東芝グループサイバーセキュリティ報告書2019から転載

2020年02月
Investigation of TCAD Calibration for Saturation and Tail Current of 6.5kV IGBTs
学会論文

T. Suwa et al., “Investigation of TCAD Calibration for Saturation and Tail Current of 6.5kV IGBTs”, 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Udine, Italy, 2019, pp. 101-104. Doi: 10.1109/SISPAD.2019.8870514 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore

(https://ieeexplore.ieee.org/document/8870514)

2020年02月
車載用半導体製品の品質を作りこむ信頼性・解析技術
東芝レビュー

車載機器の高機能化が進む中で求められる高い品質レベル。ゼロディフェクトを実現するための技術、取り組みとは?
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年12月
車載用半導体製品の信頼性を高めるEMC・熱設計フロントローディング技術
東芝レビュー

電子制御ユニット(ECU)の信頼性を高め、開発の手戻りを防ぐための、アナログICやパワーMOSFETの電磁両立性(EMC)・熱設計フロントローディング技術とは?
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年12月
電動式パワーステアリングシステムの小型化を可能にする半導体技術
東芝レビュー

ADASや自動運転の推進に伴って進歩していく電動式パワーステアリングシステム(EPS)を支えるパワーMOSFETとは?
*東芝レビュー73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年11月
エコカー用の電池監視システムの性能向上に寄与する半導体デバイス技術
東芝レビュー

自動車への環境規制強化によりエコカーの開発が加速していることから、電池監視システム(BMS)の性能向上に寄与するフォトカプラーやフォトリレー、MOSFETなどの製品化を推進しています。
*東芝レビュー73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年11月
PMSM駆動システムの高性能・低コスト化に貢献するモーター制御マイコンTMPM4K
東芝レビュー

モーター制御マイコンTMPM4Kシリーズは、処理速度の向上による高性能化と部品点数削減による低コスト化に貢献します。

*東芝レビュー74巻1号(2019年1月)から転載

2019年08月
100-V Class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Achieve Optimum RESURF Effect and Ultralow On-resistance
学会論文

K. Kobayashi et al., "100-V Class Two-step-oxide Field-Plate Trench MOSFET to Achieve Optimum RESURF Effect and Ultralow On-resistance," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 99-102. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757615 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757615)

2019年08月
Alpha-Particle Shielding Effect of Thick Copper Plating Film on Power MOSFETs
学会論文

T. Nishiwaki et al., "Alpha-Particle Shielding Effect of Thick Copper Plating Film on Power MOSFETs," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 91-94. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757695 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757695)

2019年08月
Cu Double Side Plating Technology for High Performance and Reliable Si Power Devices
学会論文

H. Kobayashi et al., "Cu Double Side Plating Technology for High Performance and Reliable Si Power Devices," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 515-518. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757691 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757691)

2019年08月
Inter-Frame Smart-Accumulation Technique for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR
学会論文

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Inter-Frame Smart-Accumulation Technique for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR," 2019 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, Japan, 2019, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2019.8721340 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8721340)

2019年07月
Design Method and Mechanism Study of LDMOS to Conquer Stress Induced Degradation of Leakage Current and HTRB Reliability
学会論文

K. Komatsu et al., "Design Method and Mechanism Study of LDMOS to Conquer Stress Induced Degradation of Leakage Current and HTRB Reliability," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 363-366. doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757670 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757670)

2019年07月
High Accurate IGBT/IEGT Compact Modeling for Prediction of Power Efficiency and EMI Noise
学会論文

T. Mizoguchi, Y. Sakiyama, N. Tsukamoto and W. Saito, "High Accurate IGBT/IEGT Compact Modeling for Prediction of Power Efficiency and EMI Noise," 2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Shanghai, China, 2019, pp. 307-310 doi: 10.1109/ISPSD.2019.8757656 Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8757656)

2019年07月
車載機器の小型・軽量化を可能にする半導体リレー用パワーデバイス技術
東芝レビュー

半導体リレー化の市場ニーズに対応し、パワーMOSFETとパワーMOSFETのゲートのオン/オフ状態を制御するための制御ICを製品化するとともに、次世代製品の開発を進めています。
*東芝レビュー73巻6号(2018年11月)から転載

2019年07月
IoT エッジプラットフォーム”トリリオンノード・エンジン”プロジェクト
技術・ 研究報告

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)委託事業である「トリリオンノード・エンジンの研究開発」を受けて、様々な機能をもったリーフを開発、実用性や信頼性について検証を進めています

2019年05月
車載用無線通信ICとオーディオパワーアンプの低消費電力化技術
東芝レビュー

エコカーの普及により車載用半導体にも低消費電力化が求められています。当社のBluetooth LE対応IC、リニアーパワーアンプは車載システムの小型化に貢献しています。
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年05月
車載用モーターシステムの小型化に貢献するドライバー混載IC技術
東芝レビュー

回路部品の混載技術と部品の放熱対策が重要な車載向けパッケージにおいて、パッケージ設計の最適化を図るとともに、電流・温度検出技術の採用によりパワー素子とコントローラーを1チップ化したモノリシックICやSiPなどの製品を開発しています
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年05月
自動車の安全運転を可能にするセンシング技術
東芝レビュー

自動車の安全運転を支援するセンシング技術において技術革新が進んでいます。当社は、画像認識プロセッサーVisconti™において、人工知能技術DNN-IPの開発にも取り組んでいます。
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載
※Visconti™ は、東芝デバイス&ストレージ株式会社の商標です。

2019年05月
IoT エッジプラットフォーム”トリリオンノード・エンジン”におけるゴムコネクタ接続構造の研究
学会論文

IoT向けセンサノードのカスタマイズ性を容易に確保するプラットフォームとして、モジュール基盤を複数組み合わせるシステムと、モジュール基板の接続に小型ゴムコネクタの使用を検討しています
*本論文は第28回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2018)で発表したものであり、著作権はエレクトロニクス実装学会に帰属しています

2019年05月
A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications
学会論文

Y. Yamada et al., "7.2 A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications," 2019 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, USA, 2019, pp. 132-134. doi: 10.1109/ISSCC.2019.8662459Ⓒ2019 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8662459)

2019年03月
もうひとつのサイバーセキュリティ戦場
学会論文

東芝グループはスマート社会の安心・安全を支えるためのセキュリティ製品において数多くの実績を上げています。セキュリティ技術への取り組み、試作を通じた性能評価などについて紹介します

2019年03月
次世代の自動車のトレンド CASEに適した東芝の車載用半導体技術
東芝レビュー

自動車の次世代トレンドCASE(Connected, Automonous, Shared, Electric)に適した、車載用半導体の技術開発を推進しています
*東芝レビュー 73巻6号(2018年11月)特集1から転載

2019年02月
Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs
学会論文

T. Sugiyama et al., "Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs," 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingame, CA, 2018, pp. 3B.4-1-3B.4-5. doi: 10.1109/IRPS.2018.8353559Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any coyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8353559)

2019年01月
Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure
学会論文

H. Yamashita et al., "Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 32-35. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393595Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8393595)

2018年12月
Breakthrough of Drain Current Capability and On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET
学会論文

W. Saito, "Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 36-39. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393596Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8393596)

2018年11月
半導体EMC試験所 ISO/IEC 17025 認定取得
技術・ 研究報告

高性能化、高集積化、小型化が進むIoT・車載機器等の製品において、ECE R10の法制化を背景にEMC試験の重要性が高まっています。

2018年11月
IC/LSIのEMC解析に向けた伝導性エミッション/イミュニティマクロモデル構築検討
学会論文

製品の小型化、高速化、低電圧化の流れから半導体レベルでのEMC性能が要求されるようになりました。IEC 62433-2、IEC 62433-4で規定されたモデル構造とその抽出方法を提案します

2018年11月
A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique
学会論文

K. Yoshioka et al., "A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique," 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, 2018, pp. 92-94. doi: 10.1109/ISSCC.2018.8310199Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8310199)

2018年09月
Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR
学会論文

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR," 2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, 2018, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2018.8373079 Ⓒ2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works. And published article is uploaded in IEEE Xplore (https://ieeexplore.ieee.org/document/8373079)

2018年09月
広負荷電力範囲で高い変換効率を実現したIoT機器向けSIMO型DC-DCコンバーター
東芝レビュー

MOT制御技術とCCMS制御技術を搭載したIoT 機器向けSIMO型DC-DCコンバーターにおいて、広い負荷電力範囲における高い変換効率を達成しました
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年07月
モーター制御機能とパワーマネジメント機能を併せ持つIC PMMCD
東芝レビュー

当社のパワーマネジメントモーターコントロールドライバーIC(PMMCD)は、周辺部品サイズの縮小や個数削減につながる機能を組み込んでいます
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年07月
クライアントSSD 向けの省スペースで低消費電力なパワーマネジメントIC
東芝レビュー

cSSD向けパワーマネジメントICは、小型のWCSP(Wafer-Level Chip Scale Package)を採用することで、パッケージ面積や消費電力を大幅に削減することが可能になりました
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年06月
適用分野が拡大する新材料パワーデバイスの進化
東芝レビュー

エネルギー効率の飛躍的な改善が見込めるSiC、GaN等のワイドバンドギャップ半導体において、疑似ノーマリーオフタイプとMOSタイプの素子開発を推進しています
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年06月
HVDCに適したスイッチングデバイスPPI
東芝レビュー

世界中で実用化が進む高圧直流送電(HVDC)に適した IEGT素子を用いた圧接型IEGTを製品化しました
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年06月
モバイル機器の高機能化を実現する高性能LDOレギュレーター
東芝レビュー

モバイル機器の高性能化に貢献するLDOレギュレーターで、低消費電力だけでなく、優れたノイズ除去性能及び負荷過渡応答特性を実現しました
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年04月
エネルギー利用率の向上に寄与する半導体デバイスの歩みと今後の動向
東芝レビュー

電力需要の増加に対応しつつ省エネ化を図るため、モバイル・車載・産業用から電力変換用まで、多岐にわたる分野のIC及びパワーデバイスの開発を推進しています
*東芝レビュー 72巻5号(2017年11月)特集1から転載

2018年03月

研究・技術開発コンテンツ

技術部門トップメッセージ
統括技師長からご挨拶です。
デバイス&ストレージ研究開発センター
半導体とHDDに関する研究開発体制について紹介します。
研究・技術開発分野
当社が取り組む半導体・ストレージに関連する技術について説明します。
技術活動トピックス
当社の技術活動トピックスを紹介します。
学会発表&表彰
当社の国際学会における発表、表彰実績を紹介します。

* Bluetooth® は Bluetooth SIG Inc. の登録商標です。
* その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。