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Part Naming Conventions

Clicking on product's category allows you to see Diodes Part Naming Conventions.

  • Diode (JEITA Registration Products)

    Example of Diode


    1. The value that subtracted 1 from the total number of terminals
    2. S stands for Semiconductor
    3. The kind of diode
      • S: Diode of general-purpose use, detection use, frequency conversion use, and switching use
      • V: Variable capacitance diode
    4. Serial number
      JEITA registration numbers

  • SiC Schottky Barrier Diodes

    Example of SiC Schottky Barrier Diodes

     

    1. Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes
    2. Current rating IF(DC)
      Ex.) 10 : IF(DC) = 10 A
    3. Package
      A : TO-220F-2L
      E : TO-220-2L
      J : TO-3P(N)
      P : DPAK
      N : TO-247
      V : DFN8×8
    4. Voltage rating VRRM
      Display value×10 = VRRM
      Ex.) 65 : VRRM = “65”×10 = 650 V
    5. Generation
      C, D : 1st Generation
      F      : 2nd Generation
    6. Connection
      None : 1 chip
      B       : 2 chips & Center tap type

  • Schottky barrier diode

    Product Naming Conventions
    Starting with the new SBD series, the product naming conventions have been changed as shown below. Product names denote packaging, current rating, voltage rating and go on.

    Product Naming Conventions


    1. Toshiba Schottky barrier diode/package style
      CB: CST2B Package
      CC: CST2C Package
      CE: ESC Package
      CM: M-Flat Package
      CR: S-Flat Package
      CT: CST2 Package
      CU: US-Flat/USC Package
      CV: UFV Package
    2. Number of pins / Internal Connection
      S: 2pin Single
      J: 5pin Parallel
    3. Average forward current,IF(AV)
      Example: 08: 0.8A, 10: 1.0A
    4. Product feature
      I: Low forward voltage & low leakage current (New SBD series)
      F: Low forward voltage
      R: Low leakage current
      S: Super low forward voltage
    1. Reverse voltage, VRRM
      Example: 30: 30 V
    2. Suffix that indicates an additional feature

    Old Naming Conventions

    Example of Schottky barrier diode

    1. DS stands for Toshiba Schottky barrier diode.
    2. Device feature
      This letter shows the feature of a device.
      R: Low leakage current type.
      F: Low forward voltage type.
    3. Current rating
      Examples: 07: 0.7 A, 10: 1 A
    1. Circuit configuration and number of pins
    2. Voltage rating
      Examples: 30: 30 V, 15: 15 V
    3. Revision
      The additional symbol for upgraded versions
    4. Package style
      This letter shows the package style.

    New Naming Conventions

    Example of Schottky barrier diode

    1. Package
      Examples: CE: ESC, CU: USC, CB: CST2B
    2. Pin count
      Example: S: 2-pin
    3. Current rating
      Example: 07: 0.7 A
    1. Device type
      Examples: F: Low-voltage, R: Low-leakage
    2. Voltage rating
      Example: 30: 30 V
    3. Revision or functional category (A to Z)

  • ESD-Protection Diodes

    Example of ESD-Protection Diodes

    1. Toshiba ESD-protection diode
    2. Package pin count
      Note: The digit 7 denotes a 6-pin package.
    3. Internal configuration
      Example: A: Common anode
    1. Clamp voltage(VBR
    2. Series
      Example: L: Ultra-high-speed
    3. Package style

  • Radio-Frequency Diodes

    Example of Radio-Frequency Diodes


    1. Toshiba RF diode
    2. Diode type
      P: PIN diode
      V: Variable-capacitance diode
      H: Schottky barrier diode
      S: Switching diode
    3. Pin count
    4. Chip configuration
      S: Single
      C: Multiple diodes with common cathode
      P: Parallel-connected diodes
      L: Symmetrically connected diodes
      D: Series-connected diodes
    1. Number per diode type
    2. Package
      SC: SC2
      CT: CST2、CST3
      CTC: CST4C
      FS: fSC
      E: ESC
      U: USC、USM、USQ
      CR: S-FLAT
      TU: UFM
      T: TESQ
      No suffix: S-Mini

     

     

    Conventional Series
    1SV*** : Variable-capacitance and PIN diodes
    1SS*** : Schottky barrier and switching diodes

Ansprechpartner

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Technische Anfragen
Anfragen zum Kauf, Teilen und IC-Zuverlässigkeit

Konventionen der Bauteilbenennung

Indem Sie auf die Kategorie des Produkts klicken, können Sie die Konventionen der Bauteilbenennung für Dioden sehen.

  • Diode (JEITA Registrierungsprodukte)

    Beispiel einer Diode


    1. Der Wert, dem 1 von der Gesamtanzahl an Terminals abgezogen wurde
    2. S steht für Semiconductor (Halbleiter)
    3. Der Diodentyp
      • S: Diode für den allgemeinen Gebrauch, Erkennungsverwendung, Frequenzumwandlung und Schaltung
      • V: Kapazitätsdiode
    4. Seriennummer
      JEITA Registriernummern

  • Schottky barrier diode

    Neue Namenskonventionen
    Beginnend mit der neuen SBD-Serie, wurden die Produkt-Namenskonventionen wie folgt geändert. Die Produktnamen geben Aufschluss über Gehäuse, Nennstrom, Nennspannung und so weiter.

    Beispiel einer Schottky-Diode


    1. Toshiba Schottky-Diode/Gehäuseform
      CB: CST2B Package
      CC: CST2C Package
      CE: ESC Package
      CM: M-Flat Package
      CR: S-Flat Package
      CT: CST2 Package
      CU: US-Flat/USC Package
      CV: UFV Package
    2. Anzahl der Pins/Interne Verbindung
      S: 2pin Single
      J: 5pin Parallel
    3. Aktuelle Bewertung
      Beispiel: 08: 0,8 A, 10: 1,0 A
    4. Produkteigenschaften
      I: Niedrige Durchlassspannung & niedriger Verluststrom (Neue SBD-Serie)
      F: Niedrige Durchlassspannung
      R: Niedriger Verluststrom
      S: Extrem niedrige Durchlassspannung
    1. Spannungswert
      Beispiel 30: 30 V
    2. Suffix zur Angabe eines zusätzlichen Merkmals

    Alte Namenskonventionen

    Beispiel bei einer Schottky-Diode

    1. DS steht für Toshiba Schottky-Diode.
    2. Eigenschaft des Bauelements
      Dieser Buchstabe steht für das Merkmal eines Bauelements.
      R: Niedriger Verluststrom-Typ
      F: Niedriger Durchlassspannungs-Typ
    3. Nennstrom
      Beispiele: 07: 0,7 A, 10: 1 A
    1. Schaltungskonfiguration und Pinanzahl
    2. Nennspannung
      Beispiele: 30: 30 V, 15: 15 V
    3. Revision
      Das zusätzliche Symbol für aktualisierte Versionen
    4. Gehäuse
      Dieser Buchstabe steht für die Gehäusebauform.

  • ESD-Schutzdioden

    Beispiel von ESD-Schutzdioden

    1. Toshiba ESD-Schutzdiode
    2. Gehäuse-Pinanzahl
      Hinweis: Die Ziffer 7 bezeichnet ein 6-Pin-Gehäuse.
    3. Interne Konfiguration
      Beispiel: A: Gemeinsame Anode
    1. Sperrspannung(VBR
    2. -Serie
      Beispiel: L: Ultrahochgeschwindigkeit
    3. Gehäuseform

  • Hochfrequenzdioden

    Beispiel von Hochfrequenzdioden


    1. Toshiba HF-Diode
    2. Diodentyp
      P: PIN-Diode
      V: Kapazitätsdiode
      H: Schottky-Diode
      S: Schaltdiode
    3. Pinanzahl
    4. Chip-Konfiguration
      S: einzeln
      C: Mehrere Dioden mit gemeinsamer Kathode
      P: Parallel geschaltete Dioden
      L: Symmetrisch geschaltete Dioden
      D: In Reihe geschaltete Dioden
    1. Anzahl pro Diodentyp
    2. Gehäuse
      SC: SC2
      CT: CST2、CST3
      CTC: CST4C
      FS: fSC
      E: ESC
      U: USC、USM、USQ
      CR: S-FLAT
      TU: UFM
      T: TESQ
      Kein Suffix: S-Mini

    Konventionelle Serie
    1SV*** : Kapazitäts- und PIN-Dioden
    1SS*** : Schottky- und Schaltdioden

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