SiC MOSFET応用3相インバーター

1200 V系SiC MOSFETを搭載しAC 440 Vモーターを駆動する3相インバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真 (インバーター基板)
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特長

  • 1200 V SiC MOSFETを使用しAC 440 Vモーターを駆動
  • 外形サイズ：250 mm x 145 mm (インバーター基板)
  • 最適なSiC MOSFET、フォトカプラー、オペアンプなどをトータルで提案

概要

電源入力 (AC-DC基板) 3相AC 340 ～ 440 V, 16 A (最大)
電源出力 (AC-DC基板) DC 530 ～ 600 V
電源入力 (インバーター基板) DC 530 ～ 670 V
電源出力 (インバーター基板) 3相AC 340 ～ 440 V, 15 A
異常検出 過電流異常 (U相/V相/W相)、バス電圧異常、バス電流異常、過熱異常(2 ch.)
効率カーブ (例)
効率カーブ (例)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワー SiC MOSFET インバータースイッチング・6 N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.045 Ω(typ.)@18 V, TO-247-4L(X), 3rd Gen.
パワー SiC MOSFET インバータースイッチング・6 N-ch SiC MOSFET, 1200 V, 0.045 Ω(typ.)@18V, TO-247, 3rd Gen.
フォトカプラ(IC出力) ゲートドライバー・6 Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-4.0 A, 5000 Vrms, SO6L
フォトカプラ(アイソレーションアンプ) 絶縁センサー・5 Photocoupler(Isolation Amplifier), Analog output, 5000 Vrms, SO8L(LF4)
コンパレータ (CMOS) 異常検出コンパレーター・3 Dual Comparator (CMOS), 7 V, +/-3.5 V, SOT-505(SM8)
オペアンプ (バイポーラ) センサー増幅・2 Dual Op-amp (Bipolar), 12 V, +/-6 V, SOT-505(SM8)
オペアンプ (CMOS) センサー増幅・3 Dual Op-amp (CMOS), 7 V, +/-3.5 V, SOT-505(SM8)
オペアンプ (CMOS) センサー増幅・2 Single Op-amp (CMOS), 5.5 V, +/-2.75 V, SOT-25(SMV)
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) ゲート論理制御・3 One-Gate Logic(L-MOS), 2-Input/AND, SOT-505(SM8)
ポイントレギュレータ(シングル出力) 内部電源・4 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 5 V, SOT-353F(UFV)
小信号MOSFET フォトカプラー駆動など・7 N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, SOT-323(USM)
小型・低オン抵抗MOSFET 絶縁電源スイッチング・2 N-ch MOSFET, 30 V, 15 A, 0.0089 Ω@10V, TSOP6F

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