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Technische Prüfung

Trends und Zukunftsperspektiven bei Halbleiterbauelementen mit verbesserter Energieeffizienz Mehr

Trends und Zukunftsperspektiven bei Halbleiterbauelementen mit verbesserter Energieeffizienz

Zu den Problemen, die im globalen Maßstab angegangen werden müssen, gehören der zunehmende Energieverbrauch und der Anstieg der Kohlendioxid (CO2)-Emissionen.
Um Energie zu sparen und gleichzeitig den zunehmenden Strombedarf zu decken, muss die Energieeffizienz auf allen Ebenen verbessert werden – von der Stromerzeugung bis zum Stromverbrauch.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

LDO-Regler-ICs steigern das Potenzial mobiler Geräte Mehr

LDO-Regler-ICs steigern das Potenzial mobiler Geräte

Im Zuge der Erweiterung des Mobilfunkmarkts in den vergangenen Jahren wird der weltweite Jahresabsatz von Mobiltelefonen im Finanzjahr 2017 1,8 Mrd. Geräte überschreiten. Aufgrund ihrer erweiterten, mit herkömmlichen Telefonen nicht realisierbaren Funktionalität sind Smartphones zu einem unverzichtbaren Bestandteil im Alltag geworden.

 *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

PPI-Schaltgeräte für HVDC-Systeme Mehr

PPI-Schaltgeräte für HVDC-Systeme

Ein wichtiger Aspekt im Zuge der Bemühungen zur Vermeidung der globalen Erwärmung besteht darin, den Energieverbrauch von Geräten zu verringern, die im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt werden. Insbesondere bei Energieübertragungs- und -verteilungsanwendungen hat sich die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) in der Praxis als ein geeignetes Verfahren erwiesen, um Energie mit hoher Kapazität über große Entfernungen zu übertragen.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Erweiterter Anwendungsbereich dank Entwicklung von Wide-Bandgap-Halbleitern für Leistungsgeräte Mehr

PPI Switching Devices for HVDC Systems

Wide-Bandgap-Halbleiter, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), finden derzeit viel Beachtung, weil sie aufgrund ihrer exzellenten Eigenschaften eine höhere Energieeffizienz bieten und daher für den Einsatz in Leistungsgeräten der nächsten Generation interessant sind.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Platzersparnis und geringe Leistungsaufnahme dank Power-Management-IC für cSSDs Mehr

Power Management IC for cSSDs Realizing Space Saving and Low Power Consumption

Obwohl die schnelleren Schnittstellen und größeren Speicherkapazitäten von Client-SSDs (cSSDs) zukünftig einen Trend hin zu einer höheren Leistungsaufnahme begünstigen könnten, ist es notwendig geworden, die Energieeinsparungsleistung von cSSDs entsprechend den internationalen Standards zu verbessern.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

ICs der PMMCD-Serie mit Motorsteuerungs- und Energieverwaltungsfunktionen Mehr

PMMCD Series Ics with Motor Control and Power Management Functions

Bei MCD-ICs wird eine Energieverwaltungsfunktion benötigt, die andere Geräte in der Anlage mit verschiedenen Spannungen versorgen und zusätzlich zur grundlegenden Motorsteuerungsfunktion deren Leistungsaufnahme verwalten kann.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

SIMO DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad über einen breiten Lastbereich für IoT-Geräte Mehr

SIMO DC-DC Converter with High Efficiency over Wide Load Range for IoT Devices

Ein drahtloser Sensorknoten für IoT (Internet of Things)-Geräte befindet sich meistens im Standby-Modus, in dem die Leistungsaufnahme weniger als 1 mW beträgt, und wechselt nur kurzzeitig in den aktiven Modus, wenn eine Datenkommunikation läuft und der Energieverbrauch auf etliche mW ansteigt. Folglich müssen SIMO (Single-Inductor Multiple-Output) DC/DC-Wandler für IoT-Geräte einen hohen Umwandlungswirkungsgrad über einen breiten Lastbereich erreichen.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR Mehr

Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has developed a new logic technology that significantly improves on the reliability of automotive LiDAR by realizing long-range distance object measurement and high quality 3D images.

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai and N. Matsumoto, "Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR," 2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, 2018, pp. 1-3. doi: 10.1109/CoolChips.2018.8373079

A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique Mehr

A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique

New circuit technology pushes the LiDAR’s measured distance to 200m, achieving the world’s longest distance, twice than that of other automotive LiDARs.


K. Yoshioka et al., "A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique," 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, 2018, pp. 92-94.
doi: 10.1109/ISSCC.2018.8310199

* Co-Authored paper led by  Toshiba R&D Center


Toshiba EMC Testing Laboratory Receives ISO/IEC 17025 Certification NEW Mehr

In selling products such as IoT and automotive equipment with high performance, high integration and miniaturization, compliance with standards stipulated by laws and ordinances, etc. is required.

And recently EMC (Electromagnetic Compatibility) is also advancing legal regulations in many countries.
Particularly in automotive semiconductors, the importance of EMC testing is increasing against the backdrop of ECE R10 legislation.


Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure NEW Mehr

Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure

High efficiency with low noise emission is achieved by adding the snubber area in  SJ-MOSFET structure.

H. Yamashita et al., "Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 32-35. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393595

* Co-Authored paper with Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation

Breakthrough of Drain Current Capability and
On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET NEW Mehr

Breakthrough of Drain Current Capability and On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET

The power MOSFET is a key component in switching mode power supply circuits and inverter systems. This paper reports design concepts, device structure and device characteristics on the new structure of Gate-Connected Superjunction MOSFET to cope with both high drain current density and low on-resistance.

W. Saito, "Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 36-39. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393596

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