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Technische Prüfung

Trends und Zukunftsperspektiven bei Halbleiterbauelementen mit verbesserter Energieeffizienz Mehr

Trends und Zukunftsperspektiven bei Halbleiterbauelementen mit verbesserter Energieeffizienz

Zu den Problemen, die im globalen Maßstab angegangen werden müssen, gehören der zunehmende Energieverbrauch und der Anstieg der Kohlendioxid (CO2)-Emissionen.
Um Energie zu sparen und gleichzeitig den zunehmenden Strombedarf zu decken, muss die Energieeffizienz auf allen Ebenen verbessert werden – von der Stromerzeugung bis zum Stromverbrauch.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

LDO-Regler-ICs steigern das Potenzial mobiler Geräte Mehr

LDO-Regler-ICs steigern das Potenzial mobiler Geräte

Im Zuge der Erweiterung des Mobilfunkmarkts in den vergangenen Jahren wird der weltweite Jahresabsatz von Mobiltelefonen im Finanzjahr 2017 1,8 Mrd. Geräte überschreiten. Aufgrund ihrer erweiterten, mit herkömmlichen Telefonen nicht realisierbaren Funktionalität sind Smartphones zu einem unverzichtbaren Bestandteil im Alltag geworden.

 *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

PPI-Schaltgeräte für HVDC-Systeme Mehr

PPI-Schaltgeräte für HVDC-Systeme

Ein wichtiger Aspekt im Zuge der Bemühungen zur Vermeidung der globalen Erwärmung besteht darin, den Energieverbrauch von Geräten zu verringern, die im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt werden. Insbesondere bei Energieübertragungs- und -verteilungsanwendungen hat sich die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) in der Praxis als ein geeignetes Verfahren erwiesen, um Energie mit hoher Kapazität über große Entfernungen zu übertragen.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Erweiterter Anwendungsbereich dank Entwicklung von Wide-Bandgap-Halbleitern für Leistungsgeräte Mehr

PPI Switching Devices for HVDC Systems

Wide-Bandgap-Halbleiter, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), finden derzeit viel Beachtung, weil sie aufgrund ihrer exzellenten Eigenschaften eine höhere Energieeffizienz bieten und daher für den Einsatz in Leistungsgeräten der nächsten Generation interessant sind.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Platzersparnis und geringe Leistungsaufnahme dank Power-Management-IC für cSSDs Mehr

Power Management IC for cSSDs Realizing Space Saving and Low Power Consumption

Obwohl die schnelleren Schnittstellen und größeren Speicherkapazitäten von Client-SSDs (cSSDs) zukünftig einen Trend hin zu einer höheren Leistungsaufnahme begünstigen könnten, ist es notwendig geworden, die Energieeinsparungsleistung von cSSDs entsprechend den internationalen Standards zu verbessern.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

ICs der PMMCD-Serie mit Motorsteuerungs- und Energieverwaltungsfunktionen Mehr

PMMCD Series Ics with Motor Control and Power Management Functions

Bei MCD-ICs wird eine Energieverwaltungsfunktion benötigt, die andere Geräte in der Anlage mit verschiedenen Spannungen versorgen und zusätzlich zur grundlegenden Motorsteuerungsfunktion deren Leistungsaufnahme verwalten kann.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

SIMO DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad über einen breiten Lastbereich für IoT-Geräte Mehr

SIMO DC-DC Converter with High Efficiency over Wide Load Range for IoT Devices

Ein drahtloser Sensorknoten für IoT (Internet of Things)-Geräte befindet sich meistens im Standby-Modus, in dem die Leistungsaufnahme weniger als 1 mW beträgt, und wechselt nur kurzzeitig in den aktiven Modus, wenn eine Datenkommunikation läuft und der Energieverbrauch auf etliche mW ansteigt. Folglich müssen SIMO (Single-Inductor Multiple-Output) DC/DC-Wandler für IoT-Geräte einen hohen Umwandlungswirkungsgrad über einen breiten Lastbereich erreichen.
  *Toshiba Review (Vol. 72, Nr. 5, November 2017)

Datenselektion und Rauschunterdrückung auf der Grundlage der Zuverlässigkeit für Langstrecken- und High-Pixel-Auflösung LiDAR Mehr

Data Selection and De-noising Based on Reliability for Long-Range and High-Pixel Resolution LiDAR

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat eine neue Logiktechnologie entwickelt, die die Zuverlässigkeit von LiDAR in der Automobilindustrie deutlich verbessert, indem Sie Langstrecken-Objektmessungen und hochwertige 3D-Bilder ermöglicht.

K. Tanabe, H. Kubota, A. Sai und N. Matsumoto, „Data selection and de-noising based on reliability for long-range and high-pixel resolution LiDAR,” 2018 IEEE Symposium in Low-Power and High-Speed Chips (COOL CHIPS), Yokohama, 2018, S. 1 - 3. doi: 10.1109/CoolChips.2018.8373079

Ein 20channel TDC/ADC Hybrid SoC für eine LiDAR- Bildgebung mit 200 m Reichweite ( 240x96 pixel), 10% Reflexion , <125% Präzision und intelligenter Akkumulationstechnik Mehr

A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique

Durch eine neue Schaltkreis-Technologie wird die gemessene Entfernung von LiDAR auf 200 m erhöht. Das ist die weltweit längste Entfernung, doppelt so hoch wie bei anderen LiDARs in der Automobilindustrie.


K. Yoshioka et al., „A 20ch TDC/ADC hybrid SoC for 240×96-pixel 10%-reflection <0.125%-precision 200m-range imaging LiDAR with smart accumulation technique,” 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, 2018, S. 92 - 94.
doi: 10.1109/ISSCC.2018.8310199

* Gemeinsame Arbeit unter der Leitung von  Toshiba R&D Center


Toshiba EMV-Prüflabor erhält Zertifizierung für ISO/IEC 17025 Neu Mehr

Beim Verkauf von Produkten wie IoT- und Automobilzubehör mit starker Leistung, guter Integrierbarkeit und Miniaturisierung ist die Einhaltung von Standards erforderlich, die durch Gesetze und Verordnungen usw. festgelegt sind.

In jüngster Zeit werden auch für den Bereich EMV (Elektromagnetische Verträglichkeit) gesetzliche Vorschriften in vielen Ländern verbessert.
Vor allem bei Automobilhalbleitern nimmt die Bedeutung der EMV-Prüfung vor dem Hintergrund der ECE-R10-Gesetzgebung zu.


Superjunction-MOSFET mit geringem Rauschen und integrierter Snubber-Struktur Mehr

Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure

Eine hohe Effizienz mit geringem Rauschen wird erzielt, indem ein Snubber-Bereich zur &nbsp;SJ-MOSFET-Struktur hinzugefügt wird.

 

H. Yamashita et al., &quot;Low noise superjunction MOSFET with integrated snubber structure,"2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)", Chicago, IL, 2018, pp. 32-35. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393595


* Gemeinsame Arbeit mit dem Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation

Durchbruch bei Drain-Stromkapazität und Durchlasswiderstandbegrenzung bei Superjunction-MOSFET mit Gate-Verbindung Mehr

Breakthrough of Drain Current Capability and On-Resistance Limits by Gate-Connected Superjunction MOSFET

Das Leistungs-MOSFET ist eine wichtige Komponente bei Schaltnetzteilen mit Schaltmodus und Inverter-Systemen. Dieses Dokument erläutert Designkonzepte, Gerätestruktur und Gerätemerkmale in der neuen Struktur der Superjunction-MOSFETs mit Gate-Verbindung mit dem Ziel, sowohl der hohen Drain-Stromdichte als auch dem geringen Durchlasswiderstand zu begegnen.

W. Saito,"Breakthrough of drain current capability and on-resistance limits by gate-connected superjunction MOSFET," 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Chicago, IL, 2018, pp. 36-39. doi: 10.1109/ISPSD.2018.8393596

Auswertungsmethode für das Current Collapse-Phänomen von GaN HEMTs Neu Mehr

Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs


Die Richtlinien für die Auswertungsmethoden des Current Collapse (C/C) durch den Vergleich von Gerätemerkmalen wurde erforderlich, da der Anstieg des Durchlasswiderstands, der aus dem C/C resultiert, deutlich von den Stressbedingungen und der angewendeten Methode abhängt. In diesem Dokument werden Methoden für die Auswertung und Analyse von C/C in GaN HEMTs vorgeschlagen.

T. Sugiyama et al., "Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs" 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Burlingame, CA, 2018, pp. 3B.4-1-3B.4-5.
doi: 10.1109/IRPS.2018.8353559

CASE-Trends für Fahrzeuge der nächsten Generation und der Ansatz von Toshiba für Halbleitergeräte in der Automobilindustries Neu Mehr

Trends in CASE for Next-Generation Vehicles and Toshiba’s Approach to Automotive Semiconductor Devices

In der letzten Zeit rückte der Trend „Connected, Autonomous, Shared, Electric“ (CASE) als Trend der nächsten Generation in der Automobilindustrie in den Fokus.In diesem Artikel werden die Automobilumgebung und die technischen Trends von Halbleitern im Automobilbereich beschrieben.
;*Toshiba Review (Vol.73 No.6 November 2018)

A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive ApplicationsNEW Mehr

 A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications

Y. Yamada et al., "7.2 A 20.5TOPS and 217.3GOPS/mm2 Multicore SoC with DNN Accelerator and Image Signal Processor Complying with ISO26262 for Automotive Applications," 2019 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), San Francisco, CA, USA, 2019, pp. 132-134. doi: 10.1109/ISSCC.2019.8662459

Sensing Technologies to Support Safe Automated Driving SystemsNEW Mehr

Sensing Technologies to Support Safe Automated Driving Systems

Innovations in automotive sensing technologies to support safe driving have been advancing in terms of both performance and cost as a result of the practical realization of advanced driver assistance systems (ADAS).

 
*Toshiba Review (Vol.73, No.6, November 2018)

Technologies for Motor Driver ICs with Controller to Downsize In-Vehicle Motor SystemsNEW Mehr

Technologies for Motor Driver ICs with Controller to Downsize In-Vehicle Motor Systems

In recent years, among the many moving parts of various sizes used in automobiles, almost all mechanically driven parts have been replaced by electrically driven parts using motors. In the field of motor driver ICs, technologies for integrating various circuit parts and countermeasures against heat dissipation are essential to achieve a balance between high-density mounting of power semiconductor chips on packages and reduction of the size of packages, in order to realize compact in-vehicle motor systems.

Technologies to Reduce Power Consumption of Wireless Communication ICs and Audio Power Amplifiers for Automotive Use NEW Mehr

Technologies to Reduce Power Consumption of Wireless Communication Ics and Audio Power Amplifiers for Automotive Use

Accompanying the spread of eco-friendly automobiles including electric vehicles, demand has been increasing for reduction of the power consumption of automotive semiconductor devices.

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