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DSOP Advance : des MOSFET à haute densité de puissance dans un petit boîtier

Les MOSFET de puissance basse tension servent de commutateurs principaux dans les alimentations. La densité de puissance de ces systèmes augmente continuellement. Afin de réduire l'encombrement des systèmes et les pertes énergétiques, une amélioration significative de la dissipation thermique des boîtiers de transistors MOSFET est nécessaire.

Pour répondre à cette demande, un nouveau boîtier de MOSFET dénommé DSOP Advance (Dual side cooling SOP, ou SOP à refroidissement double-face) de 5 x 6 mm a été développé. Les détails de ce nouveau boîtier ont été présentés dans un article publié lors de PCIM 2014 à Nuremberg, en mai. Ce dispositif dispose d'une conductivité thermique innovante, grâce à un refroidissement double-face obtenu à l'aide de deux plaques de cuivre (Cu), l'une sur le dessous et l'autre sur le dessus du boîtier. Par rapport à la structure d'un boîtier à refroidissement simple-face, la résistance thermique (Rth) pourrait être réduite de 26%, et l'énergie d'avalanche pourrait elle augmenter, du fait de la meilleure conductivité thermique.

DSOP Advance: high power density MOSFETs in a small package

L'excellente résistance thermique de ces boîtiers DSOP Advance permet une réduction de la taille des ailettes de radiateur. De tels dispositifs vont contribuer à réduire l'encombrement et à augmenter la densité de puissance des systèmes. Le boîtier DSOP Advance adopte un seul connecteur intégré. Ainsi, il n'y a aucune résistance thermique d'interface, ni aucune résistance électrique supplémentaire. En outre, les coût de fabrication peut être réduits du fait de la réduction du nombre de composants.

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