Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Диоды Шоттки на основе карбида кремния

SiCショットキバリアダイオード

Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния отличаются высокими значениями напряжения обратной полярности В дополнение к диодам Шоттки с коротким временем обратного восстановления (trr), компания Toshiba предлагает диоды Шоттки на 650 В с барьером на p-n-переходе (JBS), которые обеспечивают низкий ток утечки (Ir) и высокую допустимую нагрузку по импульсному току, необходимые для импульсных источников питания. Эти устройства помогают повысить эффективность импульсных источников питания.

 

Линейки

напряжение

Корпуса

Введение

  • Высокий прямой пиковый сверхток (IFSM):  приблизительно в 7–9 раз выше номинального тока IF(DC).
  • Низкий показатель качества (VF * QC) *1:  приблизительно на 30 % меньше, чем у диодов первого поколения, что означает более высокую производительность.
  • Широкий ассортимент корпусов, включая изолированные и предназначенные для поверхностного монтажа,  позволяет выбрать оптимальный вариант для конкретной конструкции.
Electrical characteristics and symbols
(Improvement direction)
Effect on circuits Si material SiC material
FRD* SBD SBD

SBD

(Improved JBS structure)

Reverse voltage, VR

(high)

Voltage surge during switching

★★★★

★★★★★

★★★★★

Leakage current, IR

(low)

Thermal runaway

★★

★★★

★★★★★

Forward Voltage, VF

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★

★★★★★

★★★

★★★

Reverse recovery time, trr

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★★★

★★★★★

★★★★★

Surge current, IFSM

(large)

Inrush current when switching on

★★★★★

★★

★★★

The greater the number of ★, the better.

* FRD: Fast recovery diode

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

SiC SBD with lower switching loss

SiC SBD with lower switching loss

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

Назначение

Диоды Шоттки на основе карбида кремния подходят для цепей компенсации коэффициента мощности в высокоэффективных источниках питания, для цепей прерывателя и обратных диодов, встроенных в переключающие устройства.

Documents

Application Notes

Number Name Date
- 04/2019

Support

*1  VF・QC : произведение прямого напряжения и суммарного заряда (VF * QC) указывает на характеристики потерь диодов с барьером Шоттки на основе карбида кремния; при сравнении устройств с одинаковым номинальным током устройство с меньшим значением VF * QC обеспечивает меньшие потери.

Контакты

Если у вас возникли вопросы, перейдите по одной из этих ссылок:

Запрос на предоставление технической информации
Вопросы о покупке, образцах и надежности интегральных схем
To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.