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Bipolartransistoren/IGBTs/IEGTs

Einführung

Bipolartransistoren/IGBTs/IEGT

Toshiba bietet einen breiten Bereich an Bipolartransistoren passend für eine Vielzahl von Anwendungen inkl. HF- und Stromversorgungsbaugruppen.

Ein Injection-Enhanced Gate Transistor (IEGT) ist ein spannungsgetriebenes Gerät zum Schalten von Starkstrom. IEGT eignen sich perfekt für Industriemotorsteuerungen, die eine soziale Infrastruktur unterstützen, einschließlich industrieller Fahrsysteme und Stromwandler.

Portfolio

Integrierte BIAS-Widerstandstransistoren (BIAS Resistor Built-in Transistors, BRT)

Bipolare
Transistoren

Diskrete Bauelemente mit Multi-Chips

Sperrschicht-FET


RF Bipolare
Transistoren

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