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SiC-Schottky-Dioden

SiCショットキバリアダイオード

Toshiba bietet ein breites Spektrum an 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC-SBDs) der zweiten Generation mit einem Nennstrom von 2 bis 10 A in Durchgangsgehäusen (TO-220) an.
Die SiC-SBD-Serie der zweiten Generation bietet eine Reduzierung des Gütefaktors um 30 % (VF*QC)*1 und einen höheren Spitzendurchlassüberspannungsstrom (IFSM) als die SiC-SBD-Serie der ersten Generation. Dies erhöht die Effizienz der Stromversorgung und reduziert die Größe der Netzteile.

Portfolio

Spannung

Gehäuse

Einführung

  • Spitzendurchlassüberspannungsstrom (IFSM):  Ungefähr das 7- bis 9-fache der Nennstromstärke, IF(DC)
  • Niedriger Gütefaktor (VF*QC)*1:  Bietet einen um rund 30 % niedrigeren Gütefaktor als die SiC-SBD-Serie der ersten Generation und erhöht dadurch die Effizienz
  • Breites Spektrum an Gehäuseoptionen, einschließlich isolierter und oberflächenmontierter Gehäuse:  Geht auf verschiedene Designanforderungen ein

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Zweck

SiC-SBDs eignen sich für Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) in hocheffizienten Netzteilen, für Zerhackerschaltungen und Freilaufdioden in Schaltgeräten.

  • Unterhaltungselektronik und Bürosysteme: 4K-LCD-Fernseher, Projektoren, Multifunktionsdrucker usw.
  • Industrielle Systeme: Kommunikations-Basisstationen, PC-Server usw.
  • AC-DC-Netzteile
  • DC-DC-Netzteile

*1  VF・QC  : Das Produkt aus Durchlassspannung und Gesamtlast (VF*QC) gibt den Leistungsverlust der SiC-Schottky-Dioden an. Beim Vergleich von Geräten mit derselben Nennstromstärke bietet ein Gerät mit einem niedrigerem VF*QC einen geringeren Verlust.

Ansprechpartner

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