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SiC-Schottky-Dioden

SiCショットキバリアダイオード

Toshiba bietet ein breites Spektrum an 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC-SBDs) der zweiten Generation mit einem Nennstrom von 2 bis 10 A in Durchgangsgehäusen (TO-220) an.
Die SiC-SBD-Serie der zweiten Generation bietet eine Reduzierung des Gütefaktors um 30 % (VF*QC)*1 und einen höheren Spitzendurchlassüberspannungsstrom (IFSM) als die SiC-SBD-Serie der ersten Generation. Dies erhöht die Effizienz der Stromversorgung und reduziert die Größe der Netzteile.

Portfolio

Spannung

Gehäuse

Einführung

  • Spitzendurchlassüberspannungsstrom (IFSM):  Ungefähr das 7- bis 9-fache der Nennstromstärke, IF(DC)
  • Niedriger Gütefaktor (VF*QC)*1:  Bietet einen um rund 30 % niedrigeren Gütefaktor als die SiC-SBD-Serie der ersten Generation und erhöht dadurch die Effizienz
  • Breites Spektrum an Gehäuseoptionen, einschließlich isolierter und oberflächenmontierter Gehäuse:  Geht auf verschiedene Designanforderungen ein
Electrical characteristics and symbols
(Improvement direction)
Effect on circuits Si material SiC material
FRD* SBD SBD

SBD

(Improved JBS structure)

Reverse voltage, VR

(high)

Voltage surge during switching

★★★★

★★★★★

★★★★★

Leakage current, IR

(low)

Thermal runaway

★★

★★★

★★★★★

Forward Voltage, VF

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★

★★★★★

★★★

★★★

Reverse recovery time, trr

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★★★

★★★★★

★★★★★

Surge current, IFSM

(large)

Inrush current when switching on

★★★★★

★★

★★★

The greater the number of ★, the better.

* FRD: Fast recovery diode

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

SiC SBD with lower switching loss

SiC SBD with lower switching loss

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

Zweck

SiC-SBDs eignen sich für Schaltungen zur Leistungsfaktorkorrektur (PFC) in hocheffizienten Netzteilen, für Zerhackerschaltungen und Freilaufdioden in Schaltgeräten.

  • Unterhaltungselektronik und Bürosysteme: 4K-LCD-Fernseher, Projektoren, Multifunktionsdrucker usw.
  • Industrielle Systeme: Kommunikations-Basisstationen, PC-Server usw.
  • AC-DC-Netzteile
  • DC-DC-Netzteile

Support

*1  VF・QC  : Das Produkt aus Durchlassspannung und Gesamtlast (VF*QC) gibt den Leistungsverlust der SiC-Schottky-Dioden an. Beim Vergleich von Geräten mit derselben Nennstromstärke bietet ein Gerät mit einem niedrigerem VF*QC einen geringeren Verlust.

Ansprechpartner

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Technische Anfragen
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