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IPD automotive

Gli IPD automobilistici di Toshiba sono controllabili direttamente da un microcontroller. In caso di carico in cortocircuito, viene attivata la protezione da sovracorrente o lo spegnimento termico per proteggere l'ECU in cui sono utilizzati gli IPD. Gli IPD automobilistici di Toshiba facilitano il monitoraggio attraverso un'uscita diagnostica, che restituisce gli stati delle uscite dell'ECU a un microcontroller.

Elenco prodotti

Lineup di prodotto dei dispositivi di alimentazione intelligenti (IPD)
È possibile ricercare l'intero portafoglio dei dispositivi di alimentazione intelligenti (IPD) che soddisfano le vostre specifiche prestazioni.

Interruttori di alimentazione high-side e low-side

Gli interruttori di alimentazione high-side e low-side di Toshiba integrano circuiti di protezione per carico cortocircuitato, carico aperto e un'uscita corto circuito sull'alimentazione, oltre alla condizione di ECU in stato anomalo (surriscaldamento). Questi interruttori di alimentazione hanno anche uscite diagnostiche che riportano lo stato a un microcontroller. Questi interruttori contribuiscono a ridurre il numero di componenti e a migliorare l'affidabilità di un ECU. Gli interruttori di alimentazione Toshiba sono disponibili in package piccoli, quali SOP8, PS8 e WSON10, e contribuiscono a ridurre le dimensioni dell'ECU.

Esempio applicativo di un'interruttore di alimentazione High-Side (TPD1055FA)

This figure shows the application for a High-Side Switch.

IPD per la lineup di interruttori High Side

Part Number Package
Outputs(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
Temperature
Topr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1052F PS-8 1 40 0.8 0.8 0.7
(mounted on
board)
1.2
(clamp)
0.8
(duty)
Min
150
Min
- - -40 to 125 5 to 18
TPD1053F SOP-8 1 60 3 0.12 1.1
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
-16 V Typ.
-40 to 125 5 to 18
TPD1055FA WSON10 1 40 3 0.12 1.84
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 5 to 18
TPD1060F
SOP-8 1 40 3 0.12 0.9
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 4 to 18

(*): In fase di sviluppo

  • VDSS: Drain-Source Voltage (V)
  • IO: Output Current (A)
  • RDS(ON)max: Maximum On-resistance @Tch=25°C (Ω)

IPD per la lineup di interruttori Low Side

Part Number Package
Outputs
(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1030F SOP-8 2 40 1 0.6 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 40
TPD1032F SOP-8 2 20 3 0.4 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 20
TPD1036F SOP-8 2 30 1.5 0.5 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1.5
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 30
TPD1044F PS-8 1 41 1 0.6 0.9
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
41V Min
- - - -40 to 125 up to 41
TPD1046F SOP-8 2 40 3 0.2 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 125 up to 20
TPD1054F PS-8 1 40 1 0.8 0.7
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5
TPD1058FA WSON10 1 40 6 0.1 1.84
(mounted
on board)
6
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5

(*): In fase di sviluppo

Gate Drivers

Abbinando un gate driver e un MOSFET di potenza è possibile costruire un interruttore relè a semiconduttore ad elevata corrente.

Reference Board

Esempio di applicazione di Gate Driver per MOSFET di potenza (TPD7102F)

This figure shows an application example for TPD7104F, Power MOSFET Gate Driver.

IPD per la lineup di Gate Driver per MOSFET di potenza

Part Number Package Configuration
Outputs
(ch)

Supply
Voltage
VDD(V)
Output
Current
IO(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Overvoltage/
Undervoltage
(V)
Battery
Reverse
Protection
Over-
current
Overvoltage/
Undervoltage
Over-
voltage
Under-
voltage
Open
Load
Over-
temperature
TPD7101F SSOP-24 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
2 30 Source
current
0.1A Typ.
Sink
current
0.1A Typ.
0.8 Adjustable - VDD: 4.5 V
Max
- - -40 to 110 8 to 18
TPD7102F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 25 Source
current
1mA Typ.
0.7 - VDD: 18 V
Min
- - High-side N-ch Power-
MOSFET VGS monitor
-40 to 125 7 to 18
TPD7104F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7104AF PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - -40 to 125 5 to 18
TPD7210F SSOP-24 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
30 Source
current
1A Max
Sink
current
1A Max
0.8 - - - - Input arm-short
detection-
-40 to 125 4.5 to 18
TPD7211F PS-8 Half-bridge
Power-
MOSFET
driver
(for high-side
P-ch
MOSFET drive)
2 30 Source
current
0.5A Max
Sink
current
0.5A Max
0.7 - - - - - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7212F WQFN32 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
6 25 Source
current
-1.0A Max
Sink
current
+1.5A Max
TBD - VDL: 18 V
Typ.
- - -
(VDL)

(VDH, VDL)
-40 to 125 4.5 to 18

(*): In fase di sviluppo

* I nomi di sistema di prodotti menzionati nel presente documento possono essere marchi o marchi registrati dei rispettivi proprietari o organizzazioni.

Contatti

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Domande tecniche
Domande sull'acquisto, sulle campionature e sull'affidabilità degli IC
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