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当社のニュースリリースや製品情報および公開情報を掲載しています。
掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

リリース年
カテゴリー
ニュースカテゴリー
2018年01月26日
低雑音指数を実現したスマートフォン向け高周波低雑音アンプ用SOIプロセスの開発について
2018年01月23日
600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60F
2018年01月10日
600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について
2018年01月09日
Bluetooth® Ver.5.0対応ICのサンプル出荷開始について
2017年12月28日
業界最⼩パッケージ採⽤、モバイル機器向け1.5 A出⼒LDOレギュレータIC: TCR15AGシリーズ
2017年12月20日
メカニカルリレーからの置き換えが可能なFA/産業向け大電流フォトリレー発売について
2017年12月20日
業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET: TPH3R70APL、TPN1200APL
2017年12月19日
毎分10,500回転のエンタープライズ向け2.5型HDDのサンプル出荷開始について
2017年12月18日
業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
2017年12月15日
200 V、0.4 A小型フォトリレー: TLP3145
2017年12月14日
ピュアMOS採用のカーオーディオ用パワーアンプICのラインアップ追加について
2017年12月08日
世界初、CMR方式で記憶容量14TB を達成したニアラインHDDのサンプル出荷開始について
2017年12月07日
カーオーディオ向け4ch高効率リニアパワーアンプのサンプル出荷開始について
2017年12月07日
当社事業に関する一部報道について
2017年12月06日
車載向けBluetooth® low energy対応ICの製品化について
2017年12月05日
「SEMICON Japan 2017」への出展について ( (株) ジャパンセミコンダクター )
2017年12月05日
記憶容量10TBのNAS向け3.5型HDDのサンプル出荷開始について
2017年11月30日
ネクスティ エレクトロニクスと東芝マイクロエレクトロニクス ソフトウエア開発の合弁会社を設立
2017年11月30日
⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815R
2017年11月29日
第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65F