Contact us

Откроется новое окно Откроется новое окно

Биполярные транзисторы (в том числе с изолированным затвором), инжекционные транзисторы с обогащенным затвором

Введение

Биполярные транзисторы (в том числе с изолированным затвором), инжекционные транзисторы с обогащенным затвором

Компания Toshiba предлагает широкий ряд биполярных транзисторов для различных сфер применения, включая радиочастотные приборы и источники питания.

Инжекционный транзистор с обогащенным затвором (injection-enhanced gate transistor, IEGT) представляет собой управляемое напряжением устройство для переключения больших токов. Инжекционные транзисторы с обогащенным затвором идеально подходят для использования в промышленных системах управления двигателями, применяемых на объектах социальной инфраструктуры, в том числе в приводных системах и преобразователях мощности.

Линейки

Встроенные транзисторы с резистором цепи смещения

Биполярные
транзисторы

Многочиповые дискретные устройства

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом


Радиочастотные биполярные
транзисторы

Поддержка

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.