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IPDs für den Automobilbereich

Die IPDs für den Automobilbereich von Toshiba lassen sich direkt über einen Mikrocontroller steuern. Im Falle eines Lastkurzschlusses wird die Überstromschutzschaltung oder die thermische Abschaltung ausgelöst, um das ECU, in dem die IPDs verwendet werden, zu schützen. Die IPDs für den Automobilbereich von Toshiba verfügen auch über einen Diagnoseausgang, der den Status der Ausgänge meldet, und ein an einen Mikrocontroller angeschlossenes ECU, das eine problemlose Überwachung gewährleistet.

Produktliste

Palette der IPDs (Intelligent Power Devices)
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High-Side- und Low-Side-Leistungsschalter

Die High-Side- und Low-Side-Leistungsschalter von Toshiba umfassen Schutzschaltungen für Lastkurzschlüsse, Lastunterbrechungen und Ausgangskurzschlüsse an der Stromversorgung sowie für ungewöhnliche ECU-Zustände (Überhitzung). Die Leistungsschalter verfügen zudem über Diagnoseausgänge, welche Informationen an einen Mikrocontroller weiterleiten. Dadurch lässt sich die Anzahl der Komponenten verringern und die Zuverlässigkeit des ECU steigern. Die Leistungsschalter von Toshiba sind in kleinen Gehäusen wie SOP8, PS8 und WSON10 erhältlich, wodurch sie einen Beitrag zur Verkleinerung der ECUs leisten.

Anwendungsbeispiel eines High-Side-Leistungsschalters (TPD1055FA)

This figure shows the application for a High-Side Switch.

IPDs für die High-Side-Leistungsschalter-Produktlinie

Part Number Package
Outputs(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
Temperature
Topr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1052F PS-8 1 40 0.8 0.8 0.7
(mounted on
board)
1.2
(clamp)
0.8
(duty)
Min
150
Min
- - -40 to 125 5 to 18
TPD1053F SOP-8 1 60 3 0.12 1.1
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
-16 V Typ.
-40 to 125 5 to 18
TPD1055FA WSON10 1 40 3 0.12 1.84
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 5 to 18
TPD1060F
SOP-8 1 40 3 0.12 0.9
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 4 to 18

(*): In Entwicklung

  • VDSS: Drain-Source Voltage (V)
  • IO: Output Current (A)
  • RDS(ON)max: Maximum On-resistance @Tch=25°C (Ω)

IPDs für die Low-Side-Leistungsschalter-Produktlinie

Part Number Package
Outputs
(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1030F SOP-8 2 40 1 0.6 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 40
TPD1032F SOP-8 2 20 3 0.4 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 20
TPD1036F SOP-8 2 30 1.5 0.5 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1.5
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 30
TPD1044F PS-8 1 41 1 0.6 0.9
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
41V Min
- - - -40 to 125 up to 41
TPD1046F SOP-8 2 40 3 0.2 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 125 up to 20
TPD1054F PS-8 1 40 1 0.8 0.7
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5
TPD1058FA WSON10 1 40 6 0.1 1.84
(mounted
on board)
6
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5

(*): In Entwicklung

Gate-Treiber

Ein Halbleiter-Relaisschalter für hohe Stromstärken kann durch Kombination eines Gate-Treibers mit einem Leistungs-MOSFET hergestellt werden.

Reference Board

Beispiel für den Einsatz eines Leistungs-MOSFET-Treibers für die Steuerelektrode (TPD7102F)

This figure shows an application example for TPD7104F, Power MOSFET Gate Driver.

IPDs für Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber-Produktlinie

Part Number Package Configuration
Outputs
(ch)

Supply
Voltage
VDD(V)
Output
Current
IO(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Overvoltage/
Undervoltage
(V)
Battery
Reverse
Protection
Over-
current
Overvoltage/
Undervoltage
Over-
voltage
Under-
voltage
Open
Load
Over-
temperature
TPD7101F SSOP-24 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
2 30 Source
current
0.1A Typ.
Sink
current
0.1A Typ.
0.8 Adjustable - VDD: 4.5 V
Max
- - -40 to 110 8 to 18
TPD7102F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 25 Source
current
1mA Typ.
0.7 - VDD: 18 V
Min
- - High-side N-ch Power-
MOSFET VGS monitor
-40 to 125 7 to 18
TPD7104F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7104AF PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - -40 to 125 5 to 18
TPD7210F SSOP-24 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
30 Source
current
1A Max
Sink
current
1A Max
0.8 - - - - Input arm-short
detection-
-40 to 125 4.5 to 18
TPD7211F PS-8 Half-bridge
Power-
MOSFET
driver
(for high-side
P-ch
MOSFET drive)
2 30 Source
current
0.5A Max
Sink
current
0.5A Max
0.7 - - - - - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7212F** WQFN32 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
6 25 Source
current
-1.0A Max
Sink
current
+1.5A Max
TBD - VDL: 18 V
Typ.
- - -
(VDL)

(VDH, VDL)
-40 to 125 4.5 to 18

(*): In Entwicklung

* Hier genannte Systeme und Produktnamen sind unter Umständen Marken oder eingetragene Marken der entsprechenden Unternehmen oder Organisationen.

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