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IPD pour l'industrie automobile

Un microcontrôleur permet de piloter directement les IPD novateurs de Toshiba. En cas de charge en court-circuit, une protection contre la surintensité ou un arrêt thermique se déclenche et protège l’ECU au sein duquel fonctionne les IPD. Les IPD dédiés à l’automobile de Toshiba disposent également d’une sortie de diagnostic qui fournit un retour d’information sur l’état de leurs sorties, et d’un ECU connecté à un microcontrôleur pour faciliter la surveillance.

Liste des produits

Gamme de dispositifs d'alimentation intelligents (IPD)
Vous pouvez effectuer une recherche dans toute notre offre de dispositifs d'alimentation intelligents (IPD) afin de trouver celui qui répond à vos besoins.

Interrupteurs de puissance côté haut et côté bas

Les interrupteurs de puissance côté haut et côté bas intègrent des circuits de protection contre les charges en court-circuit, les charges ouvertes et les court-circuits en sortie vers l’alimentation, ainsi qu’une condition d’ECU anormale (surchauffe). Ces interrupteurs de puissance disposent également de sorties de diagnostic qui acheminent un retour d’information vers un microcontrôleur. Ils contribuent ainsi à diminuer le nombre de composants et à améliorer la fiabilité de l’ECU. Les interrupteurs de puissance de Toshiba sont disponibles dans des boîtiers de taille réduite, tels que les SOP8, PS8 et WSON10, ce qui contribue à diminuer la taille des ECU.

Exemple d’application d’un interrupteur de puissance côté haut (TPD1055FA)

This figure shows the application for a High-Side Switch.

IPD pour la gamme d’interrupteurs côté haut

Part Number Package
Outputs(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
Temperature
Topr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1052F PS-8 1 40 0.8 0.8 0.7
(mounted on
board)
1.2
(clamp)
0.8
(duty)
Min
150
Min
- - -40 to 125 5 to 18
TPD1053F SOP-8 1 60 3 0.12 1.1
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
-16 V Typ.
-40 to 125 5 to 18
TPD1055FA WSON10 1 40 3 0.12 1.84
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 5 to 18
TPD1060F
SOP-8 1 40 3 0.12 0.9
(mounted on
board)
3
Min
150
Min
- -40 to 125 4 to 18

(*) : En cours de développement

  • VDSS: Drain-Source Voltage (V)
  • IO: Output Current (A)
  • RDS(ON)max: Maximum On-resistance @Tch=25°C (Ω)

IPD pour la gamme d’interrupteurs côté bas

Part Number Package
Outputs
(ch)
VDSS
(V)
IO
(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
RDS(ON)
(Ω) Max
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Over-
temperature
(°C)
Over-
voltage
(V)
Over-
current
Open
Load
Over-
temperature
TPD1030F SOP-8 2 40 1 0.6 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 40
TPD1032F SOP-8 2 20 3 0.4 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 20
TPD1036F SOP-8 2 30 1.5 0.5 2.0
(t = 10 s)
(mounted
on board)
1.5
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 110 up to 30
TPD1044F PS-8 1 41 1 0.6 0.9
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
41V Min
- - - -40 to 125 up to 41
TPD1046F SOP-8 2 40 3 0.2 0.95
(mounted
on board)
3
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
- - - -40 to 125 up to 20
TPD1054F PS-8 1 40 1 0.8 0.7
(mounted
on board)
1
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5
TPD1058FA WSON10 1 40 6 0.1 1.84
(mounted
on board)
6
Min
150
Min
Active
clamp
40 V Min
-40 to 125 VOUT =
up to 40
VDD =
4.5 to 5.5

(*) : En cours de développement

Commandes de grille

Une commande de grille et un MOSFET de puissance permettent de construire un commutateur de relais à semi-conducteur pour courant élevé.

Reference Board

Exemple d'application de commande de porte à MOSFET (TPD7102F)

This figure shows an application example for TPD7104F, Power MOSFET Gate Driver.

Gamme d’IPD pour commande de grille de MOSFET de puissance

Part Number Package Configuration
Outputs
(ch)

Supply
Voltage
VDD(V)
Output
Current
IO(A)
Characteristics
Operating
TemperatureTopr
(°C)

Operating
Supply
Voltage(V)
Power
Dissipation
PD(W)
Protective Functions Diagnostic Functions
Over-
current
(A)
Overvoltage/
Undervoltage
(V)
Battery
Reverse
Protection
Over-
current
Overvoltage/
Undervoltage
Over-
voltage
Under-
voltage
Open
Load
Over-
temperature
TPD7101F SSOP-24 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
2 30 Source
current
0.1A Typ.
Sink
current
0.1A Typ.
0.8 Adjustable - VDD: 4.5 V
Max
- - -40 to 110 8 to 18
TPD7102F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 25 Source
current
1mA Typ.
0.7 - VDD: 18 V
Min
- - High-side N-ch Power-
MOSFET VGS monitor
-40 to 125 7 to 18
TPD7104F PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7104AF PS-8 High-side
Power-
MOSFET
driver
(with built-in
charge pump)
1 24 Source
current
Internal
capacity
Sink
current
0.5mA Max
0.7 Adjustable VOUT: VDD
+ 15.7 V
Typ.
- - - -40 to 125 5 to 18
TPD7210F SSOP-24 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
30 Source
current
1A Max
Sink
current
1A Max
0.8 - - - - Input arm-short
detection-
-40 to 125 4.5 to 18
TPD7211F PS-8 Half-bridge
Power-
MOSFET
driver
(for high-side
P-ch
MOSFET drive)
2 30 Source
current
0.5A Max
Sink
current
0.5A Max
0.7 - - - - - - - -40 to 125 5 to 18
TPD7212F WQFN32 Power-
MOSFET
driver for
3-phase bridge
(with built-in
charge pump)
6 25 Source
current
-1.0A Max
Sink
current
+1.5A Max
TBD - VDL: 18 V
Typ.
- - -
(VDL)

(VDH, VDL)
-40 to 125 4.5 to 18

(*) : En cours de développement

* Les noms de système et de produit mentionnés peuvent être des marques commerciales ou déposées de leurs sociétés ou entreprises respectives.

Contacts

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Questions techniques
Questions concernant les achats, l'échantillonnage et la fiabilité des circuits intégrés
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