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Gamme de MOSFET

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400V - 900V MOSFETs

Les MOSFET 400 V - 900 V sont utilisés pour les applications d'alimentation et les convertisseurs. Toshiba propose les MOSFET Super Junction pour les applications d'alimentation à haut rendement et les MOSFET D-MOS (double diffusion) pour les applications d'alimentation à bas rendement.

Gammes de produits

N-ch Super Junction
N-ch D-MOS

Introduction

Série DTMOS 

DTMOS désigne une gamme de MOSFET Super Junction pour les chargeurs rapides, les alimentations à grande échelle dans l'industrie, ainsi que les autres applications d'alimentation à haut rendement. Un MOSFET Super Junction offre une résistance à l'état passant moindre qu'un MOSFET du même boîtier de la série π-MOS. En d'autres termes, un MOSFET Super Junction ayant la même résistance à l'état passant qu'un MOSFET de la série π-MOS est disponible dans un boîtier plus petit. Ainsi, la technologie DTMOS est parfaite pour réduire la taille et améliorer le rendement des alimentations.

Série π-MOS  

π-MOS désigne un MOSFET D-MOS (double diffusion) pour applications d'alimentation à bas rendement, telles que les adaptateurs 65 W ou moins pour notebooks et consoles de jeu. La vitesse de commutation d'un modèle de la série π-MOS étant moyenne, le bruit des interférences magnétiques est moindre et son emploi plus facile.

Power Supply for Consumer Appliances

  • Technologie

    Le boîtier à quatre broches TO-247-4L est pourvu d'une connexion Kelvin pour le terminal source de commande de grille, afin de réduire l'inductance du câblage de la source interne et permettre ainsi à un MOSFET d'atteindre une vitesse de commutation élevée.
    En savoir plus

Documents

Whitepaper

Whitepaper
Name outline Date of issue
Evolution of Devices Supporting Power
Electronics and Expansion of Technologies for
Mounting, Circuits, and Application to Products
8/2017

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Optimising power deisng through MOSFET efficiency and intergration 8/2017

user registration

Cordless Power Tools: Delivering High Output Power, Extended Operation and Smaller Form Factors 10/2017

user registration

Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

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Application note

Application note
Name outline Date of issue
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

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Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

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Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016
Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017

Catalog

Catalog
Name outline Date of issue
Describes the lineups of power and small-signal MOSFETs by package 3/2016

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