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MOSFET Product lineup

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400V - 900V MOSFETs

Die 400-V- bis 900-V-MOSFETs werden für Schaltnetzteil- und Wechselrichtermotoranwendungen verwendet. Toshiba bietet eine Super-Junction-MOSFET-Serie für Stromversorgungsanwendungen mit hoher Leistung und eine D-MOS (doppelt gestreut) MOSFET-Serie für Stromversorgungsanwendungen mit niedriger Leistung an.

Lineups

N-ch Super Junction
N-ch D-MOS

Introduction

DTMOS -Serie

Bei DTMOS handelt es sich um eine Super-Junction-MOSFET-Serie, die für schnelle Ladegeräte, große Stromversorgung für Industrieanwendungen sowie andere Stromversorgungsanwendungen mit hoher Leistung geeignet ist. Ein Super-Junction.MOSFET verfügt über einen geringeren Durchlasswiderstand als ein MOSFET im selben Gehäuse der π-MOS-Serie. Mit anderen Worten: Ein Super-Junction.MOSFET mit demselben Durchlasswiderstand wie ein MOSFET der π-MOS-Serie ist in einem kleineren Gehäuse verfügbar. Aus diesem Grund ist DTMOS hervorragend dafür geeignet die Größe der Netzteile zu reduzieren und die Effizienz der Stromversorgung zu erhöhen.

π-MOS -Serie

Bei π-MOS handelt es sich um eine D-MOS (doppelt gestreut) MOSFET-Serie, die für Stromversorgungsanwendungen mit niedriger Leistung geeignet ist, einschließlich Notebook-PC- oder Spielekonsoleadaptern mit 65 Watt oder niedriger. Da die Schaltgeschwindigkeit der π-MOS-Serie nicht so schnell ist, erzeugt es keine großen elektromagnetischen Störungen und ist daher einfach zu verwenden.

Power Supply for Consumer Appliances

  • Gehäuse-Technologie

    Das vierpolige TO-247-4L-Gehäuse verwendet eine Kelvin-Verbindung für den Gate-Treiber Source-Anschluss, um die Induktivität der internen Source-Verdrahtung zu reduzieren und dadurch einem MOSFET-Chip zu ermöglichen, eine hohe Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
    Weitere Informationen

Dokumente

Whitepaper

Whitepaper
Name outline Date of issue
Evolution of Devices Supporting Power
Electronics and Expansion of Technologies for
Mounting, Circuits, and Application to Products
8/2017

user registration

Optimising power deisng through MOSFET efficiency and intergration 8/2017

user registration

Cordless Power Tools: Delivering High Output Power, Extended Operation and Smaller Form Factors 10/2017

user registration

Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

user registration

Application note

Application note
Name outline Date of issue
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

user registration

Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

user registration

Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016
Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017

Catalog

Catalog
Name outline Date of issue
Describes the lineups of power and small-signal MOSFETs by package 3/2016

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