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Lineup di prodotto MOSFET

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400V - 900V MOSFETs

I MOSFET da 400-V a 900-V sono utilizzati per gli alimentatori switching e gli inverter di motori. Toshiba offre una serie di MOSFET a supergiunzione adatta per applicazioni di alimentazione ad alta potenza e una serie di MOSFET D-MOS (double diffused) adatta ad applicazioni di alimentazione a bassa potenza.

Lineup

N-ch Super Junction
N-ch D-MOS

Introduction

DTMOS Serie  

DTMOS è una serie di MOSFET a supergiunzione adatta per alimentatori a carica rapida su larga scala per l'industria e altre applicazioni di alimentazione ad alta potenza. Un MOSFET a supergiunzione fornisce una resistenza di conduzione inferiore rispetto a un MOSFET nello stesso package della serie π-MOS. In altre parole, un MOSFET a supergiunzione con la stessa resistenza di conduzione di un MOSFET della serie π-MOS consente l'uso di package più piccoli. Pertanto, i DTMOS sono particolarmente indicati per ridurre le dimensioni e migliorare l'efficienza degli alimentatori.

Serie π-MOS  

π-MOS è una serie di MOSFET D-MOS (double diffused) adatta ad applicazioni di alimentazione a bassa potenza, compresi gli alimentatori a 65 W o a wattaggio inferiore per notebook e console di gioco. Poiché la velocità di commutazione della serie π-MOS non è particolarmente rapida, non genera sostanziali disturbi EMI ed è quindi facile da usare.

Power Supply for Consumer Appliances

  • Tecnologia del packaging

    Il package A-247-4L a quattro pin utilizza un collegamento Kelvin per il terminale source drive-gate, al fine di ridurre l'induttanza del cablaggio source interno e consentire a un chip MOSFET di raggiungere una velocità di commutazione elevata.
    leggi tutto

Documenti

Whitepaper

Whitepaper
Name outline Date of issue
Evolution of Devices Supporting Power
Electronics and Expansion of Technologies for
Mounting, Circuits, and Application to Products
8/2017

user registration

Optimising power deisng through MOSFET efficiency and intergration 8/2017

user registration

Cordless Power Tools: Delivering High Output Power, Extended Operation and Smaller Form Factors 10/2017

user registration

Describes the features of the new package and an operation analysis using simulation 9/2017

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Application note

Application note
Name outline Date of issue
Describes the guidelines for the design of a gate driver circuit for MOSFET switching applications and presents examples of gate driver circuits 11/2017

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Describes current imbalance in parallel MOSFETs and the mechanism of parasitic oscillation 11/2017

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Describes the oscillation mechanism of MOSFETs for switching applications 11/2017

user registration

describes how to reduce the chip temperature of discrete semiconductor devices. 12/2017
Describes planar, trench and super-junction power MOSFETs 11/2016
Describes the absolute maximum ratings, thermal impedance and safe operating area of power MOSFETs 11/2016
Describes electrical characteristics shown in datasheets 11/2016
Describes how to select power MOSFETs, temperature characteristics, the impacts of wires and parasitic oscillation, avalanche ruggedness, snubber circuits and so on 11/2016
Describes thermal equivalent circuits, examples of channel temperature calculation and considerations for heatsink attachment 2/2017

Catalog

Catalog
Name outline Date of issue
Describes the lineups of power and small-signal MOSFETs by package 3/2016

Video


Parametric Search


Lineup di prodotto MOSFET

È possibile ricercare l'intero portafoglio MOSFET per i dispositivi che soddisfano le singole specifiche prestazionali.

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