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リリース年
製品カテゴリー
ニュースカテゴリー
2022年07月22日
低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発
2022年04月14日
東芝技術広告「有村架純の未来ラボ」、「パワー半導体」編・「量子暗号通信」編の展開について ~社会課題を解決する先端技術を有村研究員と後輩研究員の掛け合いで紹介~
2022年03月02日
NEDO「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」 プロジェクトに採択~次世代高耐圧電力変換器向けSiCモジュールの開発について~
2022年01月26日
産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について
2021年06月23日
SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発
2021年05月10日
高信頼性と小型化を実現したSiCモジュール向けパッケージ技術を開発
2021年02月25日
産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について
2020年10月19日
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について
2020年07月30日
SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発
2020年07月16日
電源PFCの高効率化に貢献する650 V SiC SBDのラインアップ拡充 : TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FB
2020年05月26日
電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD : TRS12A65F、TRS12E65F
2017年11月29日
第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65F
2017年10月17日
第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加
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