MOSFETs / Junction FETs

1. Small-Signal MOSFET

2. Pin count

3. Polarity and internal configuration

K ： N-channel, single
J ： P-channel, single
N ： N-channel, dual
P ： P-channel, dual
L ： N-channel and P-channel (dual)
E ： N-channel and P-channel (pre-wired as a load switch)
H ： N-channel and SBD
G ： P-channel and SBD
Q ： PNP and P-channel

4. Serial number of the products

5. Package

1. Package

TPC6：VS-6 Series

TPCF8：VS-8 Series

TPCP8：PS-8 Series

TPCC8：TSON Advance Series

TPC8：SOP-8 Series

TPCA8：SOP Advance Series

2. Polarity / Configuration

0: N-channel, single

1: P-channel, single

2: N-channel, dual

3: P-channel, dual

4: N-channel and P-channel, dual

A: N-channel and SBD

B: P-channel and SBD

J: P-channel and NPN

3. Serial number of the products

4. Additional information

-H：High-speed type

None:Low-on-resistance type

1. Package

TPN ： TSON Advance Series
TPW： DSOP Advance Series
TP8 ： SOP-8 Series
TPH ： SOP Advance Series
          SOP Advance(N) Series
TPE： SOP Advance(E) Series　

2. Max. on-resistance
 (at max drive conditions)

R46 = 0.46 mΩ
4R6 = 4.6 mΩ
100 = 10 x 10⁰ = 10 mΩ
101 = 10 x 10¹ = 100 mΩ

3. Polarity / Configuration

0 ： Single N-ch
1 ： Single P-ch
2 ： Dual N-ch
3 ： Dual P-ch
4 ： Dual N-ch + P-ch
A ： Dual N-ch MOS + SBD
B ： Dual P-ch MOS + SBD

4. Drain-source voltage (V_DSS)

3： 25 to 34 V
4： 35 to 44 V
5： 45 to 54 V
6： 55 to 64 V
7： 65 to 74 V
8： 75 to 84 V
9： 85 to 94 V
A： 95 to 124 V
B： 125 to 149 V
C： 150 to 179 V
D： 180 to 199 V
E： 200 to 249 V
F： 250 to 299 V

5. Series

G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX 

6. Additional information

1 to 4： Serial number of products
5： HSD (high speed recovery diode) type
A： V_GS = 10 V (Drive)
B： V_GS = 6 V (Drive)
C： V_GS = 4.5 V (Drive)
D： V_GS = 2.5 V (Drive)
E： V_GS = 2.0 V (Drive)
F： V_GS = 1.8 V (Drive)
G： V_GS = 1.5 V (Drive)
H： Low-r_g, V_GS = 10 V (Drive)
J： V_GS = 1.2 V (Drive)
M： Low-r_g, V_GS = 6 V (Drive)
L： Low-r_g, V_GS = 4.5 V (Drive)
Q： T_ch(max) = Guaranteed up to 175°C + ZD
R： T_ch(max) = Guaranteed up to 150°C + ZD
S： T_ch(max) = Guaranteed up to 175°C
T： T_ch(max) = Guaranteed up to 150°C
U： Low spike

1. Package

XPN： TSON Advance
XP8： SOP-8
XPH： SOP Advance
XPJ： S-TOGL
XPQ： L-TOGL
XPY： TO-Leadless
XPW： DSOP Advance

2. Max. on-resistance
 (at max drive conditions)

R46 = 0.46mOhm
4R6 = 4.6mOhm
100 = 10 x 10⁰ = 10mOhm
101 = 10 x 10¹ = 100mOhm

3. Polarity / Configuration

0 ： Single N-ch
1 ： Single P-ch

4. Drain-source voltage (V_DSS)

4： 35 to 44 V
6： 55 to 64 V
8： 75 to 84 V
A： 95 to 124 V

5. Series

K： U-MOSIV
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX 

6. Additional information

1 to 4： Serial number of products
5： HSD (high speed recovery diode) type
A： V_GS = 10 V (Drive)
B： V_GS = 6 V (Drive)
C： V_GS = 4.5 V (Drive)
D： V_GS = 2.5 V (Drive)
S： T_ch(max) = Guaranteed up to 175°C

1.

TK: N-channel
TJ: P-channel

2. Drain current (I_D)

3. Package

A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
S： DPAK+
V： DFN8x8
Z： TO-247-4L (4-pin)

4. Drain-source voltage(V_DSS）：

Display value × 10 times = V_DSS

06：V_DSS = 60 V
10：V_DSS = 100 V

5. Series

A： π-MOSIV
C： π-MOSVI
D： π-MOSVII
E： π-MOSVIII
J： U-MOSIII
K： U-MOSIV
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
U： DTMOSII
V： DTMOSIII
W： DTMOSIV
X： DTMOSIV-H

6. Additional information (1)

1: Low-capacitance type
3: Low-on-resistance type
5: Fast body diode type

7. Additional information (2)

H : V_GS = 10 V　(Drive）
M : V_GS = 6 V （Drive）
L : V_GS = 4.5 V （Drive）
Z : With protection Zener diode between gate and source

1.

TK: N-channel
TJ: P-channel

2.

Max, on-resistance
VDSS = 400 V less than the product
(at max drive conditions)

R74 = 0.74 mΩ
8R2 = 8.2 mΩ
100 = 10 x 10⁰ = 10 mΩ
101 = 10 x 10¹ = 100 mΩ

Max, on-resistance
V_DSS = 400 V or more products
(at max drive conditions)

047 = 0.047 Ω
410 = 0.41 Ω
4K7 = 4.7 Ω

3. Package

A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
R： D2PAK+
S： DPAK+
U： TOLL
V： DFN8x8
Z： TO-247-4L (4-pin)

4. Drain-source voltage(V_DSS）：
  Display value × 10 times = V_DSS

04：V_DSS = 40 V
10：V_DSS = 100 V

5. Series

F： π-MOSⅨ
G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Q： U-MOSX
Y： DTMOSⅤ
Z： DTMOSⅥ

6. Additional information

1 to 4 : Serial number of products
5 : HSD (high speed recovery diode) type
A : V_GS = 10 V (Drive)
B : V_GS = 6 V (Drive)
C : V_GS = 4.5 V (Drive)
H : Low-r_g, V_GS = 10 V（Drive）
M : Low-r_g, V_GS = 6 V（Drive）
L : Low-r_g, V_GS = 4.5 V（Drive）
R : High r_g (Internal Gate Resistance) type