MOSFETs / Junction FETs
JEITA registration Item Series (EX. 2SK****/2SJ****)
Small-Signal MOSFET (SSM) Series (EX. SSM3K102TU)
1. Small-Signal MOSFET
2. Pin count
3. Polarity and internal configuration
K ： N-channel, single
J ： P-channel, single
N ： N-channel, dual
P ： P-channel, dual
L ： N-channel and P-channel (dual)
E ： N-channel and P-channel (pre-wired as a load switch)
H ： N-channel and SBD
G ： P-channel and SBD
Q ： PNP and P-channel
4. Serial number of the products
5. Package
| 3-pin | F： S-Mini FU： USM FS： SSM FV： VESM T： TSM TU： UFM CT： CST3 CTB： CST3B R： SOT-23F |
|---|---|
| 4-pin | CT： CST4 |
| 5-pin | F： SMV FU： USV FE： ESV TU： UFV |
| 6-pin | FU： US6 FE： ES6 TU： UF6 CTD： CST6D NU： UDFN6/UDFN6B |
Conventional Multi-Pin Series (EX. TPC8067-H)
1. Package
TPC6：VS-6 Series
TPCF8：VS-8 Series
TPCP8：PS-8 Series
TPCC8：TSON Advance Series
TPC8：SOP-8 Series
TPCA8：SOP Advance Series
2. Polarity / Configuration
0: N-channel, single
1: P-channel, single
2: N-channel, dual
3: P-channel, dual
4: N-channel and P-channel, dual
A: N-channel and SBD
B: P-channel and SBD
J: P-channel and NPN
3. Serial number of the products
4. Additional information
-H：High-speed type
None:Low-on-resistance type
New Multi-Pin Series (EX. TPH4R606NH)
1. Package
TP6 ： VS-6 Series
TPF ： VS-8 Series
TPP ： PS-8 Series
TPN ： TSON Advance Series
TPW： DSOP Advance Series
TP8 ： SOP-8 Series
TPH ： SOP Advance Series
2. Max. on-resistance
(at max drive conditions)
R46 = 0.46 mΩ
4R6 = 4.6 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ
3. Polarity / Configuration
0 ： Single N-ch
1 ： Single P-ch
2 ： Dual N-ch
3 ： Dual P-ch
4 ： Dual N-ch + P-ch
A ： Dual N-ch MOS + SBD
B ： Dual P-ch MOS + SBD
4. Drain-source voltage (VDSS)
2： 15 to 24 V
3： 25 to 34 V
4： 35 to 44 V
5： 45 to 54 V
6： 55 to 64 V
7： 65 to 74 V
8： 75 to 84 V
A： 95 to 124 V
B： 125 to 149 V
C： 150 to 179 V
D： 180 to 199 V
E： 200 to 249 V
F： 250 to 299 V
5. Series
G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
6. Additional information
1 to 5: Serial number of the products
A： VGS = 10 V (Drive)
B： VGS = 6 V (Drive)
C： VGS = 4.5 V (Drive)
D： VGS = 2.5 V (Drive)
E： VGS = 2.0 V (Drive)
F： VGS = 1.8 V (Drive)
H： Low-rg, VGS = 10 V (Drive)
M： Low-rg, VGS = 6 V (Drive)
L： Low-rg, VGS = 4.5 V (Drive)
Q： Tch(max) = Guaranteed up to 175°C + ZD
R： Tch(max) = Guaranteed up to 150°C + ZD
S： Tch(max) = Guaranteed up to175°C
T： Tch(max) = Guaranteed up to150°C
3-Pin Series (EX.TK40S10K3Z)
1.
TK: N-channel
TJ: P-channel
2. Drain current (ID)
3. Package
A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
S： DPAK+
V： DFN8x8
Z： TO-247 4L (4-pin)
4. Drain-source voltage(VDSS）：
Display value × 10 times = VDSS
06：VDSS=60 V
10：VDSS=100 V
5. Series
A： π-MOSIV
C： π-MOSVI
D： π-MOSVII
E ： π-MOSVIII
J ： U-MOSIII
K： U-MOSIV
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
U： DTMOSII
V ： DTMOSIII
W： DTMOSIV
X ： DTMOSIV-H
6. Additional information (1)
1: Low-capacitance type
3: Low-on-resistance type
5: Fast body diode type
7. Additional information (2)
H : VGS = 10 V (Drive）
M : VGS = 6 V （Drive）
L : VGS = 4.5V （Drive）
Z ：With protection Zener diode between gate and source
New 3-Pin Series (EX. TKR74F04PB)
1.
TK: N-channel
TJ: P-channel
2.
Max, on-resistance
VDSS = 400 V less than the product
(at max drive conditions)
R74 = 0.74 mΩ
8R2 = 8.2 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ
Max, on-resistance
VDSS = 400 V or more products
(at max drive conditions)
047 = 0.047 Ω
410 = 0.41 Ω
4K7 = 4.7 Ω
3. Package
A： TO-220SIS
C： I2PAK
E： TO-220
F： TO-220SM（W）
G： D2PAK
J： TO-3P（N）
L： TO-3P（L）
M： TO-3P（N）IS
N： TO-247
P： DPAK/New PW-Mold
Q： IPAK/ New PW Mold2
R： D2PAK+
S： DPAK+
V： DFN8x8
Z： TO-247 4L (4-pin)
4. Drain-source voltage(VDSS）：
Display value × 10 times = VDSS
04：VDSS=40 V
10：VDSS=100 V
5. Series
G： U-MOSVII
M： U-MOSVI
N： U-MOSVIII
P： U-MOSIX
Y： DTMOSⅤ
6. Additional information
A: VGS = 10 V (Drive)
B: VGS = 6 V (Drive)
C: VGS = 4.5 V (Drive)
H : Low-rg, VGS = 10V（Drive）
M : Low-rg, VGS = 6V（Drive）
L : Low-rg, VGS = 4.5V（Drive）