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TPC6012

新規設計非推奨

パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V)

製品概要

用途 ノートブックPC / 携帯電子機器
極性 N-ch
世代 U-MOSⅣ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 マレーシア

パッケージ

東芝パッケージ名 VS-6
ピン数 6

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 20 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-12 V
ドレイン電流 ID 6.0 A
許容損失 PD 2.2 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.2 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 38
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 20
入力容量 (Typ.) Ciss - 630 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=5V 9.0 nC

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