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SiC MOSFETモジュール

新材料のSiC(シリコンカーバイド)を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi(シリコン)製パワー半導体(IGBT)と比べて、高速スイッチング性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は、鉄道車両向けコンバーター、インバーター等の電力変換装置、太陽光発電インバーターの電力変換装置等の産業用途向け機器の高耐圧化、電流の大容量化のニーズに対応しました。これにより、低損失化、小型化に最適なデバイスを提供します。

MG800FXF2YMS3

取付互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用、鉄道車両向けコンバータ、インバータ等の電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなどの産業用途向け機器の高効率化、小型化のニーズに対応します。

MG600Q2YMS3(1200V/600A Dual, 開発中)/ MG400V2YMS3(1700V/400A Dual, 開発中)

業界標準パッケージを採用しつつ低寄生インダクタンスを実現し、新開発のSiC MOSFET/SBDチップを搭載したモジュールを開発中です。太陽光発電インバーター、産業用インバーター、電鉄車両用コンバーター、インバーター等の用途に対応し、高速スイッチングおよび低損失動作により産業機器の小型化・軽量化に貢献します。

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