SiC MOSFETモジュール

新材料のSiC（シリコンカーバイド）を使用したパワー半導体は、現在主流であるSi（シリコン）製パワー半導体（IGBT）と比べて、高速スイッチング性を実現し、高温環境下での動作に優れています。当社は、鉄道車両向けコンバーター、インバーター等の電力変換装置、太陽光発電インバーターの電力変換装置等の産業用途向け機器の高耐圧化、電流の大容量化のニーズに対応しました。これにより、低損失化、小型化に最適なデバイスを提供します。

技術記事

MG800FXF2YMS3(3300 V/800 A 2in1)

取り付け互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用、鉄道車両向けコンバーター、インバーター等の電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなどの産業用途向け機器の高効率化、小型化に貢献します。

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MG250YD2YMS3(2200 V/250 A 2in1)

一般的なシリコン(Si)IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換性があります。さらに一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

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MG400V2YMS3(1700 V/400 A 2in1)

一般的なシリコン(Si)IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換性があります。さらに一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、電鉄車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

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MG600Q2YMS3(1200 V/600 A 2in1)

一般的なシリコン(Si)IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換性があります。さらに一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、産業機器向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

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MOSFET / SiC MOSFETモジュール

SiC MOSFETモジュールの特長
当社のSiC MOSFETモジュールは、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。

MOSFET / SiC MOSFETモジュール

東芝 SiC MOSFETモジュールの特長
IGBTモジュールと比較して、SiC MOSFETモジュールの低損失特性により総損失(スイッチング損失＋導通損失) を低減できます。また、高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよび ヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。

ドキュメント

名称 日付

アプリケーション

メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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