セミコンダクタートップ
キーワード検索
- 品番検索
- クロスリファレンス検索
- キーワード検索
- パラメトリック検索
- オンラインディストリビューター在庫検索
本機能は Internet Explorer 11 ではご利用頂けません。最新のGoogle Chrome, Microsoft Edge, Mozilla Firefox, Safariにてご利用ください。
品番は3文字以上指定して下さい。
クロスリファレンス検索で表示される情報について
クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
品番は3文字以上指定して下さい。
オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。
IEGT (PPI)
PPIはPress Pack IEGTの略で、IEGTチップを内蔵した圧接型のハイパワーデバイスです。低損失・高破壊耐量IEGTチップと高信頼性パッケージの組み合わせにより、機器の省エネ化と小型・効率化に貢献します。
技術記事
圧接型パッケージ PPI (Press Pack IEGT)
IEGTチップを同一面上に配置し、上下からチップを個別にモリブデン板で均一に圧接しています。チップのコレクターとエミッターの電極は、このモリブデン板を介して、それぞれコレクターとエミッターの銅電極に機械的圧接力で接触させ、電気的接続と放熱を行います。
IEGTの基本原理
IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター）の略でIGBT*のエミッターの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子です。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイスです。
* IGBT： Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)
* IGBT： Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター)
ドキュメント
関連情報
別ウインドウにて開きます