IEGT (PPI)

新製品ST2000JXH35Aは、セル構造を最適化した新開発のトレンチ型IEGTチップを採用しています。これにより、高遮断耐量と高短絡耐量を実現し、高電圧が求められるアプリケーションへの対応が可能です。

IEGTチップを同一面上に配置し、上下からチップを個別にモリブデン板で均一に圧接しています。チップのコレクターとエミッターの電極は、このモリブデン板を介して、それぞれコレクターとエミッターの銅電極に機械的圧接力で接触させ、電気的接続と放熱を行います。

IEGTはInjection Enhanced Gate Transistor (電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター) の略でIGBT*のエミッターの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子です。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイスです。