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XPW6R30ANB

新製品

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

製品概要

用途 DC-DCコンバータ / 車載 / スイッチングレギュレータ / モータドライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅧ-H
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 日本

パッケージ

東芝パッケージ名 DSOP Advance(WF)M
外観 DSOP Advance(WF)M
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
5.0×6.0×0.76
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 100 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 45 A
許容損失 PD 132 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 3.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 9.5
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 6.3
入力容量 (Typ.) Ciss - 3240 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 52 nC
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名称 日付

2020年01月

 

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