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SSM6L35FU

小型・低オン抵抗MOSFET

製品概要

用途 高速スイッチング / アナログスイッチ
極性 N-ch + P-ch
世代 π-MOSⅥ / π-MOSⅥ
内部接続 独立
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり
組立て拠点情報 日本 / タイ

(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 US6
外観 US6
JEITA SC-88
パッケージコード SOT-363
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.0×2.1×0.9
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 (Q1) VDSS 20 V
ゲート-ソース間電圧 (Q1) VGSS +/-10 V
ドレイン電流 (Q1) ID 180 mA
ドレイン-ソース間電圧 (Q2) VDSS -20 V
ゲート-ソース間電圧 (Q2) VGSS +/-10 V
ドレイン電流 (Q2) ID -100 mA
許容損失 PD 0.2 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1) (Max) Vth - 1.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=1.2V 20 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=1.5V 8.0 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=2.5V 4.0 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1) (Max) RDS(ON) VGS=4V 3.0 Ω
入力容量 (Q1) (Typ.) Ciss - 9.5 pF
ゲートしきい値電圧 (Q2) (Max) Vth - -1.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-4V 8.0 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-2.5V 11 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-1.5V 22 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q2) (Max) RDS(ON) VGS=-1.2V 44 Ω
入力容量 (Q2) (Typ.) Ciss - 12.2 pF
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名称 日付

2016年10月

2020年01月

2020年01月

 

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC-Q100
AEC-Q101
SSM6L35FU,LXGF 3000 - Yes Yes

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