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TPCP8303

生産終了予定

パワーMOSFET (P-ch 2素子)

製品概要

用途 リチウムイオン2次電池 / ノートブックPC / 携帯電子機器
極性 P-ch×2
世代 U-MOSⅤ
内部接続 独立
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 PS-8
外観 PS-8
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
2.9×2.8×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 (Q1/Q2) VDSS -20 V
ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) VGSS +/-8 V
ドレイン電流 (Q1/Q2) ID -3.8 A
許容損失 PD 1.48 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) Vth - -1.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 46
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 60
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 90
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) RDS(ON) |VGS|=1.5V 144
入力容量 (Q1/Q2) (Typ.) Ciss - 640 pF
ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.) Qg VGS=-5V 10 nC

ドキュメント

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名称 日付

 

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