Contact us

Es wird ein neues Fenster geöffnet Es wird ein neues Fenster geöffnet

Effizientere Leistungswandlung mit neuen MOSFETs

Effizientere Leistungswandlung mit neuen MOSFETs

Für Schaltnetzteile wird eine immer energieeffizientere Leistungswandlung  gefordert. Deshalb werden  Superjunction-Mosfets  von energiebewussten Designern bevorzugt eingesetzt. Superjunction-Technologie ermöglicht kleinere Chips und damit Platzeinsparungen und  höhere Stromdichte . Dies geht auch mit neuen Anforderungen einher, z.B. einer verbesserten Rauschleistung.

Geringere elektromagnetische Störungen (EMI) sind gerade in hochwertigen Stromversorgungen für LCD-TV-Geräte, LED-Beleuchtung, Medizintechnik, Notebooks und Tablets wünschenswert.

Toshibas Deep Trench MOSFETs (DTMOS-Bausteine) sind seit einiger Zeit führend in Sachen Leistungsfähigkeit. Die neueste (fünfte) Generation der DTMOS-V-Superjunction-Bausteine bietet ein ausgewogenes Verhältnis aus geringen Störungen und hoher Schaltleistung mittels eines modifizierten Gate-Aufbaus, was zu einer erhöhten Rückführkapazität zwischen Gate und Drain (Crss oder Cgd) führt.

Die abgestrahlten Störungen sind vergleichbar zu anderen Bausteinen mit geringen EMI-Werten,  jedoch bietet DTMOS V einen überlegenen Durchlasswiderstand, der charakteristisch für die Superjunction-Technologie ist. Eingesetzt z.B. in einem PFC-Schaltkreis, sorgen die n-Kanal 0,38mΩ 600V-MOSFETs der fünften Generation für eine wesentliche EMI-Reduktion.

Die neuen MOSFETs bieten Entwicklern von Stromversorgungen noch andere erhebliche Vorteile wie eine um 30% verbesserte Leistungszahl (FOM; Figure of Merit) beim Wert Durchlasswiderstand x Chipgröße (Ron * A).

Auch die Auswirkungen der Temperatur auf RDS(ON) verringern sich, was eine konstante Leistungsfähigkeit garantiert. Im Vergleich zu anderen Bausteinen im Wettbewerb und früheren DTMOS-Generationen ist der RDS(ON) bei hohen Temperaturen um 15% geringer. Dadurch lassen sich Kosten durch weniger aufwändiges Wärmemanagement einsparen.

Die Body-Diode erzielt eine schnelle Erholzeit selbst bei hohen Temperaturen, was zu geringeren Leistungsverlusten, weniger Wärmeerzeugung und einem thermisch effizienteren Design führt.

Daneben verringert der Superjunction-Prozess auch die Ausgangskapazität COSS um 12%. Dies führt zu einer geringeren Verlustenergie im Baustein, die bei jedem Schaltzyklus abgeführt werden muss. Damit eignet sich DTMOS ideal für schnell schaltende und resonante Topologien, wie sie sich gemeinhin in  Stromversorgungsdesigns befinden –  und das selbst bei Teillastbetrieb.

Für weitere Informationen, wie die DTMOS-V-Technologie dazu beiträgt, elektromagnetische Störungen (EMI) zu verringern und die Leistungsfähigkeit beim Schalten hoher Leistungen zu verbessern, hier klicken.

Click here to find out how DTMOS V technology can help reduce EMI and improve performance of your power switching applications

To Top
·Before creating and producing designs and using, customers must also refer to and comply with the latest versions of all relevant TOSHIBA information and the instructions for the application that Product will be used with or for.