MT3S111TU

不推薦用於新設計

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

產品概要

Application Scope VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity NPN
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

包裝資訊

Toshiba Package Name UFM
Package Image UFM
Package Code SOT-323F
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
2.0×2.1×0.7
Package Dimensions 檢視
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絕對最大額定值

項目 符號 單位
Collector Current IC 0.1 A
Collector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW
Junction temperature Tj 150
Collector-emitter voltage VCEO 6 V

電器特性

項目 符號 條件 單位
Insertion Gain (Typ.) |S21|2 f=1GHz 12.5 dB
Transition frequency (Typ.) fT - 10 GHz
Noise Figure (Typ.) NF f=1GHz 0.85 dB

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