MOSFET

JEITA登録品番シリーズ (例:2SK****/2SJ****)

JEITA登録品番シリーズの品番例
JEITA登録品番シリーズの品番例

小信号シリーズ (例:SSM3K102TU)

小信号シリーズの品番例
小信号シリーズの品番例

1. 東芝小信号MOSFET

(Small-Signal-MOSの頭文字)

 

2. 端子数

 

3. 極性・内部接続

K : Nチャネル 1素子入り
J : Pチャネル 1素子入り
N : Nチャネル 2素子入り
P : Pチャネル 2素子入り
L : Nチャネル + Pチャネル (2素子入り)
E : Nチャネル + Pチャネル (ロードスイッチ配線済)
H : Nチャネル + ショットキーバリアダイオード
G : Pチャネル + ショットキーバリアダイオード
Q : PNP + Pチャネル

 

4. 追い番号

 

5. パッケージ記号

3端子 F: S-Mini
FU: USM
FS: SSM
FV: VESM
T: TSM
TU: UFM
CT: CST3
CTB: CST3B
R: SOT-23F
4端子 CT: CST4
5端子 F: SMV
FU: USV
FE: ESV
TU: UFV
6端子 FU: US6
FE: ES6
TU: UF6
CTD: CST6D
NU: UDFN6/UDFN6B

多ピンパッケージ従来シリーズ (例:TPC8067-H)

多ピンパッケージ従来シリーズの品番例
多ピンパッケージ従来シリーズの品番例

1. パッケージ

TPC6:VS-6パッケージ

TPCF8:VS-8パッケージ

TPCP8:PS-8パッケージ

TPCC8:TSON Advanceパッケージ

TPC8:SOP-8パッケージ

TPCA8:SOP Advanceパッケージ

 

2. 極性/回路構成

0: シングル Nチャネル

1: シングル Pチャネル

2: デュアル Nチャネル

3: デュアル Pチャネル

4: デュアル Nチャネル + Pチャネル

A: Nチャネル + SBD

B: Pチャネル + SBD

J : Pチャネル + NPN

 

3. 製品の追い番号

 

4. 付加情報

-H:高速タイプ

なし:低オン抵抗タイプ

多ピンパッケージ新シリーズ (例:TPH4R606NH)

多ピンパッケージ新シリーズ
多ピンパッケージ新シリーズ

1. パッケージ

TPN : TSON Advanceパッケージ
TPW: DSOP Advanceパッケージ
TP8 : SOP-8パッケージ
TPH : SOP Advanceパッケージ
          SOP Advance(N)パッケージ
TPE : SOP Advance(E)パッケージ 

 

2. オン抵抗 (最大保証駆動時のMax規格)

R46 = 0.46 mΩ
4R6 = 4.6 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ

 

3. 極性/回路構成

0 : シングル Nチャネル
1 : シングル Pチャネル
2 : デュアル Nチャネル
3 : デュアル Pチャネル
4 : デュアル Nチャネル + Pチャネル
A : Nチャネル + SBD
B : Pチャネル + SBD

 

4. ドレイン・ソース間電圧 VDSS

3: 25〜34 V
4: 35〜44 V
5: 45〜54 V
6: 55〜64 V
7: 65〜74 V
8: 75〜84 V
9: 85 ~ 94 V 
A: 95〜124 V
B: 125〜149 V
C: 150〜179 V
D: 180〜199 V
E: 200〜249 V
F: 250〜299 V

 

5. 製品シリーズ

G: U-MOSVII
M: U-MOSVI
N: U-MOSVIII
P: U-MOSIX
Q: U-MOSX 

 

6. 付加情報

1~4: 追い番号
5: 高速ボディダイオード タイプ
A: VGS = 10 V駆動 (Drive)
B: VGS = 6 V駆動 (Drive)
C: VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
D: VGS = 2.5 V駆動 (Drive)
E: VGS = 2.0 V駆動 (Drive)
F: VGS = 1.8 V駆動 (Drive)
G: VGS = 1.5 V駆動 (Drive)
H: 低rgタイプ VGS = 10 V駆動 (Drive)
J: VGS = 1.2 V駆動 (Drive)
M: 低rgタイプ VGS = 6 V駆動 (Drive)
L: 低rgタイプ VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
Q: Tch(max) = 175℃保証 + ゲート・ソース間ツェナー  ダイオード有品
R: Tch(max) = 150℃保証 + ゲート・ソース間ツェナーダイオード有品
S: Tch(max) = 175℃保証
T: Tch(max) = 150℃保証
U: 低スパイク

多ピンパッケージ車載向け新シリーズ (例:XPQR3004PB)

多ピンパッケージ車載向け新シリーズ
多ピンパッケージ車載向け新シリーズ

1. パッケージ

XPN: TSON Advance
XP8: SOP-8
XPH: SOP Advance
XPJ: S-TOGL
XPQ: L-TOGL
XPY: TO-Leadless
XPW: DSOP Advance

 

2. オン抵抗 (最大保証駆動時のMax規格)

R46 = 0.46mOhm
4R6 = 4.6mOhm
100 = 10 x 100 = 10mOhm
101 = 10 x 101 = 100mOhm

 

3. 極性/回路構成

0 : Nch MOSFETの1チップ構成
1 : Pch MOSFETの1チップ構成

 

4. ドレイン・ソース間電圧 VDSS

4: 35〜44 V
6: 55〜64 V
8: 75〜84 V
A: 95〜124 V

 

5. 製品シリーズ

K: U-MOSIV
M: U-MOSVI
N:U-MOSVIII
P: U-MOSIX
Q: U-MOSX 

 

6. 付加情報

1~4: 追い番号
5: 高速ボディダイオード タイプ
A: VGS = 10 V駆動 (Drive)
B: VGS = 6 V駆動 (Drive)
C: VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
D: VGS = 2.5 V駆動 (Drive)
S: Tch(max) = 175℃保証

三端子シリーズ (例:TK40S10K3Z)

三端子シリーズの品番例
三端子シリーズの品番例

1.

TK: Nチャンネル MOSFET
TJ: Pチャンネル MOSFET

 

2. ドレイン電流 ID

 

3. パッケージ

A: TO-220SIS
C: I2PAK
E: TO-220
F: TO-220SM(W)
G: D2PAK
J: TO-3P(N)
L: TO-3P(L)
M: TO-3P(N)IS
N: TO-247
P: DPAK/New PW-Mold
Q: IPAK/ New PW Mold2
S: DPAK+
V: DFN8x8
Z: TO-247-4L (4端子)

 

4. ドレイン・ソース間電圧

表示値×10倍 = VDSS

06:VDSS = 60 V
10:VDSS = 100 V

 

5. 製品シリーズ

A: π-MOSIV
C: π-MOSVI
D: π-MOSVII
E: π-MOSVIII
J: U-MOSIII
K: U-MOSIV
M: U-MOSVI
N: U-MOSVIII
U: DTMOSII
V: DTMOSIII
W: DTMOSIV
X : DTMOSIV-H

 

6. 追記記号(1)

1: 高速スイッチングタイプ
3: 低オン抵抗タイプ
5: 高速ボディーダイオードタイプ

 

7. 追記記号(2)

H : VGS = 10 V駆動(Drive)
M : VGS = 6 V駆動(Drive)
L : VGS = 4.5 V駆動(Drive)
Z : ゲート・ソース間ツェナーダイオード有品

三端子新シリーズ (例:TKR74F04PB)

三端子新シリーズの品番例
三端子新シリーズの品番例

1.

TK: Nチャンネル MOSFET
TJ: Pチャンネル MOSFET

 

2.

オン抵抗 VDSS = 400V未満の製品
(最大保証駆動時のMax規格)

R74 = 0.74 mΩ
8R2 = 8.2 mΩ
100 = 10 x 100 = 10 mΩ
101 = 10 x 101 = 100 mΩ

 

オン抵抗 VDSS = 400V以上の製品
(最大保証駆動時のMax規格)

047 = 0.047 Ω
410 = 0.41 Ω
4K7 = 4.7 Ω

 

3. パッケージ

A: TO-220SIS
C: I2PAK
E: TO-220
F: TO-220SM(W)
G: D2PAK
J: TO-3P(N)
L: TO-3P(L)
M: TO-3P(N)IS
N: TO-247
P: DPAK/New PW-Mold
Q: IPAK/ New PW Mold2
R: D2PAK+
S: DPAK+
U: TOLL
V: DFN8x8
Z: TO-247-4L (4端子)

 

4. ドレイン・ソース間電圧

表示値×10倍 = VDSS

04:VDSS = 40 V
10:VDSS = 100 V

 

5. 製品シリーズ

F: π-MOSⅨ
G: U-MOSVII
M: U-MOSVI
N: U-MOSVIII
P: U-MOSIX
Q: U-MOSX
Y: DTMOSⅤ
Z: DTMOSⅥ

 

6. 付加情報

1~4: 追い番号
5: 高速ボディダイオード タイプ
A: VGS = 10 V駆動 (Drive)
B: VGS = 6 V駆動 (Drive)
C: VGS = 4.5 V駆動 (Drive)
H : 低rgタイプ VGS = 10 V駆動(Drive)
M : 低rgタイプ VGS = 6 V駆動(Drive)
L : 低rgタイプ VGS = 4.5 V駆動(Drive)
R : 高rgタイプ

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