Parallel Operation of MOSFET(TPH1R306PL) Application Circuit

This reference design provides example of simulation models/circuit and results for parallel operation using 60V MOSFET to increase output power.

Device and prastic inductance of PCB trace of parallel operation of MOSFET(TPH1R306PL) application circuit.
Simulation circuit of PCB trace of parallel operation of MOSFET(TPH1R306PL) application circuit.

說明

  • Description of the MOSFET behavior on parallel operation by circuit simulation with TPH1R306PL(SOP Advance package), a 60V U-MOSIX-H product, suitable for secandary side synchrnous rectification circuit for AC-DC power supply and DC-DC power supply and primary side for DC-DC power supply.
  • Showing the point of note for parallel operation and offering the solution to achieve more output power.

設計文件

供設計人員使用的材料,例如電路操作概述和設計注意事項的解釋。請點擊每個選項以查看內容。

設計數據

提供可載入到EDA工具中的電路資料、PCB佈局資料以及PCB製造中使用的資料。來自多個工具供應商的可用格式。您可以使用喜歡的工具來自由的編輯它。

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) N-ch MOSFET, 60 V, 0.00134 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H

相關文件

我們提供有助於設計和考慮類似電路的材料,例如已安裝產品的應用說明。請點擊每個選項以查看內容。

聯繫我們

技術方面問題

聯絡我們

聯絡我們

常見問題

常見問答
開啟新視窗