Parallel Operation of MOSFET(TPH1R306PL) Application Circuit

This reference design provides example of simulation models/circuit and results for parallel operation using 60V MOSFET to increase output power.

Device and prastic inductance of PCB trace
Simulation circuit

特性

  • MOSFET behavior in parallel operation analyzed via circuit simulation
  • Device: TPH1R306PL (SOP Advance package), 60V U-MOSIX-H series
  • Suitable for Secondary-side synchronous rectification for AC-DC and DC-DC power supplies, and primary-side for DC-DC power supplies
  • Provides solution to achieve higher output power

設計文件

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使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) N-ch MOSFET, 60 V, 0.00134 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H

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