採用貼片式SiC MOSFET的3KW AI伺服器電源

隨著生成式人工智慧(Generation AI) 的快速發展，高效能AI伺服器的需求日益增長。本設計是一款專為高功率AI伺服器打造的3kW電源，搭載東芝貼片式SiC MOSFET，實現了高功率密度。
我們提供電路各部分的設計技巧、操作方法以及電路圖和PCB佈局等設計資訊，供您設計時參考使用。

電路板外觀
電路板外觀
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特性

  • 提供完整的功率元件（MOSFET和SiC二極體）及數位隔離器解決方案。
  • 採用貼片式裝置實現高功率密度（與我們現有的設計相比提高了34%）。
  • 總效率94.8%（Vin＝230V、100% 負載）

說明

輸入電壓 AC 180V 至 264V
輸出電壓 DC 50V
輸出功率 3kW
電路拓撲結構 半無橋PFC、移相式全橋＋同步整流、輸出ORing電路
效率曲線
效率曲線

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
功率 SiC MOSFETs PFC 電路・2 N通通 SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ω(典型值)@18 V, DFN 8×8, 第3世代
SiC 蕭特基二極體 PFC 電路・2 650 V/12 A SiC 蕭特基二極體, DFN8×8
功率 SiC MOSFETs PSFB 電路・4 N通通 SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第3世代
功率MOSFET (N通道 150V<VDSS≤250V) PSFB 電路・12 N通通 MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H
功率 MOSFET (N通道 60V<VDSS≤150V) ORing 電路・6 N通通 MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
標準型數位隔離器 PSFB 電路・1 四通道數位隔離器、高速、150Mbps、5000Vrms、SOIC寬體16 pin

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