採用貼片式SiC MOSFET的3KW AI伺服器電源

隨著生成式人工智慧(Generation AI) 的快速發展，高效能AI伺服器的需求日益增長。本設計是一款專為高功率AI伺服器打造的3kW電源，搭載東芝貼片式SiC MOSFET，實現了高功率密度。
我們提供電路各部分的設計技巧、操作方法以及電路圖和PCB佈局等設計資訊，供您設計時參考使用。

電路板外觀
電路板外觀
TW092V65C TW092V65C TW092V65C TRS12V65H TRS12V65H TRS12V65H TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TW027U65C TPW2900ENH TPW2900ENH TPM1R908QM TPW2900ENH TPM1R908QM DCL540C01

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特性

  • 提供完整的功率元件（MOSFET和SiC二極體）及數位隔離器解決方案。
  • 採用貼片式裝置實現高功率密度（與我們現有的設計相比提高了34%）。
  • 總效率94.8%（Vin＝230V、100% 負載）

說明

輸入電壓 AC 180V 至 264V
輸出電壓 DC 50V
輸出功率 3kW
電路拓撲結構 半無橋PFC、移相式全橋＋同步整流、輸出ORing電路
效率曲線
效率曲線

設計文件

供設計人員使用的材料，例如電路操作概述和設計注意事項的解釋。請點擊每個選項以查看內容。

設計數據

提供可載入到EDA工具中的電路資料、PCB佈局資料以及PCB製造中使用的資料。來自多個工具供應商的可用格式。您可以使用喜歡的工具來自由的編輯它。

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
功率 SiC MOSFETs PFC 電路・2 N通通 SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ω(典型值)@18 V, DFN 8×8, 第3世代
SiC 蕭特基二極體 PFC 電路・2 650 V/12 A SiC 蕭特基二極體, DFN8×8
功率 SiC MOSFETs PSFB 電路・4 N通通 SiC MOSFET, 650 V, 0.027 Ω(典型值)@18 V, TOLL, 第3世代
功率MOSFET (N通道 150V<VDSS≤250V) PSFB 電路・12 N通通 MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H
功率 MOSFET (N通道 60V<VDSS≤150V) ORing 電路・6 N通通 MOSFET, 80 V, 0.0019 Ω@10V, SOP Advance(E), U-MOSⅩ-H
標準型數位隔離器 PSFB 電路・1 四通道數位隔離器、高速、150Mbps、5000Vrms、SOIC寬體16 pin

相關文件

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應用

Server
Such as low power consumption and miniaturization are important in designing server. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, motor driving unit, over temperature monitoring unit, etc., along with circuit configuration examples.
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