40V N通道功率MOSFET「XPMR7404PB」採用SOP Advance(EWF)封裝，有助於提高產品在車載設備中的效率和高電流能力

40V N-channel Power MOSFET "XPMR7404PB" with SOP Advance(EWF) Package Contributing to Higher Efficiency and Larger Current Capacity in Automotive Equipment

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出40V N通道功率MOSFET「XPMR7404PB」。這款產品採用新型SOP Advance(EWF)封裝，適用於變頻器、半導體繼電器、負載開關和馬達驅動等車載應用。
本產品採用經過最佳化的封裝結構，實現了低損耗和高散熱性，因此可滿足產品在車載設備中具有更高效率和更大電流等實際應用需求，在實際應用中有助於降低功耗、提高可靠性。

SOP Advance(EWF)封裝採用一體式結構，利用銅片實現晶片與外部引線的整合（圖1）。與傳統結構相比，這種製程減少了封裝的電阻，提高了電流能力。此外，源極耦合結構連接封裝背面的源極端子（圖2），並增加了與電路板的連接區域，從而降低了封裝熱阻，提高了散熱性能。
除了這些結構特性外，該產品的內部設計經過優化，實現了低汲源導通電阻（R DS(ON) ）以及通道與外殼之間的低熱阻（ Z th (ch-c) ）， 因此有助於在應用設備中降低損耗和提高效率。

此封裝也採用了可潤濕側翼結構[1] ，提高了焊錫接點的能見度，可透過全自動外觀檢測（AVI）促進表面封裝品質檢測，有助於提高生產效率和可靠性。

本產品遵循針對車載應用的AEC-Q101車載分立半導體元件可靠性測試標準，可滿足車載應用的高品質要求。

東芝將持續加強功率半導體產品線，利用高度可靠的高效產品，促進車載設備的進步，以協助實現碳中和。

註：
[1]可潤濕側翼：封裝側面引線的形狀

特性

  1. 低 RDS(ON)
  2. 低 Zth(ch-c)
  3. SOP Advance(EWF)封裝採用可潤濕側翼結構，方便對電路板表面封裝焊點進行全自動外觀偵測

特性說明

1. 低 RDS(ON)

新產品採用的SOP Advance(EWF)封裝具有一體式結構和源極耦合結構，與現有的SOP Advance(WF)封裝相比，將封裝熱阻降低了約54%。與現有的SOP Advance(WF)封裝產品XPHR7904PS相比，XPMR7404PB將導通電阻R DS(ON)降低了約6%；目前正處於開發階段的XPMR5904PB可將導通電阻R DS(ON)降低約25%，有助於在實際應用中降低耗損和提高效率。

Figure 1. Comparison of post structure and post-less structure
圖1：新舊結構內部對比圖
Figure 2. Source-coupled structure
圖2：源極耦合結構
Figure 3. Comparison of R<sub>DS(ON)</sub><sup>[3]</sup>
圖3：導通電阻DS(ON)[3]對比

註：
[2] 開發中
[3] 測量條件: VGS=10V, Ta=25°C

2. 低 Zth(ch-c)

Figure 4. Comparison of Z<sub>th(ch-c)</sub><sup>[4]</sup>
圖4：通道與外殼之間的熱阻 Zth(ch-c)[4]對比

與現有產品XPHR7904PS相比，XPMR7404PB將通道與外殼之間的熱阻 Zth(ch−c)​降低了約33%，而目前正處於開發階段的XPMR5904PB可將此熱阻降低約38%。較低的熱阻可抑制溫升和降低導通電阻R DS(ON) ，具有正溫度係數特性，有助於在應用設備中降低損耗和提高效率。

註：
[4]測量條件：T c ＝25°C

3. SOP Advance(EWF)封裝採用可潤濕側翼結構，方便對電路板表面封裝焊點進行全自動外觀偵測

Figure 5. Dimensions and terminal structure of the SOP Advance(EWF) package
圖5：SOP Advance(EWF)封裝的尺寸與引腳結構

SOP Advance(EWF)封裝在引線部分採用可潤濕側翼結構。此結構可提高焊錫接點的能見度和焊錫潤濕性，因此便於使用全自動外觀檢測（AVI）設備檢測元件貼片狀況，有助於提高可靠性。

應用

  • 車載設備：變頻器、半導體繼電器、負載開關、馬達驅動等

主要規格

(在 Ta=25°C條件下，除非另有標示)

型號 XPMR7404PB XPMR5904PB[2] XPMR8504PB[2]
極性 N溝道
系列 U-MOSⅨ-H
絕對最大額定值 汲源極電壓 VDSS (V) 40
汲極電流 (DC) ID (A) 160 180 140
汲極電流(脈衝) IDP (A) 480 540 420
結溫 Tch (°C) 175
電氣特性 汲源極導通電阻
RDS(ON) (mΩ)		 VGS=6V 最大值 1.28 1.05 1.52
VGS=10V 最大值 0.74 0.59 0.85
閘極閾值電壓
Vth (V)		 VDS=10V 2.0 至 3.0
輸入電容
Ciss (pF)		 VDS=10V,
VGS=0V,
f=300kHz		 典型值 7550 9240 6350
熱特性 通道與外殼之間的熱阻
Zth(ch-c) (°C/W)		 Tc=25°C 最大值 0.59 0.55 0.66
封裝 名稱 SOP Advance(EWF)
尺寸 (mm) 典型值 4.9×6.47×1.0
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