射頻SPDT開關（在小型封裝中實現高功率輸入的單刀雙擲開關）

應對通訊基地台等通訊容量的增加

東芝電子元件及儲存裝置株式會社最近新近推出了採用緊湊型封裝的射頻SPDT開關TCWA1225G 。 TCWA1225G採用東芝原創的CMOS工藝，用於通訊基地台和無線電通訊設備中使用的射頻傳輸路徑開關電路。該產品現已上市

近年來，通訊基地台引進了大規模密集型MIMO [註1]等技術，使用多個發射和接收天線，實現超高速和超大容量的無線電通訊服務。 5G就是一個代表性實例。單一天線也越來越多地由超多元件天線和複雜的訊號傳輸路徑組成。在這種複雜的傳輸路徑之間執行開關操作時，通常會使用射頻開關。但是，這種射頻必須具有低插入損耗、高輸入功率等特點，也必須足夠小，以確保射頻開關數量以及天線和裝置尺寸都不會增加。

新款TCWA1225G在1.9 mm×1.9 mm （典型值）小型封裝中實現了高達46 dBm [註2]的輸入峰值功率，有助於設備小型化。此外，由於插入損耗為0.6 dB [註3] ，功耗電流低至50 μA [註4] ，因此有助於降低設備損耗和功耗。

可透過內建GPIO控制介面輕鬆控制開關操作。

[註1]多輸入多輸出
[註2]8 dB PAR （峰值與平均值之比）
[註3]5 GHz ，典型值
[註4]V DD ＝ 3.6 V ，典型值

新產品的主要特性

  1. 小型封裝
  2. 高功率輸入
  3. 低插入損耗

特性說明

1.小型封裝

2.0 mm×2.0 mm （典型值）是性能相當的高功率輸入射頻SPDT開關競爭產品中的最小尺寸，而採用1.9 mm×1.9 mm （典型值）小型WCSP [註5]封裝的TCWA1225G ，貼裝面積進一步減小了約10% 。高度通用的0.5 mm尺寸也消除了對複雜貼片技術的需求，並降低了電路板貼裝期間端子間短路的機率。此外，射頻端子、電源和控制端子佈置在封裝外圍，以防止電路板線路圖案設計過於複雜。

[註5]晶圓片級晶片規模封裝

Small packages

2.高功率輸入

為同時實現小型化和高功率輸入，我們採用了東芝原創的CMOS工藝，並進一步優化了開關電路。因此與性能相當的競爭產品在2.0 mm×2.0 mm （典型值）封裝中實現42 dBm峰值輸入功率相比，我們僅在1.9 mm×1.9 mm （典型值） [注6]的小尺寸中就實現了46 dBm高功率輸入。

3.低插入損耗

Low insertion loss

在射頻訊號的傳輸路徑開關電路中，必須確保射頻訊號非常小，以防止發射功率下降和接收器靈敏度降低。透過使用東芝原創的CMOS工藝， TCWA1225G可在5 GHz時實現0.6 dB （典型值），插入損耗比性能相當的競爭產品減少了大約0.05 dB [註6] 。

[註6]與類似產品的比較。截至2024年6月的東芝調查。

應用裝置

  • 通訊基地台
  • 無線通訊設備
  • 其他通訊設備

產品的主要規格

(Ta=25°C)

產品型號

TCWA1225G

數據表

PDF: 417KB

絕對最大額定值

供電電壓範圍 VDD(V)

-0.3 至 3.9

邏輯輸入(LS, CTRL Pad) Vl(V)

-0.3至 3.9

峰值功率容量 (8dB PAR) Ppk(dBm)

46
工作電壓範圍

供電電壓 VDD(V)

3.0 至 3.6
工作溫度 Topr(°C)

-40 至 95

電氣特性

（典型值）

插入損耗 IL(dB)@5GHz

0.6

隔離 ISO(dB)@5GHz

46

VSWR (-)

1.2

輸入1 dB壓縮 IP1dB(dBm)@2.6GHz

47

輸入 IP3 IIP3(dBm)@2.6GHz

74

輸入 IP2 IIP2(dBm)@2.6GHz

128

功耗電流 IDC(μA)@VDD=3.6V

50

封裝

東芝名稱

WCSP14

典型尺寸（ mm ）

1.9 × 1.9

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相關資訊

產品詳情

封裝

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