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突波保護齊納二極體產品線擴充，新增20款適用於車用設備的小型SOD-523封裝產品
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）推出了XCEZ系列適用於車載設備的突波保護齊納二極體，擴大了其產品線。此系列二極體採用小型通用SOD-523封裝，適用於高級駕駛輔助系統（ADAS）及電池管理系統（BMS）等車載系統。
近年來，隨著車載設備電氣化程度的日益提高，對於防止由奈秒靜電放電（ESD）和微秒至毫秒開關浪湧等噪音引起的故障的需求與日俱增。 XCEZ系列產品可抑制穿透了各種車載ECU [ 1]的電源線路和連接器的雜訊所造成的系統故障。新產品透過吸收外部雜訊和突波，為裝置和電路提供有效保護。
XCEZ系列採用業界標準的通用SOD-523封裝（1.6×0.8mm），相較於東芝現有的SOD-323封裝（2.5×1.25mm），可將安裝面積減少約59%，從而實現了更高密度的安裝。
XCEZ系列與XCUZ系列相似，也採用東芝專有的齊納製程以降低動態電阻。此系列中的XCEZ5V6產品，其動態電阻低至0.16Ω（典型值），可有效吸收突波電壓，從而保護裝置與電路，防止系統發生損壞和故障。
XCEZ系列與XCUZ系列相似，提供20款產品，標準齊納電壓範圍從5.6V至36V，適用於主要電源線路。此外，本系列也符合AEC-Q101標準—車用電子元件可靠度測試標準。
東芝將繼續對適用於車載設備的突波保護齊納二極體產品線進行開發和擴展，以提高車載系統的性能和可靠性。
註：
[ 1]ECU ：電子控制單元
特性
- 高相容性的小型通用封裝
- 低動態電阻
- 針對毫秒長脈衝的突波保護
特點說明
1.高相容性的小型通用封裝
在XCEZ系列中，東芝採用了高相容性的小型SOD-523封裝（1.6×0.8mm），相較於東芝現有XCUZ系列中使用的SOD-323封裝（2.5×1.25mm），安裝面積減少了約59%，有助於電路板的小型化。
2.低動態電阻
作為一種保護元件，動態電阻是吸收經由電源線路、連接器等侵入的突波電壓的關鍵因素。低動態電阻能讓突波電流更容易流向齊納二極體。東芝專有的齊納製程在反向電壓（V R ）端呈現出陡峭的I TLP -V TLP曲線，實現了更低的動態電阻，從而能夠高效吸收浪湧電壓，為裝置和電路提供可靠的保護，防止系統發生損壞和故障。
![Figure 3. ITLP–VTLP characteristics [2] (in the case of XCEZ6V8)](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/diodes/articles/lineup-expansion-of-surge-protection-zener-diodes-by-adding-20-products-with-small-sod-523-package-for-automotive-equipment_features_4_en.png)
3.針對毫秒長脈衝的突波保護
新產品在10ms脈衝寬度下可實現高達6W的允許齊納浪湧功率（最大值），從而保護半導體裝置免受毫秒級長脈寬的衝擊，例如高開關浪湧以及接近直流的過電壓。
註：
[ 2]平均區間：t1＝30ns至t2＝60ns
應用
- 車用設備（IVI [3] 、ADAS [4] 、BMS [5]等）
註：
[3] IVI （車載資訊娛樂系統）：提供資訊和娛樂功能的整合系統的通用術語。
[4] ADAS （高級駕駛員輔助系統）
[5] BMS （電池管理系統）：用於對充電電池（例如鋰離子電池）進行安全控制的系統。
主要規格
（除非另有規定，T a ＝25°C）
| 裝置型號 | 絕對最大額定值 | 電氣特性 | 庫存查詢與購買 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 靜電放電電壓 VESD[6] (kV) |
齊納電壓 VZ (V) |
動態電阻RDYN [7] (Ω) |
箝位電壓VC [7][8] (V) |
總電容Ct [9] (pF) |
||||||
| 接觸 | 空氣 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 測試電流 IZ (mA) | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||
| XCEZ5V6 | ±30 | 5.3 | 5.6 | 6.0 | 5 | 0.16 | 9.0 | 125 |  |
|
| XCEZ6V2 | ±30 | 5.8 | 6.2 | 6.6 | 5 | 0.21 | 10.0 | 105 | |
|
| XCEZ6V8 | ±30 | 6.4 | 6.8 | 7.2 | 5 | 0.27 | 13.0 | 88 | |
|
| XCEZ7V5 | ±30 | 7.0 | 7.5 | 7.9 | 5 | 0.32 | 14.0 | 78 | |
|
| XCEZ8V2 | ±30 | 7.7 | 8.2 | 8.7 | 5 | 0.37 | 16.5 | 67 | |
|
| XCEZ9V1 | ±30 | 8.5 | 9.1 | 9.6 | 5 | 0.44 | 17.0 | 62 | |
|
| XCEZ10V | ±30 | 9.4 | 10.0 | 10.6 | 5 | 0.52 | 19.0 | 60 | |
|
| XCEZ11V | ±30 | 10.4 | 11.0 | 11.6 | 5 | 0.60 | 24.0 | 48 | |
|
| XCEZ12V | ±30 | 11.4 | 12.0 | 12.6 | 5 | 0.70 | 26.0 | 44 | |
|
| XCEZ13V | ±30 | 12.4 | 13.0 | 14.1 | 5 | 0.80 | 27.0 | 42 | |
|
| XCEZ15V | ±30 | 13.8 | 15.0 | 15.6 | 5 | 0.60 | 24.0 | 36 | |
|
| XCEZ16V | ±30 | 15.3 | 16.0 | 17.1 | 5 | 0.50 | 27.0 | 35 | |
|
| XCEZ18V | ±30 | 16.8 | 18.0 | 19.1 | 5 | 0.40 | 28.5 | 31 | |
|
| XCEZ20V | ±30 | 18.8 | 20.0 | 21.2 | 5 | 0.35 | 30.5 | 29 | |
|
| XCEZ22V | ±30 | 20.8 | 22.0 | 23.3 | 5 | 0.40 | 32.0 | 27 | |
|
| XCEZ24V | ±30 | 22.8 | 24.0 | 25.6 | 5 | 0.60 | 36.5 | 26 | |
|
| XCEZ27V | ±30 | 25.1 | 27.0 | 28.9 | 2 | 0.90 | 45.0 | 23 | |
|
| XCEZ30V | ±30 | 28.0 | 30.0 | 32.0 | 2 | 1.25 | 47.5 | 21 | |
|
| XCEZ33V | ±25 | 31.0 | 33.0 | 35.0 | 2 | 1.80 | 57.0 | 19 | |
|
| XCEZ36V | ±20 | 34.0 | 36.0 | 38.0 | 2 | 2.60 | 63.0 | 18 | |
|
註：
[6] 符合ISO10605（C＝330pF/R＝2kΩ）
[7] TLP參數：Z0＝50Ω， t p ＝100ns，t r ＝300ps，平均區間t1＝30ns至t2=60ns，動態電阻根據透過ITLP1=16A和 ITLP2 ＝30A之間的TLP特性，透過最小平方法擬合來提取。
[8] I TLP ＝16A
[9] V R ＝0V，f＝1MHz
應用電路範例
![Figure 5. Application circuit examples<sup>[10]</sup>](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/diodes/articles/lineup-expansion-of-surge-protection-zener-diodes-by-adding-20-products-with-small-sod-523-package-for-automotive-equipment_features_6_en.png)
註：
[ 10]此應用電路圖為參考範例，請在量產設計時進行充分的評估。此外，其不代表工業產權的使用許可。
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