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開發 / 設計支援
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱「東芝」)現已推出壓裝式閘級注入增強型電晶體[1] 「ST2000JXH35A」。本產品配備新開發的溝槽型閘極注入增強型電晶體(IEGT)晶片,此晶片適用於直流輸電系統、工業馬達驅動設備和靜止同步補償器(STATCOM) [2]等高壓轉換器。
近年來,為因應全球暖化問題,風能、太陽能和水力發電等再生能源的應用日益廣泛。這些發電廠通常離用電區域較遠,導致長距離輸電需求日益增長。
除了需降低長距離輸電期間的輸電損耗外,解決再生能源輸出電壓波動問題也變得愈發重要。因此,相較於交流系統,直流輸電系統因效率更高、更易於控制而受到青睞。
新開發的溝槽型閘極注入增強型電晶體(IEGT)晶片透過優化結構,實現了高關斷能力和高短路耐受能力。本產品已成功通過4500V電壓下的關斷和短路測試,適用於高壓應用。
透過採用額定電壓為6500V的ST2000JXH35A,在直流輸電系統中串聯的產品數量比使用額定電壓為4500V的產品減少約33% [3] ,從而有助於減輕系統重量,實現整體小型化。因此,該產品可以降低建造和運輸成本,尤其適用於成本高昂的海上變電站[4] 。除了直流輸電系統外,ST2000JXH35A還有助於在工業馬達驅動設備和靜止同步補償器(STATCOM)等高壓變流器中實現更高的電壓和更緊湊的設計。
東芝將繼續開發適用於高壓轉換器的壓裝式閘極注入增強型電晶體,並擴大其產品線。
註:
[1]IEGT:閘極注入增強型電晶體
[2]STATCOM:靜止同步補償器的縮寫。這是一種自換相虛功功率補償系統,專門用於穩定電力系統中的電壓並補償虛功功率。
[3]基於東芝的估算值
假設用於±500 kV直流輸電系統:
在3000V電壓下使用額定電壓為6500V的裝置時,所需串聯單元數為334個。
在2000V電壓下使用額定電壓為4500V的裝置時,所需串聯單元數為500個。
將串聯單元數從500個減少至334個,預計可降低約33%。
[4]海上變電站:安裝在海上的設施,用於收集、轉換和傳離岸風力發電廠產生的電力。
(在T C =25°C條件下,除非另有規定)
| 型號 | ST2000JXH35A | |||
|---|---|---|---|---|
| 封裝 | 2-168B1S | |||
| 絕對最大額定值 | 集極-射極電壓 VCES (V) | 6500 | ||
| 閘極-射極電壓 VGES (V) | ±20 | |||
| 集極電流 (DC) IC (A) | Tf=87°C | 2000 | ||
| 結溫 Tj (°C) | -40 至 125 | |||
| 電氣特性 | 集極-射極飽和電壓 VCE(sat) (V) |
IC=2000A, VGE=15V, Tj=125°C |
典型值 | 2.80 |
| Turn-on 損耗 Eon (J) | VCC=3600V, IC=2000A, RG(on)=2.0Ω, VGE=±15V, Ls≃300nH, Tj=125°C, Diode: 2000JXHH35 |
典型值 | 12.30 | |
| Turn-off 損耗 Eoff (J) | VCC=3600V, IC=2000A, RG(off)=30Ω, VGE=±15V, Ls≃300nH, Tj=125°C |
典型值 | 15.60 | |
| 短路脈衝寬度 tpsc (µs) | VCC=4500V, RG(on)=2.0Ω, RG(off)=30Ω, VGE=±15V, Ls≃150nH, Tj=125°C |
最大值 | 10 | |
| Turn-off 測試 VSUS | VCC=4500V, IC=4000A, RG(off)=30Ω, VGE=±15V, Ls≃250nH, Tj=125°C |
- | ||
直流輸電的模組化多電平轉換器(MMC)
馬達驅動的轉換器和變頻器電路
註:
本文所示應用電路僅供參考。
需要進行全面評估,特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路實例並不授予任何工業產權許可。
應用說明
High-power device Press Pack IEGT(PPI) Application note (PDF: 2.15MB)
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ST2000JXH35A
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IEGT (PPI)
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