採用DFN8×8封裝的600V功率MOSFET有助於實現高效率電源

600V Silicon Power MOSFET in DFN8×8 Package Contributing to High-Efficiency Power Supply

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱「東芝」）現已推出採用Super Junction結構的DTMOSVI 600V系列製程的N通道功率MOSFET「TK057V60Z1」。本產品適用於資料中心級伺服器、工業設備開關電源以及太陽逆變器等應用。

TK057V60Z1實現了0.047Ω（典型值） [1]汲源極間的導通電阻，創下東芝採用DFN8×8封裝的600V功率MOSFET的最低[2]紀錄。
此外，相較於東芝現有同電壓等級及封裝的產品TK31V60X，新產品的汲源極導通電阻降低約40%。同時保持相等的閘極電荷（通常與汲源極導通電阻存在權衡關係），而閘汲極電荷則降低約32%。降低了導通損耗和開關損耗，有助於提高電源電路的效率。
另外，採用小型貼片式DFN8x8封裝更有助於提高設備的功率密度。

東芝提供支援開關電源電路設計的工具。現在，除了可在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型之外，還提供能夠精確實現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。東芝網站上提供的線上電路模擬器可協助使用者輕鬆驗證電路運行，而無需建立模擬環境和下載元件模型。

東芝將持續擴大其DTMOSVI系列產品線，以提高工業設備開關電源的效率，以實現碳中和。

註：
[1]測量條件：V GS ＝10V，I D ＝15A，T a ＝25°C
[2]東芝調查，截至2025年11月。

特性

  1. 低汲源極導通電阻（R DS(ON) ）
  2. 低閘極電荷（ Q g ），和低閘汲極電荷（ Q gd ）

特點說明

1.低汲源極導通電阻 (RDS(ON))

Figure 1. R<sub>DS(ON)</sub> comparison<sup>[3]</sup>
圖1. RDS(ON) 比較[3]

TK057V60Z1實現了0.047Ω（典型值） [1]的R DS(ON) ，創下東芝採用DFN8x8封裝的600V功率MOSFET的最低[2]紀錄。
有助於減少導通損耗，進而提高電源設備的效率。此外，相較於競爭對手的同類產品，其R DS(ON)降低約16% [3] 。

註：
[3]基於東芝實測條件
R DS(ON)測量條件：V GS ＝10V，I D ＝15A，T a ＝25°C

2. 低閘極電荷 (Qg)和低閘汲極電荷(Qgd)

DTMOSVI 600V系列透過優化閘極設計和精進工藝，降低了Q g和Q gd ——這兩個參數是電源設備等開關應用中的關鍵特性。
有助於減少驅動損耗和開關損耗，進而提高電源設備的效率。
此外，與競爭對手的同類產品相比，東芝新產品的Q g降低約4%， Q gd更是降低約28% [4] 。

Figure 2. Q<sub>g</sub> comparison<sup>[4]</sup>
圖2 Qg 比較[4]
Figure 3. Q<sub>gd</sub> comparison<sup>[4]</sup>
Figure 3. Qgd comparison[4]

註：
[4]基於東芝實測條件
      Q g和Q gd測量條件：V DD ≈400V，V GS ＝10V，I D ＝40A，T a ＝25°C

應用

  • 資料中心伺服器等的開關電源
  • 太陽能逆變器
  • 不斷電系統（UPS）

主要規格

（除非另有定義，T a ＝25°C）

型號 TK057V60Z1
絕對最大額定值 汲源極電壓 VDSS (V) 600
汲極電流 (DC) ID (A) 40
Channel temperature Tch (°C) 150
電氣特性 汲源極導通電阻 RDS(ON) (Ω) VGS=10V,
ID=15A		 典型值 0.047
最大值 0.057
閘極電荷（閘源極電荷與閘汲極電荷總和）Qg (nC) VDD≈400V,
VGS=10V,
ID=40A		 典型值 65
閘汲極電荷 Qgd (nC) 15
輸入電容 Ciss (pF) VDS=300V, VGS=0V, f=100kHz 典型值 3680
封裝 名稱 DFN8×8
尺寸 (mm) 典型值 8.0×8.0×0.85
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