產品概要

Polarity P-ch
Generation U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

包裝資訊

Toshiba Package Name TSM
Package Image 東芝 SSM3J326T Small-signal MOSFET產品 TSM 封裝圖片
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
2.9×2.8×0.7
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絕對最大額定值

項目 符號 單位
Gate-Source voltage VGSS +/-12 V
Drain current ID -5.6 A

電器特性

項目 符號 條件 單位
Gate threshold voltage (Max) Vth - -1.2 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - -0.5 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 39.3
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 45.7
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 62.5
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 115
Input capacitance (Typ.) Ciss - 650 pF

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