全SiC MOSFET 10kW隔離型雙向DC-DC轉換器

此參考設計為10kW隔離型雙向DC DC變換器，採用雙主動橋式轉換器（DAB）架構，並在高壓側和低壓側使用了SiC MOSFET元件。 詳細的資訊請參閱下方的內容，其中包括各電路模組的關鍵設計要點、使用說明及調試方法，以及電路圖和PCB佈局等資料，可以在您設計電力電子系統時提供有用的幫助。

電路板外觀
電路板外觀
TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW060N120C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW048N65C TW060N120C TW048N65C TLP7920 TLP5214A

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特性

  • 效率: 97.6% (Vin = 750V, 100% 負載)
  • 尺寸: 565mm × 360mm × 270mm
  • 整合SiC MOSFET、智慧式驅動隔離器和隔離放大器的解決方案。
  • 搭載東芝最新一代SiC MOSFET元件

說明

高壓側 750V
低壓側 400V
額定功率 10kW
電路架構 雙主動橋式轉換器 (DAB)
Efficiency Curve
Efficiency Curve

Design Documents

Materials for designers, such as an overview of circuit operation and explanations of design considerations. Please click on each tab to view the contents.

Design Data

Provides circuit data that can be loaded into EDA tools, PCB layout data, and data used in PCB manufacturing. Available in formats from multiple tool vendors. You can freely edit it with your preferred tool.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
功率 SiC MOSFETs 高壓側開關#12539;4 N通道 SiC MOSFET, 1200 V, 0.060 Ω(典型值)@18V, TO-247, 第3代
功率 SiC MOSFETs 低壓側開關・4 N通道 SiC MOSFET, 650 V, 0.048 Ω(典型值)@18V, TO-247, 3rd Gen.
光耦（光IC輸出型） 閘極驅動・8 光耦（光IC輸出型）， IGBT驅動電路，IOP=+/-4.0 A, 5000 Vrms, SO16L
光耦（隔離放大器型） 電壓檢測・2 光耦（隔離放大器型），類比輸出， 5000 Vrms, DIP8

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