Inverter for xEV

Inverter for xEV

Such as reduction of power consumption and miniaturization are important in designing xEV inverter. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for motor drive circuit units, etc., along with circuit configuration examples.

總方塊圖

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 ECU ECU Power Supply Power Supply CAN Communications CAN Communications Gate Drive Gate Drive Gate Drive Gate Drive High Voltage Battery High Voltage Battery Control MCU PWM Signal Gen. Protection Circuit Control MCUPWM Signal Gen.Protection Circuit M M IGBT Module IGBT Module (Isolation) (Isolation) Reactor Current Battery Voltage Reactor Temperature IGBT Temp... Reactor CurrentBattery VoltageReactor TemperatureIGBT TemperatureBoard Temperature3-Phase Output Current Gate Drive Supply Voltage Isolation Amplifier Isolation Amplifier M M IGBT Module IGBT Module BMS BMS Drive circuit for brushless DC motor
Drive circuit for brushless DC motor

Example of drive circuit for brushless DC motor

子方塊圖

Drive circuit for brushless DC motor
Drive circuit for brushless DC motor

Example of drive circuit for brushless DC motor

Example of drive circuit for brushless DC motor
IC output photocoupler
器件型號
TLX9304
TLX9309
TLX9310
TLX9378
TLX9376
Toshiba Package Name 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6 5pin SO6
BVS (Min) [Vrms] @ t = 60 [s] 3750 3750 3750 3750 3750
VCC / VDD (Min) [V] 4.5     4.5 4.5
VCC / VDD (Max) [V] 20 30   5.5 5.5
ICC / IDD (Max) [mA]          
Output Interface          
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General purpose small signal MOSFET
器件型號
SSM3K7002KF
SSM3J168F
SSM3J66MFV
Toshiba Package Name SOT-346 (S-Mini) SOT-346 (S-Mini) SOT-723 (VESM)
VDSS (Max) [V] 60 -60 -20
ID (Max) [A] 0.4 -0.4 -0.8
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 4.5 [V] 1.75 1.9 0.39
Polarity N-ch P-ch P-ch
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General purpose small signal bipolar transistor
器件型號
2SA1832
2SC4738
2SC4116
2SA1586
2SC2712
2SA1162
Toshiba Package Name SOT-416 (SSM) SOT-416 (SSM) SOT-323 (USM) SOT-323 (USM) SOT-346 (S-Mini) SOT-346 (S-Mini)
VCEO (Max) [V] -50 50 50 -50 50 -50
IC (Max) [A] -0.15 0.15 0.15 -0.15 0.15 -0.15
Polarity PNP NPN NPN PNP NPN PNP
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Small signal bias resistor built-in transistor (BRT)
器件型號
RN1907FE
RN2907FE
RN1901
RN2901
Toshiba Package Name SOT-563 (ES6) SOT-563 (ES6) SOT-363 (US6) SOT-363 (US6)
VCEO (Q1) (Max) [V] 50 -50 50 -50
VCEO (Q2) (Max) [V] 50 -50 50 -50
IC (Q1) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
IC (Q2) (Max) [A] 0.1 -0.1 0.1 -0.1
Polarity (Q1) NPN PNP NPN PNP
Polarity (Q2) NPN PNP NPN PNP
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TVS diode (for CAN communication)
器件型號
DF3D18FU
DF3D29FU
DF3D36FU
Toshiba Package Name SOT-323 (USM) SOT-323 (USM) SOT-323 (USM)
VESD (Max) [kV] +/-30 +/-25 +/-20
IR (Max) [µA] 0.1 0.1 0.1
Rdyn (Typ.) [Ω] 0.8 1.1 1.5
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] 9 9 6.5
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解決方案

這些文件說明推薦的半導體產品的要點及其特徵，方便產品選擇。

解決方案
SolutionProposal_Inverter for xEV / English (PDF:946KB)
SolutionProposal_Inverter for xEV / Japanese (PDF:1.4MB)

文件

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