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IGBT/MOSFET驅動光耦

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東芝提供應用於IGBT/MOSFET柵極驅動的光耦。我們的光耦產品組合陣容非常廣泛,其輸出電流範圍為0.6A至6.0A(業內最高水準)。因此,您可以根據IGBT和MOSFET驅動的柵極電容選擇最符合您需求的光耦。東芝的產品組合包括IGBT/MOSFET驅動光耦,它可以保證高達40kV/µs的共模抑制(CMR)。這些光耦非常適合應用於像逆變器和伺服器等在電雜訊環境中的安裝應用。

IGBT/MOSFET柵極驅動光耦的推薦列表

Photocouplers with a maximum operating temperature of 125°C

Rail-to-rail output

Overcurrent protection

間隙/爬電距離 5 mm 4 mm 7或8mm* 7或8mm* 8 mm 8 mm
峰值
輸入電流
IOP
傳播延遲
tpHL/tpLH

SO6

SO8

SDIP6

DIP8

SO6L

SO16L
6.0 A 500 ns TLP358H
4.0 A 150 ns TLP5754 TLP5214
2.5 A 500 ns TLP700H TLP350H
TLP250H
200 ns TLP152 TLP700A TLP352 TLP5702
150 ns TLP5752
1.0 A 150 ns TLP5751
0.6 A 700 ns TLP701H TLP351H
500 ns TLP151A TLP2451A TLP701A TLP351A TLP5701
200 ns TLP155E TLP705A

* 可提供間隙和爬電距離為8mm的DIP8和SDIP6封裝。

欲訂購其他具有8mm保證間隙和爬電距離封裝的光耦,請在器件型號後添加尾碼F,例如:TLP350HF

Product List

IGBT/MOSFET柵極驅動光耦列表
您可以查找IGBT/MOSFET柵極驅動光耦的完整特性列表。

東芝IGBT/MOSFET柵極驅動光耦的特點

  • 輸出電流範圍為0.6A至6.0A
  • 傳播延遲為200ns的快速開關
  • 高達40kV/µs的CMR(共模抑制)
  • 欠電壓鎖定(UVLO)

1.結合高輸出電流與低功耗

TLP5214智慧柵極驅動光耦結合了VCE(sat)和有源米勒箝位功能(active Miller clamping capability),專門設計用於保護IGBT免於過電流的情況。VCE(sat)檢測電路負責監測IGBT的VCE(sat)電壓,如果發現存在過電流的情況即執行IGBT的軟關閉。它也傳遞故障信號至控制器。米勒箝位元電路將抑制柵極電壓增加,進而通過光耦將米勒電流旁路接地而免於IGBT故障。另外,TLP5214提供軌對軌輸出、欠壓鎖定(UVLO)和其它特性,相比於之前所要求的部件而言可減少外部元件的使用數量。這有助於降低BOM成本和PCB板尺寸。

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TLP358H中的光電探測器晶片

該光電探測器晶片採用BiCD工藝製成,其輸出電流高達6.0A而且具有至多2.0mA的低功耗特性(TLP358H)。具有峰值輸出電流6.0A的光耦可以直接驅動1200V/200A級別的IGBT。低功耗的特點有助於減小逆變器等產品的高邊自舉電容器大小。

2.共模瞬變抑制

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Switching Waveform @ VCC = 30 V, IOP = 100 mA

通常,IGBT驅動光耦的高電平輸出電壓略低於電源電壓。相比之下,RRO光耦提供從地面到接近電源電壓的全擺幅輸出。軌對軌輸出有助於降低光耦和IGBT在開關過程中的功率損失。
上表中標記有TLP5751TLP5752TLP5754TLP5214屬於RRO光耦。

如果光耦的輸入和輸出電壓dv/dt之比過大,逆變器電路可能無法正常工作。在輸入和輸出電壓間增加遮罩和將電流接地可改進光耦的共模抑制。為了向IGBT/MOSFET直接柵極驅動提供足夠的共模抑制,東芝的多數IGBT柵極驅動光耦在光電探測器晶片中有一個遮罩層。特別是TLP250H,它可保證高達40kV/µs共模抑制。

3.欠電壓鎖定(UVLO)

東芝的多數IGBT/MOSFET柵極驅動光耦具有一個UVLO電路以防止低電壓區發生故障。UVLO電路保持低的輸出電壓,直至電源電壓(VCC)超過UVLO的上升閾值,以此防止光耦發生輸出故障和由此導致的驅動IGBT/MOSFET故障。

部分逆變器電路

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TLP352 UVLO操作

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其他光耦/光繼電器

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