300W隔離式DC-DC轉換器（升級版）

設計支援DC 36V至75V的寬輸入電壓範圍，並提供DC 12V輸出，功率容量為300W。透過採用東芝最新一代MOSFET和數位隔離器並進行電路最佳化，在全負載範圍內，該設計相比相同拓撲的現有參考設計實現了更高的轉換效率。 我們提供設計訊息，包括關鍵電路設計要點、使用說明、各部分的調整方法、電路圖和PCB佈局數據，以支援您的開發。

電路板外觀
電路板外觀
TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPN1200APL TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 TPH2R70AR5 DCL520C00 DCL520C00

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特性

  • 採用東芝最新一代元件和電路優化技術，效率比現有設計更高。
  • 寬輸入電壓範圍為36至75V，可應用於48V系統。
  • 轉換效率：94.6%（在Vin＝48V、100%負載條件下）
  • 外形尺寸：82mm×82mm×24mm
  • 採用繞線結構的變壓器，提升了此設計在實際應用場景中的可實施性。

說明

輸入電壓 DC 36 to 75V
輸出電壓 DC 12V
輸出功率 300W
電路拓撲 相移全橋
效率曲線
效率曲線

設計文件

供設計人員使用的材料，例如電路操作概述和設計注意事項的解釋。請點擊每個選項以查看內容。

設計數據

提供可載入到EDA工具中的電路資料、PCB佈局資料以及PCB製造中使用的資料。來自多個工具供應商的可用格式。您可以使用喜歡的工具來自由的編輯它。

*1:Actual PCB was designed on CR8000BD. The other files were made from CR8000BD file.

*2:The data was generated on CR8000BD.

使用東芝項目/產品

器件型號 器件目錄 使用部位・數量 說明
功率MOSFET（N通道單通道 60V<VDSS≤150V) 原邊･4 N通道 MOSFET, 100 V, 0.0115 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N通道單通道 60V<VDSS≤150V) 副邊･4 N通道 MOSFET, 100 V, 0.0027 Ω@10V, Qrr=55nC@100A/μs, SOP Advance(N), U-MOS11-H
標準數位隔離器 原邊與副邊之間的通信･1 高速數位隔離器、高速、150Mbps、3000Vrms、8腳窄體SOIC封裝

相關文件

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